USTHB / FEI / 3ème année Licence – Télécommunications / Section A

Hyperfréquences II (TEL602) : Examen

 
-Exercice 1 : 4Pts
On donne le circuit équivalent d’un transistor bipolaire en
émetteur commun.
Déterminer sa matrice de répartition en fonction de ZE, B
et Rs.

Exercice 2 : 4Pts
1. On donne les paramètres de répartition d’un quadripôle Q (Z0=50Ω) : S11=0.25∠-94°,
S12=0.97∠-30.77°, S21=0.97∠-30.77°, S22=0.25∠-147°.
Montrer qu’il est réciproque et sans pertes.
2. On place une ligne de transmission sans pertes à l’accès (2) du quadripôle. Les mesures de ce
système donnent : S’21=0.97∠-50.77°.
Déterminer la longueur de la ligne par rapport à la longueur d’onde, si l’impédance
caractéristique de la ligne Z0=50Ω.

Exercice 3 : 4Pts
Soit les paramètres S d’un transistor à f= 900MHz : S11=0.85∠-30°, S12=0.05∠120°, S21=3.5∠140°,
S22=0.75∠-60° avec Z0=50Ω.
1. Vérifier que le transistor est conditionnellement stable à cette fréquence.
2. Ce transistor est alimenté par une source ayant une impédance de 100Ω, et il est chargé par 50Ω.
Montrer que ce transistor reste stable dans ce circuit pour f= 900MHz.

Exercice 4 : 7Pts
On donne la matrice de répartition et les paramètres de bruit d’un transistor à la fréquence 6GHz :
0.674∠ 30° 0.075∠120° Γ 0.575∠138°
1.74∠36.4° 0.6∠ 92.6°
2.2 6.64Ω 50Ω
Ce transistor est inconditionnellement stable à 6GHz et le facteur de Rollet =1.28. On donne les
coefficients de réflexion pour l’adaptation simultanée ГSM=0.8∠161°, et ГLM=0.75∠106°.
1. Expliquez la notion d’adaptation simultanée.
2. Calculer le gain de l’amplificateur dans le cas de l’adaptation simultanée.
3. Calculer le facteur de bruit de l’amplificateur dans ce cas.
On veut réaliser un amplificateur avec un facteur de bruit minimum.
4. Sur quel type de bruit faut-il agir et quelle est sa source ?
5. Trouver dans ce cas, l’impédance de la source et l’impédance de la charge.
6. Dans ce cas est ce que l’entrée du transistor est adaptée ? Justifier
7. Calculer le gain de cet amplificateur.

La présentation de la copie : 1Pt

| | | |
On donne :
| |
|S |
| |
; 4
| |

S. LABANDJI 1/1 28/05/2016

 
  
 
Exercice 1 (5pts)

On adapte l’accès (2) (a2=0) :

⁄ ⁄
1) ⁄ ⁄

⁄
2) ⁄ ⁄

2 2
∎ 21 ∶ ⁄
1 1 0⁄

∶ ⁄
⁄
⁄ ⁄ , ∎ ∶
1 ⁄
2 ⁄
1 ⁄ 1 ⁄

On adapte l’accès (1) (a1=0) :

⁄
3) ⁄
: 0 0 ⇒ 0

⁄ ⁄
4) ⁄ ⁄

Finalement ∶

0
2 ⁄
1 ⁄ 1 ⁄

2 
 
  
 
 

Exercice 2 (4pts)
1)
∶ 0.97∠ 30.77°

∗ 1 0
∶
0 1
∗ 0.25∠94° 0.97∠30.77° 0.25∠ 94° 0.97∠ 30.77°

0.97∠30.77° 0.25∠147° 0.97∠ 30.77° 0.25∠ 147°
∗ 1∠0° 0∠0°
∶
0∠0° 1∠0°

Donc ce quadripôle est sans pertes.

2)

′
′ 097∠ 50.77° 2
⇒ 20° 2 ⟹
097∠ 30.77° 180° 36

Exercice 3 (6pts)
1)
∆ ∙ ∙ 0.466∠ 86.26°
1 |∆| | | | | 1 |0.466| |0.25| |0.25|
0.193
2| | 2|0.97 ⋅ 0.97|

1∶ ô   

2)
La stabilité de l’entrée : |Γ | 1 

La stabilité de la sortie: |Γ | 1

Γ 0

100 50
Γ 0.33
100 50

11 ∆Γ
|Γ1 | | 11 | 0.85
1 22 Γ
22 ∆Γ 0.75∠ 60° 0.466∠ 86.26° 0.33
|Γ2 | 0.79
1 11 Γ 1 0.85∠ 30° 0.33

Comme : |Γ | 1 et |Γ | 1, le quadripôle est stable avec 100Ω à l’entrée et 50Ω à la sortie à 900MHz.
3 
 
  
 
Exercice 4 (8pts)

1) On cherche à réaliser l’adaptation entre l’entrée du transistor et la source, simultanément avec

l’adaptation entre la sortie de transistor et la charge. Sachant que dépend de en même temps
que dépend de Γ .
∗ ∗

| |
2) 1 |∆| 0.38∠134° ⇒ |∆| 1⇒ | |
√ 1 11.16 10.45

3)
Γ Γ
4
1 |Γ | 1 Γ

.
6.64 |0.8∠161° 0.575∠138°|
10 4 ∙ 1.92
50 1 0.8 ∙ |1 0.575∠138°|
4) Il faut agir sur le bruit thermique produit en interne par le transistor.
5)
1 Γ
15.3 17.6 Ω
1 Γ
∗ ∗
∗ ∆Γ 0.6∠ 92.6° 0.38∠134° 0.575∠138°
Γ Γ 0.6∠103.9°
1 Γ 1 0.674∠ 30° 0.575∠138°
1 Γ
19 35 Ω
1 Γ
6) L’entrée du transistor n’est pas adaptée dans ce cas, mais optimisée pour minimiser le facteur de
bruit.
7)
1 Γ 1 |Γ |
|S |
1 ΓΓ |1 S Γ |

∆Γ 0.674∠ 30° 0.38∠134° 0.6∠103.9°

Γ 0.75∠ 159°
1 Γ 1 0.6∠ 92.6° 0.6∠103.9°
1 |0.575| 1 |0.6|
|1.74|
|1 0.75∠ 159° 0.575∠138° | |1 0.6∠ 92.6° 0.6∠103.9° |

2.3=3.62dB

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