Notation complexe des grandeurs électriques

• A une différence de potentiel sinusoïdale : ω est la pulsation

u(t) = Umax × sin( 2 π F t + φ ) est associée le nombre complexe U propre du signal ;
elle s ‘exprime en
ou encore radian par seconde
(rad.s-1)
u(t) = Umax × sin( ω t + φ ) avec ω = 2 π F

• U représente l’amplitude de u(t)

• Argument de U ou Arg U représente
la phase de u(t) à la date t = 0. Il est
Ueff = Umax
noté φ. 2

Valeur Crête
à crête

F=1
T

F s’exprime en Hertz (Hz)

T s’exprime en seconde (s)
• A une intensité de courant sinusoïdale :
i(t) = Imax × sin( 2 π F t + φ ) est associée le nombre complexe I
• I représente l’amplitude de i(t)
• Argument de I ou Arg I représente la phase de i(t) à la date t = 0.

• L’impédance complexe Z d’un dipôle passif est définie par :

U
Z=
I

Pour vous entraîner :

• Rappels mathématiques sur les nombres complexes :
1) Un nombre complexe Z peut s’écrire sous la forme : Exercice 1 TD n°1

Z = a + j.b

b est la partie imaginaire du

a est la partie réelle du nombre complexe
nombre complexe

1
RQ : Cette écriture de Z est appelée l’écriture cartésienne ; il en existe une autre, appelée écriture
trigonométrique, notée Z = Z × ( cos φ + j.sin φ ) = Z ej.φ que vous étudierez plus tard. Son intérêt est de
simplifier encore les calculs.
En électronique
2) module et argument. Z est la valeur
a-Module. Le module de Z est le nombre Z définit maximale du signal
par : sinusoïdal.

Z = Z = a² + b²
En électronique
b-Argument. L’argument de Z est le nombre φ définit ArgZ est la phase du
par : signal sinusoïdal.

b
Arg Z = φ tel que tan φ =
a

3) propriétés des opérations entre nombres complexes

a- L’addition.
Soient Z1 = a1 + j.b1 et Z2 = a2 + j.b2
alors
Z1 + Z2 = ( a1 + a2 ) + j ( b1 + b2 ) Pour vous entraîner :

Pour additionner deux nombres complexes , on: Exercice 2 ; 3 TD n°1

-additionne les parties réelles

-additionne les parties imaginaires.

b- La multiplication. Pour vous entraîner :

• On utilise les propriétés du développement d’un produit par rapport
à une somme ou une différence établies dans IR. ( à éviter en Exercice 4 ; 5 TD n°1
électronique)
• On utilise les propriétés du module et de l’argument suivantes :
Z1 × Z2 = Z1×Z2
Arg ( Z1 × Z2 ) = Arg ( Z1 ) + Arg ( Z2 )

c- La division.
On utilise les propriétés du module et de l’argument d’un nombre complexe

Z1 Z  Pour vous entraîner :

 = 1
Z2 Z2
Z1 Exercice 6 , 7 TD n°1
Arg ( ) = Arg ( Z1 ) - Arg ( Z2 )
Z2

2
Tant que les circuits ne comprennent que des éléments résistifs, les relations entre différences
de potentiel et intensités de courant sont linéaires ou affines.
Il n’en est plus de même quand ils comportent des éléments capacitifs ou des
éléments inductifs. Rappelons à cet effet, les définitions suivantes (qui ne sont pas à connaître
au niveau du B.E.P ):
•

u=+R×i

1⌠
u=+ i dt
C⌡
qa = C × u
• Où : du
I=C
dt
di
u=+L×
dt

• Pour tout régime de fonctionnement, à chaque valeur de la date :

A B C D
Dipôle D1 Dipôle D2 Dipôle D3

uAD = uAB + uBC + uCD

Toutes ses relations sont toujours vraies en valeurs instantanées quelque soit la nature
du régime de fonctionnement considéré.
Considérons à titre d’exemple, le circuit suivant :

- uAM peut toujours s’écrire : uAM = uAB + uBM

1
ou uAM = ⌡ ⌠ i dt + R.i
C
- En régime sinusoïdal, si le repère est tel que : i(t) = IMAX × sin 2 π F t
1 π
uAM s ‘écrit : uAM = IMAX × sin(2 π F t - ) + R × IMAX × sin 2 π F t
2πFC 2

3
• uAM , somme de 2 fonctions sinusoïdales, de même fréquence, F, est une fonction
sinusoïdale de fréquence F.
• uAM est de la forme : uAM = UMAX × sin( 2 π F t + φ )

Par conséquent, il faudrait effectuer la somme des 2 termes :

1 π
× sin(2 π F t - ) et R × sin 2 π F t
2πFC 2
pour pouvoir déterminer UMAX et φ

Afin d’éviter d’avoir à effectuer une telle somme de fonctions sinusoïdales, on fait
correspondre à une grandeur sinusoïdale un nombre complexe ; à une somme de grandeurs
sinusoïdales est donc substituée une somme de nombres complexes.

1- Grandeurs sinusoïdales

• A la grandeur sinusoïdale écrite sous la forme générale :

u(t) = UMAX × sin( 2 π F t + φ )
est associé le nombre complexe :
U
• L’amplitude de u(t) est représentée par le module de U : U
• La phase φ de u, à la date t égale à o est représentée par l’argument
de U.

à u(t) = UMAX × sin( 2 π F t + φ ) est associé : U

à UMAX correspond : U
à φ correspond : argument de U
On note :
u(t) = UMAX × sin( 2 π F t + φ ) U ( U ; φ )

• A la somme des différences de potentiel sinusoïdales : uAM = uAB + uBC + uCm

Correspond la somme des nombres complexes : UAM = UAB + UBC + UCM

2- Impédance complexe d’un dipôle passif

• Quelle que soit la nature du dipôle passif (résistif, capacitif,

inductif,….), on appelle impédance complexe Z du dipôle le
quotient de UAM par I, si I est le complexe associé à l’intensité
sinusoïdale i, du courant circulant de A vers B, dans le dipôle
passif.
• Z peut s’écrire :
• Sous forme trigonométrique : Z = Z ( cos φ + j sin φ )
• Sous forme algébrique : Z = a + j.b
U
• Z valant AM, le module de Z est le quotient des modules de UAM
I
et de I
4
 UAM
• Z valant , le module de Z est le quotient des modules de UAM et de I :
I
UAM
Z =
I

• L’argument de Z est la différence des arguments de UAB et de I :

Arg Z = Arg UAM – Arg I

3-Impédance complexe d’un dipôle passif

a- Le dipôle résistif.

ZR = R
φR = 0°

Modélisation
en nombre
complexe

b- Le dipôle capacitif.

1 j
ZC = =-
jCω Cω
π
φC = - 90° = -
2

Modélisation
en nombre
complexe

5
 c- Le dipôle inductif.

ZL = jLω
π
φL = 90° =
2

1- Dipôles résistif et capacitif :

Les deux éléments sont associés en série.
( Schéma page suivante )

• L’impédance Z de ce dipôle est définie par la relation : …………………………………..

• Le module de Z, exprimé en ohms, vaut : ……………………………………

……………………………………
……………………………………
……………………………………

Le module de l’impédance d’un tel dipôle varie en fonction de ……………………………

• L’argument de Z est tel que la tangente de l’argument de Z est égale à : …………………

Soit tan (Arg Z ) =…….

3- Dipôles résistif et capacitif :

Les deux éléments sont associés en dérivation.
(Schéma page suivante)

• L’impédance Z de ce dipôle est définie par la relation : …………………………………..

…………………………………..
……………………………………

• Le module de Z, exprimé en ohms, vaut : ……………………………………

……………………………………
……………………………………
……………………………………

Le module de l’impédance d’un tel dipôle varie en fonction de ……………………………

• L’argument de Z est tel que la tangente de l’argument de Z est égale à : …………………
Soit tan (Arg Z ) =…….

6
Association

série

Association en

dérivation

7
 4- Exercice d’applications

Nous nous proposons de démontrer que :

-L’amplitude et la phase φ de vs pout t = 0 dépendent de la fréquence.

• Nous élaborerons ensuite l’expression de la relation entre les dates t et vs pour les
valeurs suivantes de la fréquence ; F1 = 3200Hz ; F2 = 320 Hz ; F3 = 32Hz
Et tracerons, dans un même repère, les représentations graphiques des
relations qui, à la date t, associent ve et vs.

• Le repère est tel que ve est égal à 10 × sin 2 π F t (en volts) :

• L’amplitude de ve est de 10 volts ; elle est indépendante de la
fréquence ;
• La fréquence, F de ve varie ; F prend, entre autres, les valeurs F1 , F2 et
F3.
• R vaut 5 kilo ohms.
• C vaut 0,1 microfarad

• A l’amplitude de vs est associée le module de Vs.

• A la phase de vs, à la date t égale à 0, est associée l’argument de Vs.
• Avant de déterminer Vs et argument de Vs, il est nécessaire d’exprimer Vs en fonction
de Ve dont les caractéristiques sont données.