EL MOSFET DE

POTENCIA
 Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-xido-
Semiconductor

El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal Oxide

Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo

de portador
Los usados en Electrnica de potencia son de tipo acumulacin

D D
EL MOSFET DE POTENCIA

G G
S S
Canal N Canal P
Conduccin debida Conduccin
a electrones debida a huecos

Los ms usados son los MOSFET de canal N

La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad menores resistencias de canal en conduccin
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Curvas caractersticas del MOSFET

- Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+
VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
EL MOSFET DE POTENCIA

VGS = 4V
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referencias normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH =
2V
- Curvas de entrada:
No tienen inters (puerta aislada del canal)
 Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin

Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
EL MOSFET DE POTENCIA

+
VGS VGS = 2,5V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

(sin inters en electrnica de potencia)

Comportamiento como circuito abierto

 Ideas generales sobre los MOSFETs

Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de
los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin
- Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
EL MOSFET DE POTENCIA

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
 Estructura de los MOSFETs de Potencia

Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente
Algunas celdas posibles

Fuente Fuente Puerta

EL MOSFET DE POTENCIA

Puerta

n+ n+ n+ p
p n-
n-
n+ S
n+ G
Drenador
Drenador Estructura en
trinchera D
Estructura planar
(D MOS) (V MOS)
 Encapsulados de MOSFETs de Potencia

En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los

encapsulados axiales)
Existe gran variedad
Ejemplos: MOSFET de 60V
EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=9,4mW, ID=12A
RDS(on)=12mW, ID=57A

RDS(on)=5,5mW, ID=86A RDS(on)=9mW, ID=93A

RDS(on)=1.5mW, ID=240A
 Encapsulados de MOSFETs de Potencia

Otros ejemplos de MOSFET de 60V

EL MOSFET DE POTENCIA

RDS(on)=3.4mW, ID=90A
 Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia

1 -Mxima tensin drenador-fuente

2 -Mxima corriente de drenador
3 -Resistencia en conduccin
4 -Tensiones umbral y mximas de puerta
5 -Velocidad de conmutacin

1 Mxima tensin drenador-fuente

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a
EL MOSFET DE POTENCIA

la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea
circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
 1 Mxima tensin drenador-fuente

La mxima tensin drenador-fuente de representa como VDSS

o como V(BR)DSS
Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia

Baja tensin Media tensin Alta tensin

15 V
EL MOSFET DE POTENCIA

100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificacin 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
 2 Mxima corriente de drenador
El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua mxima ID
- Corriente mxima pulsada IDM
EL MOSFET DE POTENCIA

La corriente continua mxima ID depende de la

temperatura de la cpsula (mounting base aqu)

A 100C, ID=230,7=16,1A
 3 Resistencia en conduccin

Es uno de los parmetro ms importante en un MOSFET.

Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo
Se representa por las letras RDS(on)
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura
Para un dispositivo particular, decrece con la tensin de
puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.
EL MOSFET DE POTENCIA

Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

 3 Resistencia en conduccin

Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,

RDS(on) crece con el valor de VDSS
EL MOSFET DE POTENCIA
 3 Resistencia en conduccin

En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores

de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V)

MOSFET de 1984
EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de los aos 2000

 4 Tensiones umbral y mximas de puerta
La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conduccin entre drenador y fuente
Los fabricantes definen la tensin umbral VGS(TO) como la tensin
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
EL MOSFET DE POTENCIA
 4 Tensiones umbral y mximas de puerta

La tensin umbral cambia con la temperatura

EL MOSFET DE POTENCIA
 4 Tensiones umbral y mximas de puerta

La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es

tpicamente de 20V
EL MOSFET DE POTENCIA
 5 Velocidad de conmutacin

Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos

usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En
ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento
de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son difciles de
eliminar para que el dispositivo deje de conducir
La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades
EL MOSFET DE POTENCIA

parsitas del dispositivo

Hay, esencialmente tres:
- Cgs, capacidad de lineal D
- Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2 Cdg
- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante
G Cds
S
Cgs
 5 Velocidad de conmutacin

Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de

tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:

- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada)

- Crss = Cdg (capacidad Miller)
- Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)
EL MOSFET DE POTENCIA

D
Cdg D
Cdg
Coss
G Cds
S G Cds
Ciss Cgs S
Cgs
 5 Velocidad de conmutacin
Ejemplo de informacin de los fabricantes
EL MOSFET DE POTENCIA

Ciss = Cgs + Cgd

Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg
 5 Velocidad de conmutacin

La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan

prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin
de los MOSFET de potencia

Carga y descarga de un condensador desde una resistencia

En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
V1 R - Energa almacenada en C = 0,5CV12
EL MOSFET DE POTENCIA

C
En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12

Energa total perdida: CV12 = V1QCV1

Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las

variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia
entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de
conmutacin
 5 Velocidad de conmutacin

Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:

- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento
- Suponiendo diodo ideal
EL MOSFET DE POTENCIA

IL

Cdg

Cds V2
V1 R
Cgs
 5 Velocidad de conmutacin

Situacin de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin
- Por tanto: vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0
iDT = 0 y iD = IL

- En esa situacin, el
interruptor pasa de B a A
IL
EL MOSFET DE POTENCIA

iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
- V2
A - vDS
V1 R + Cds -
B
vGS Cgs
-
 5 Velocidad de conmutacin
iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)

vGS vDS = V2 hasta que iDT = IL

BA
VGS(TO
Pendiente determinada
)
vDS por R, Cgs y por Cdg(V2)
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
 5 Velocidad de conmutacin
La corriente que da V1 a travs de R se
emplea fundamentalmente en descargar
vGS
Cdg prcticamente no circula
BA
corriente por Cgs vGS = Cte
VGS(TO
)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
 5 Velocidad de conmutacin
Cgs y Cdg se continan

vGS V1
BA
Constante de tiempo determinada
VGS(TO por R, Cgs y por Cdg(V1)
)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA

IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg -
+
- +
A vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
 5 Velocidad de conmutacin

vGS V1
BA
VM
VGS(TO Valoracin de prdidas entre t0 y t2:
) - Hay que cargar Cgs (grande) y
vDS
descargar Cdg (pequea) VM voltios
- Hay convivencia tensin corriente
entre t1 y t2
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT iDT
IL

iDT
Cdg + + +
t0 t1 t2 t3
- -
PVI vDS V2
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
 5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas entre t2 y t3:
vGS V1 - Hay que descargar Cds hasta 0 e
BA invertir la carga de Cdg desde V2-VM
VM
VGS(TO hasta -VM
) - Hay convivencia tensin corriente
vDS
entre t2 y t3

iCdg+iCds+IL
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT iCdg iDT = IL

IL
iCds
Cdg + + +
t0 t1 t2 t3
- IL
PVI - vDS
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
 5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas a partir de t3:
vGS V1 - Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg
BA
VM hasta V1
VGS(TO
- No hay convivencia tensin
)
vDS corriente salvo la propia de las
prdidas de conduccin
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT iCdg iDT = IL

IL
iL
Cdg -
+
t0 t1 t2 t3
+ IL
PVI vDS
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
 5 Velocidad de conmutacin

Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga

de puerta: vGS
- La corriente que da la fuente V1 es aproximadamente
constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial,
con IV1 V1/R)
- De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado
esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una iV1 Qdg
carga elctrica Qgs
Qgs
- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la
EL MOSFET DE POTENCIA

carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg

- Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg t0 t2 t3
es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg)
- Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R),
Qg
cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg ms rpido ser el
transistor iV1 R
- Obviamente t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 y PV1 =
V1QgfS, siendo fS la frecuencia de conmutacin
V1
 5 Velocidad de conmutacin

Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:

Informacin de los fabricantes

IRF 540

BUZ80 MOSFET de 1984

EL MOSFET DE POTENCIA

MOSFET de los aos 2000

 5 Velocidad de conmutacin

Otro tipo de informacin suministrada por los

fabricantes: conmutacin con carga resistiva

VDS VGS
90%

10%
EL MOSFET DE POTENCIA

td on tr td off tf iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
+
tr : tiempo de subida RG
G vDS
td off : retraso de apagado + S -
+
tf : tiempo de bajada
vGS
-
 5 Velocidad de conmutacin

Otro tipo de informacin suministrada por los

fabricantes: conmutacin con carga resistiva

IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA

iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
+
tr : tiempo de subida RG
G vDS
td off : retraso de apagado + S -
+
tf : tiempo de bajada
vGS
-
 Prdidas en un MOSFET de potencia

Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente

vGS

vDS Pcond = RDS(on)iDT(rms)2

EL MOSFET DE POTENCIA

Pconm = fS(won + woff)

iDT

PVI Won Prdidas en conmutacin

Prdidas en
conduccin Woff
 Prdidas en un MOSFET de potencia

Prdidas en la fuente de gobierno

iV1

vGS V1 R

Circuito terico
iV1 Qdg
EL MOSFET DE POTENCIA

Qgs
iV1

t0 t2 t3 V1
Qg
RB
PV1 = V1QgfS
Circuito real
 El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre

todo en MOSFETs de alta tensin

IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA

G
S
 El diodo parsito de los MOSFETs de potencia

El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin

EL MOSFET DE POTENCIA
 Caractersticas trmicas de los MOSFETs de potencia

Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia

EL MOSFET DE POTENCIA

Este fabricante denomina mounting base a la cpsula

y suministra informacin de la RTHja = RTHjc + RTHca