Mosfet

MOSFET
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales: el

drenador (D, drain), la puerta (G, gate), el surtidor o
fuente (S, source) y el sustrato (B, bulk). La corriente en
el interior del dispositivo puede ser en forma de
electrones o huecos, fluye desde la fuente hasta el
drenador, y es controlada por la puerta. El terminal de
sustrato se utiliza para fijar la tensin umbral del
transistor, mediante la aplicacin de una tensin
constante.

La operacin de un
transistor MOSFET se
puede dividir en tres
regiones de operacin
diferentes, dependiendo de
las tensiones en sus
terminales. Para un
transistor MOSFET N de
enriquecimiento se tienen
las siguientes regiones:
regin de corte, regin
hmica y regin de
saturacin.

Region de Corte Region hmica
El transistor estar en esta
regin, cuando V
GS
< V
t
. En
estas condiciones el transistor
MOSFET, equivale
elctricamente a un circuito
abierto, entre los terminales
del Drenador-Surtidor. De
acuerdo con el modelo bsico
del transistor, en esta regin,
el dispositivo se encuentra
apagado. No hay conduccin
entre Drenador y Surtidor, de
modo que el MOSFET se
comporta como un interruptor
abierto.

El MOSFET equivale a
una resistencia variable
conectada entre el
Drenador y Surtidor. El
valor de esta resistencia
vara dependiendo del
valor que tenga la
tensin entre la Puerta y
el Surtidor (V
GS
).

Regin de Saturacin
En esta zona, el
MOSFET mantiene
constante su corriente de
Drenador (I
D
),
independientemente del
valor de tensin que
haya entre el Drenador y
el Surtidor (V
DS
). Por lo
tanto, el transistor
equivale a un generador
de corriente continua de
valor I
D
.

Transistor
Transistor
Mosfet
Configuraciones amplificadoras y
sus caractersticas
La configuracin de un
amplificador(MOSFET).

El MOSFET es tambin un amplificador
donde su configuracin es muy sencilla ya
que se basa solo en una que es la puerta
de paso. Donde las tensiones bajas son
transmitidas sin error por el MOSFET tipo N,
mientras que las altas lo son por el tipo P.
Caractersticas amplificadoras:
Una de las caractersticas de los amplificadores
es que la seal P puede entrar al MOSFET y
sale una seal mas grande.
Otra caracterstica es la Selectividad :
Este parmetro mide la capacidad de un receptor
en diferenciar entre las seales deseadas y las
otras, entre aceptar una determinada banda de
frecuencias y rechazar otras.
Curvas Caractersticas del MOSFET y su
Aplicacin
En la figura 1.16 se muestran las curvas de
caractersticas elctricas de un transistor NMOS con las
diferentes regiones de operacin que son descritas
brevemente a continuacin:

Regin de corte
Se verifica que VGS
Regin lineal

El transistor se comporta como un elemento resistivo no
lineal controlado por tensin. Verifica las siguientes
ecuaciones:
Siendo

un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a
travs de la constante k y del tamao de la puerta del transistor (W la
anchura y L la longitud).
MOSFET
Siglas de Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor
Transistor de
efecto de campo
basado en
la estructura
MOS
Ms utilizado en
la industria
microelectrnica
Prcticamente la
totalidad de los
circuitos
integrados de uso
comercial estn
basados en
transistores
MOSFET
TIPOS DE MOSFET
Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos
fundamentales dependiendo de cmo se haya
realizado el dopaje:

Las reas de difusin se denominan fuente(source)
y drenador (drain), y el conductor entre ellos es
la puerta(gate).

Tipo nMOS: Sustrato
de tipo p y difusiones
de tipo n.
Tipo pMOS: Sustrato
de tipo n y difusiones
de tipo p.
SIMBOLO
MOSFET N MOSFET P
Estado de Corte SATURACIN
Cuando la tensin de la
puerta es idntica a la
del sustrato, el MOSFET
est en estado de no
conduccin: ninguna
corriente fluye entre
fuente y drenador
aunque se aplique una
diferencia de potencial
entre ambos. Tambin
se llama mosfet a los
aislados por juntura de
dos componentes.

Cuando la tensin entre
drenador y fuente supera
cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta
sufre un estrangulamiento en
las cercanas del drenador y
desaparece. La corriente entre
fuente y drenador no se
interrumpe, ya que es debida
al campo elctrico entre
ambos, pero se hace
independiente de la diferencia
de potencial entre ambos
terminales.

PRINCIPIO DE OPERACION
Aplicaciones

El MOSFET es frecuentemente usado
como amplificador de potencia
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia
(HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con
MOSFET de doble puerta.
Diferencias entre un transistor MOSFET
y bipolar
La tecnologa que utilizan es diferente. El MOSFET esta hecho de
metal-xido-semiconductor, y el transistor BJT (bipolar)
normalmente es basado en silicio. En principio ambos sirven para
amplificar y/o switchear una seal, solo que el BJT es controlado
por corriente y el MOSFET controlado por voltaje.
Los MOSFET
generan un nivel
de ruido menor que
los BJT.
Los MOSFET son
ms estables con
la temperatura que
los BJT.
Los MOSFET son,
en general, ms
fciles de fabricar
que los BJT, pues
suelen requerir
menos pasos de
enmascaramiento
y difusiones
La alta impedancia
de entrada de los
FET les permite
almacenar carga el
tiempo suficiente
para permitir su
utilizacin como
elementos de
almacenamiento, a
contrario de los
BJT.

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