Semana 10 - Circuitos Electronicos

Circuitos Electrónicos
Semana 10
Circuitos Electrónicos
Semana 10
Objetivo de la sesión Temas a desarrollar
Lograr analizar y Transistor de efecto de campo
aplicar parámetros • Definición.
• Características y parámetros del JFET.
importantes del JFET a partir • Canal N y canal P
de hojas técnicas Mosfet
proporcionadas • Canal N (Mosfet de enriquecimiento y
empobrecimiento.
• Polarización canal N.
• Características y aplicaciones.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Es un transistor de 3 terminales que se puede utilizar para múltiples aplicaciones

similares a las de un transistor BJT.
Es un transistor de 3 terminales que se puede utilizar para múltiples aplicaciones

similares a las de un transistor BJT.
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
• La impedancia es mucho más alta que la de los transistores bipolares expresadas en

decenas de mega-ohm( MΩ) Z in (alta)
• La ganancia Av es mayor en los transistores bipolares que en los FET.
• Físicamente hablando, es de menor tamaño un transistor FET que un BJT sobre
todo el MOSFET INCREMENTAL.
• Los transistores FET son más estables a la temperatura que los BJT.
A diferencia de los BJT que funcionan controlados por corriente estos son

controlados por voltaje, para el caso de los FET dependerá de la corriente de
drenador Ids en función de un voltaje de control VGs
ESTRUCTURA FÍSICA
IMPORTANTE:
A diferencia de los BJT que funcionan controlados por

corriente estos son controlados por voltaje, para el caso de
los FET dependerá de la corriente de drenador Ids en
función de un voltaje de control VGs
MAGNITUDES DE LOS JFET
Tres magnitudes para analizar comportamiento: ID, VDS y VGS (t. control)

• Funcionamiento adecuado: dos uniones PN
• Canal N: VGS < 0. Canal P: VGS > 0
• Portadores de carga de fuente hacia drenador, generan ID
• Corriente IG =0. Por tanto: IS= ID
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Polarización del JFET
Antes de empezar a analizar circuitos de polarización con transistores de efecto de

campo es importante tener en cuenta unas consideraciones de análisis para la
resolución de circuitos y son las siguientes:
1- No se puede aplicar un voltaje directo entre drenador y fuente ya que en su punto
de operación habrá inestabilidad entre los valores de corriente drenador fuente y
voltaje compuerta fuente por efectos de la temperatura el punto de operación será
inestable
2- Si se va a polarizar a través de compuerta lo ideal es que sea negativo o cero.
3 algunos de los montajes o configuraciones de los transistores bipolares no
funcionan para los transistores de efecto de campo y viceversa.
Polarización del JFET
Ejemplos
Si la corriente del drenador es 3mA en la ¿Cuál es el valor de Vgs ? ¿Cual es el valor de Vd? Cual es el
de Vds?
Si circulan 3mA por la resistencia de la fuente o source, el voltaje a través del
resistor de la fuente es:
V_s=Is ∗Rs→3mA x 1kΩ=3V
Procedemos a calcular el voltaje Vgs el cual es negativo y debería serlo por las
consideraciones explicadas anteriormente
V_gs=Vg-Vs →0V-3V=-3V
La terminal de la fuente no está aterrizada por lo tanto el voltaje del drenador a la
fuente V_DS es diferente del voltaje drenador a tierra V_D el voltaje de drenador a
tierra es:
V_gs=Vcc-Id(Rd) →15V-3mA x 2.2kΩ=8.4V
el voltaje de drenador-fuente es:
V_ds=Vd-Vs →8.4V-3V=5.4V
TRANSISTORES MOSFET
MOSFET- TIPO DE EMPOBRECIMIENTO
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar

señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales,
MOSFET- TIPO DE EMPOBRECIMIENTO
La corriente que fluye por el transistor

ingresa por el surtidor (fuente), este la
conduce por un sustrato (región tipo p) que
es un canal angosto hasta llegar al drenador
(tipo n).
A la izquierda, hay una compuerta metálica

llamada graduador (aislante). Por ser
aislante, la corriente en el graduador es
despreciable.
MODO DE EMPOBRECIMIENTO
El transistor MOSFET efectúa el proceso anterior; VDD conduce los

electrones del surtidor al drenador a la izquierda del sustrato tipo P.
La tensión del graduador puede regular la corriente que pasa por el canal.
CURVAS DE DRENADOR:
Las curvas de la parte superior son de voltaje

VGS positivo mientras que las inferiores son
de voltaje VGS negativo. La ultima curva es la
de VGS (apag); esta indica que la corriente de
drenador es aproximadamente cero.
Cuando esta el voltaje entre VGS (apag) y cero

esta en modo de operación de
empobrecimiento.
POLARIZACION DE MOSFET DEL TIPO DE EMPOBRECIMIENTO
Se establece un punto Q en
Vgs=0, por lo tanto, una señal de
CA que entra por el graduador
produce variaciones arriba y
abajo del punto Q.
Es una ventaja cuando Vgs=0
porque así se puede polarizar y se
puede utilizar este circuito en
donde el graduador y el surtidor
no necesitan voltaje.
CUATRO VENTAJAS Y APLICACIONES
1. Amplificar señales pequeñas casi igual como los transistores JFET.

2. Si la impedancia de entrada de un JFET no es suficientemente alta se
puede utilizar un MOSFET.
3. Un transistor MOSFET es un amplificador separador casi ideal porque
el graduador aislado significa que la resistencia de entrada se
aproxima a infinito.
4. Excelentes propiedades de bajo ruido.
TIPOS DE MOSFET: MOSFET- TIPO DE ENRIQUECIMIENTO
Este tipo de MOSFET se usa en

microprocesadores y memorias de
computadores (funciona como
interruptor).
Para obtener corriente de drenador,

se tiene que aplicar un voltaje
positivo en el graduador compuerta.
FORMACION DE LA CAPA DE INVERSION
El sustrato se extiende hasta el oxido de silicio. Ya no hay un canal tipo N

entre el surtidor y drenador; por consecuencia, entre los dos terminales no
habrá flujo de corriente hasta llegar a un voltaje determinado.
Un voltaje positivo en el graduador atrae electrones libres dentro del
sustrato tipo P. Estos se unen con algunos huecos adyacentes al oxido de
silicio.
Cuando el voltaje en el graduador es lo suficientemente positivo, todos
los huecos cercanos al oxido de silicio se llenan por lo que ahora pueden
fluir los electrones del surtidor al drenador.
CURVAS DE DRENADOR:
La curva mas baja es la curva de VGS (th). Cuando VGS es menor que
VGS (th) , la corriente de drenador es extremadamente pequeña. Cuando
VGS es mayor que VGS (th), fluye una corriente considerable, cuyo valor
depende de VGS.
RT1(1)
+88.8
Amps
DRENAJE
MOSFET CANAL N
Q9
GATE
R5 IRFZ44ZL +88.8
R1 +88.8 Volts
10k 10k µA
+88.8
SURTIDOR
Volts
R2 Q1 La activacion del MOSFET depende del VOLTAJE V GS
1 470
BC548
POLARIZACION DE MOSFET DEL TIPO DE ENRIQUECIMIENTO
Con un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene que ser mayor
que VGS (th) para obtener corriente. Esto elimina la auto polarización, la
polarización por corriente de surtidor y, la polarización cero, ya que todas
ellas operan en el modo de empobrecimiento.
Polarización MOSFET
Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con las

siguientes polarizaciones:
1. Polarizacion con graduador.

2. Polarizacion por divisor de voltaje (tensión).
3. Retroalimentación de drenador: compensa cambios en
las características de los FET.
• “Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razón, VD (enc)
decrece.
En resumen:
La polarización cero trabaja solo con los MOSFET de tipo de

empobrecimiento.
La polarización por retroalimentación de drenador trabajan con MOSFET
del tipo de enriquecimiento.

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Lograr analizar y Transistor de efecto de campo

Es un transistor de 3 terminales que se puede utilizar para múltiples aplicaciones

Es un transistor de 3 terminales que se puede utilizar para múltiples aplicaciones

• La impedancia es mucho más alta que la de los transistores bipolares expresadas en

A diferencia de los BJT que funcionan controlados por corriente estos son

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Antes de empezar a analizar circuitos de polarización con transistores de efecto de

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar

La corriente que fluye por el transistor

A la izquierda, hay una compuerta metálica

El transistor MOSFET efectúa el proceso anterior; VDD conduce los

Las curvas de la parte superior son de voltaje

Cuando esta el voltaje entre VGS (apag) y cero

1. Amplificar señales pequeñas casi igual como los transistores JFET.

Este tipo de MOSFET se usa en

Para obtener corriente de drenador,

El sustrato se extiende hasta el oxido de silicio. Ya no hay un canal tipo N

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La polarización cero trabaja solo con los MOSFET de tipo de

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