TP 2 - Étude Du Transistor À Effet de Champ: GS DS

IFIPS 1ère année Electronique Analogique
Département électronique
TP 2 - Étude du transistor à effet de champ

Remarques préliminaires :
1- Dans ce TP nous utilisons un JFET c'est à dire un transistor à effet de champ à jonction et
non pas un MOSFET qui possède une grille isolée. En effet, les transistors MOS sont rares en
éléments discrets pour un fonctionnement en amplificateur car ils sont très fragiles
électrostatiquement. C'est pourquoi nous sommes obligés d'utiliser des JFET canal N qui ont
des caractéristiques courant-tension similaires à celles d'un MOSFET à canal N normally on,
excepté qu'ils ne supportent pas une polarisation positive sur la grille.
La polarisation d’un JFET canal N est donc :
VGS < 0 et VDS > 0
2 - Il est rappelé que tout composant a des conditions limites de fonctionnement et des
performances moyennes données par le constructeur : avant tout usage d' un composant (diode
ou transistor) il est donc indispensable de se reporter aux fiches constructeur (cf classeur en
salle de TP).
I- Étude du transistor sur la plaquette de test (J-FET canal n 2N4416)

1- Tracé point par point des caractéristiques Id = f (Vds ) à Vgs = Cte
Préparation : Concevoir un montage en source commune, à deux alimentations continues

indépendantes (attention aux polarités de grille et de drain), qui permette de tracer ce
réseau. L'appareil de mesure est l' oscilloscope pour déterminer Id aussi bien que Vds; quelle
contrainte cela introduit-il quant aux caractéristiques d'
une au moins des alimentations ?
Mesures : Réaliser le montage et relever sur du papier millimétré 3 ou 4 caractéristiques à

partir de Vgs = 0 jusqu'
à Vgs = VT (valeur de Vgs pour laquelle le transistor est bloqué).
Exploitation des résultats : Déduire de ce réseau et tracer sur la même feuille (que l'
on aura
préparée en conséquence) la caractéristique de transfert Id = f'(Vgs ) pour Vds = Cte
(caractéristique de transfert statique); on prendra Vds = 10V
- Déterminer Idss et VT
- Evaluer ro (résistance dynamique de sortie), pour chacune des caractéristiques tracées,
autour de Vds = 10V
- Déterminer la transconductance gm pour différentes valeurs de Vgs
2- Étude de la caractéristique de transfert Id = f' (Vgs ) à Vds = Cte
Préparation : Est-il possible de modifier le montage précédent de façon à tracer, directement

à l'
oscilloscope, en respectant les polarités requises pour les tensions de drain et de grille, la
caractéristique désirée ? On étudiera deux cas : un premier cas pour lequel la source de
tension est isolée du secteur et un second cas lorsque la source impose la masse du secteur.
1
Mesures : Réaliser le montage et visualiser la caractéristique de transfert dans les conditions
optimales : déduire Idss et VT et les comparer aux valeurs obtenues précédemment. Faire
varier les paramètres qui nous écartent de la caractéristique de transfert statique et observer
les déformations de la courbe visualisée.
3- Étude d'un montage amplificateur à source commune :
a - Etude de la polarisation du montage
Soit le montage proposé sur la figure suivante :
E
avec
RD
C1
E = 22V
G D
S RD = 2,2k:
Rg = 1M:
Rs Cs VS
Ve Rg Cl = 0,47 ou 1 µF
Préparation :
- Quels sont les rôles des capacités CS et C1 dans ce montage ? Dans l' étude de la polarisation
est-il nécessaire de prendre en compte les condensateurs C1 et CS ?
- Ce montage ne comporte qu' une source de polarisation, la polarisation de la grille étant
assurée par la résistance RS. Quel est le rôle de la résistance Rg ?
- Tracer la caractéristique de transfert statique en utilisant les données moyennes du
constructeur pour le composant utilisé (Idss = 10 mA ; VT=- 3 V) et en supposant que la
courbe est bien représentée par la fonction : Id = Idss ( 1 - Vgs / VT )2
- Choisir un point de polarisation tel que Ido = Idss / 2 (dans la partie quasi-linéaire de la
caractéristique de transfert) ; en déduire Vgso et la transconductance gmo au point de
polarisation
- Calculer RS de façon à assurer ce point de fonctionnement ; en déduire Vdso
Manipulation :
- Adapter les valeurs numériques pour les composants en confrontant votre courbe théorique
aux mesures effectuées aux questions précédentes 1 et 2.
- Réaliser le montage.
- Caractériser le point de polarisation par des mesures convenables.
2
c - Etude en petits signaux
Préparation :
- A partir de quelle fréquence la capacité C1 peut-être assimilée à un court circuit compte tenu
de sa valeur indiquée ci-dessus ? On considèrera dans cette question que la sortie du montage
attaque une résistance de charge de 1 M:.
- Faire le schéma équivalent petits signaux du montage dans la bande passante ; calculer les
expressions théoriques de l' amplification en tension Av, de l' impédance d' entrée et de
l'
impédance de sortie de ce montage, donner leurs valeurs numériques (on supposera ro
infinie, r0 étant la résistance de sortie du transistor).
- On veut tenir compte de la présence de CS :

- donner l' expression de Av dans ces conditions
- tracer les variations avec la fréquence de G(Z) = 20 log |Av|
- en déduire la valeur de CS qui permet d' obtenir une fréquence de coupure basse du
montage de 300Hz
Manipulation :
- Dans la bande passante, mesurer le gain en tension, les impédances d'

entrée et de sortie ;
caractériser la bande passante du montage. Conclusion.
b - Etude en grands signaux
Manipulation :
- Choisir une fréquence de travail dans la bande passante. En utilisant un signal sinusoïdal,
augmenter progressivement l' amplitude du signal jusqu' à observer les différentes
déformations du signal de sortie.
- Comment interprétez vous ces déformations en vous basant d' une part sur les
caractéristiques relevées du composant et d'autre part sur la structure d'
un JFET rappelée sur
la figure suivante.
Drain Grille Source
N+ P+ N+
P canal N P
substrat P Métal
Structure d’un JFET en technologie planaire
- Afin de protéger le composant à quel emplacement sur le montage peut-on placer une
résistance supplémentaire ?

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TP 2 - Étude du transistor à effet de champ

La polarisation d’un JFET canal N est donc :

VGS < 0 et VDS > 0

I- Étude du transistor sur la plaquette de test (J-FET canal n 2N4416)

Préparation : Concevoir un montage en source commune, à deux alimentations continues

Mesures : Réaliser le montage et relever sur du papier millimétré 3 ou 4 caractéristiques à

2- Étude de la caractéristique de transfert Id = f' (Vgs ) à Vds = Cte

Préparation : Est-il possible de modifier le montage précédent de façon à tracer, directement

3- Étude d'un montage amplificateur à source commune :

a - Etude de la polarisation du montage

Soit le montage proposé sur la figure suivante :

- On veut tenir compte de la présence de CS :

- Dans la bande passante, mesurer le gain en tension, les impédances d'

b - Etude en grands signaux

Structure d’un JFET en technologie planaire

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