Série 3- Physique des Solides

Les électrons fortement énergétiques d’un réseau solide (capables de se déplacer dans
tout le solide) sont le principal exemple de fermions c’est à dire de particules obéissant à la
statistique de Fermi-Dirac.
Exercice I
Soit un cristal composé d’un grand nombre de particules N, On fait l’hypothèse que les électrons
" libres " du réseau se comportent comme les particules d’un gaz en mouvement de translation. On
rappelle que le spin d’un électron, à un même niveau d’énergie, peut prendre deux valeurs. Un état
d’énergie Ei caractérisé par un ensemble complet de nombre quantiques, ne peut être occupé que par
un seul électron.

1) Rappeler l’expression de la probabilité de présence f (E) d’un électron dans un niveau

d’énergie E du cristal à la température T.
2) Donner la valeur de cette probabilité à T= 0K, pour E<E f et pour E> Ef (Ef étant le niveau
fermi)
3) Représenter l’allure de f (E) en fonction de l’énergie E à T=0 et à T>0K.
4) Donner une définition du niveau de Fermi Ef, à partir de l’expression de f (E)
5) Conclure sur la façon de remplir les différents niveaux d'énergie (on distinguera le cas des
isolants, des conducteurs et des semi-conducteurs).

Exercice II 
On donne : les caractéristiques du Silicium à T=300K (KBT0= 1/40 eV)
Eg = 1.12 eV ; Nc= Nv= 2.5 10 19 cm-3 ; μn = 1200cm².V-1.S-1 et μp= 300cm².V-1.S-1.

Constante de Boltzmann KB= 8.6 10-5 eV.K-1 =1.38 10-23 j.K-1 ; 1 eV= 1.6 10-19j.

Exercice 2 

On considère un échantillon de silicium de type P, de résistivité  = 5 .cm

Calculer à la température ambiante T0 :

1) La concentration du dopage NA.

2) La position du niveau de Fermi E f par rapport à la bande de valence, par rapport à la bande de
conduction et par rapport au niveau de fermi intrinsèque E fi.
3) Le dopage nécessaire NA pour que le niveau de fermi soit situé à 0.35eV au dessus de la bande
de valence.
4) On porte l’échantillon à une température T1= 227°C, calculer :
a) La concentration des porteurs majoritaires et minoritaires
b) La position du niveau de Fermi par rapport à la bande de valence, sachant que K BT1= 43
10-3 eV.

Exercice 3:
On considère un échantillon de silicium de type N de longueur L= 0.4 cm et de sections S=10 -2 cm². Sa
résistance à la température ambiante T0 est R=200  .
1) Calculer à température ambiante :
a) La résistivité  du silicium
b) Le dopage du silicium ND
 c) La position du niveau de Fermi Efn par rapport à la bande de conduction, par rapport à la
bande de valence et par rapport au niveau de fermi intrinsèque E fi
d) La densité des porteurs majoritaires et minoritaires
2) On porte l’échantillon à une température T1= 227°C, calculer
a) La densité des porteurs majoritaires et minoritaires
b) La position du niveau de Fermi par rapport à la bande de valence
c) Le dopage nécessaire ND pour que le niveau de fermi soit situé à 0.2 eV au dessous de la
bande de conduction.

Correction Série 3- Physique des Solides

Exercice 1 :
1
f (E) 
 E  Ef 
1  exp  
 1)  kT 

2)

 Pour  ,   si   et   si  .

 Pour  ,   si   et   si 

3)

4) Le niveau de Fermi : correspond à l'énergie limite qui sépare, au zéro absolu, les
niveaux occupés des niveaux vides. Cette énergie est caractéristique du matériau.

5) Les électrons remplissent les niveaux d’énergie à partir de E=0

Pour  , aucun électron ne peut être à une énergie supérieure à celle de Fermi.

Pour  , quelques électrons peuvent être à une énergie supérieure à celle de Fermi.

La bande de valence  : les électrons qui s'y trouvent participent aux liaisons entre les atomes.
 La bande de conduction : les électrons qui s'y trouvent sont mobiles et peuvent bouger d'un
atome à l'autre si on leur applique un champ approprié, ils participent donc à la conduction
électrique ; c'est le déplacement de ces électrons là qui est responsable du courant
électrique.
La bande interdite ou GAP la gamme d'énergie auxquelles les électrons n'ont pas accès (il n'y
a pas de niveau d'énergie dans cette gamme),.
Energie Energie Energie

Bande de
conduction
EC
Bande de
GAP Bande conduction
interdite Bande de GAP
EV Niveau de Fermi
Bande de conduction Bande de
valence valence

Isolant Métal Semi conducteur

Dans un métal, le gap est nul ; il y a continuité entre les bandes de valence et celles de
conduction, il y a donc toujours des électrons susceptibles de conduire le courant.
Dans un isolant, la dernière bande de valence est pleine, et le gap est énorme : il n'y a donc
aucune chance d'exciter un électron pour qu'il passe dans la bande de conduction (l'énergie
requise est trop importante et ferait fondre le matériau avant qu'il ne commence à
conduire).
Pour les semi-conducteurs, à température nulle (=0 Kelvin) ce sont des isolants : bandes de
valence pleines, et bandes de conduction vides. Mais un apport d’énergie faible
(thermique ou lumineuse) suffit à faire passer des électrons dans la bande de conduction
car le gap est très faible (de l'ordre de l'eV) : le matériau devient ainsi conducteur.

Exercice 2 :
On donne : les caractéristiques du Silicium à T=300K (KBT0= 1/40 eV)
Eg = 1.12 eV ; Nc= Nv= 2.5 10 19 cm-3 ; μn = 1200cm².V-1.S-1 et μp= 300cm².V-1.S-1.
Constante de Boltzmann KB= 8.6 10-5 eV.K-1 =1.38 10-23 j.K-1 ; 1 eV= 1.6 10-19j.

1) Soit un échantillon de silicium type p de résistivité  = 5 .cm

   1/  p   p  p.e.p
 ;
1
p  N A   1/ e. p .    4,16.1015
1.6  10  300  5
19

cm-3
  E f  Ev  
p  N v exp    
  K BT  
2) S.c type P : NA=
N 
E f  E v  K BT.Ln  v   Ev  0.21 eV
 p 
Le niveau de fermi est situé à 0.21 eV au dessus de la bande de valence.
 E c  E v    Eg  1.12 eV
EC= Ev+Eg
EF= Ec- 0.91eV
Le niveau de fermi est situé à 0.91 eV au dessous de la bande de conduction.
E fi  E v  Eg / 2  0.56 eV.

Ef= Efi-0.35 eV ; Le niveau de fermi est situé à 0.35 eV au dessous de niveau de fermi
intrinsèque.

3) Dopage nécessaire pour que EF-EV= 0.35 eV

  E  Ev    0.35 
p  N v exp    f   2.5  10 exp  
19
  2.07 10
13

  K B T    1/ 40 
NA= at/cm3
4) La température passe à T1= 227°C= 500K
a) S.C type P ; les porteurs majoritaires sont les trous : p = NA= 4.16 1015 cm-3
Les porteurs minoritaires sont les électrons ; n = ni²/NA

Nc Nv   E  Ev   3
n²i / N A  exp    c    7.32 10 cm
11

NA   K BT  

b) Position de fermi à 500K, avec KT1=0.043 eV

  E  Ev  
p  N v exp    f 
  K BT1  
On a NA=
N 
E f  E v  K BT1.Ln  v   Ev  0.37 eV
 p 
Le niveau de fermi est à 0.37eV au dessus de la B.V

Exercice n3 :
On donne : les caractéristiques du Silicium à T=300K (KBT0= 1/40 eV)
Eg = 1.12 eV ; Nc= Nv= 2.5 10 19 cm-3 ; μn = 1200cm².V-1.S-1 et μp= 300cm².V-1.S-1.
Constante de Boltzmann KB= 8.6 10-5 eV.K-1 =1.38 10-23 j.K-1 ; 1 eV= 1.6 10-19j.

1) a) Soit un échantillon de silicium type n de résistance R = 200 

          
: Etant la résistivité en Ω.cm,   : La longueur en mètres,   : La section
en cm2, 
= (200*0.01)/0.4 = 5 Ω.cm

b) S.C type n ; n= ND (nbre d’atomes donneurs)

   1/  n   p  n.e.n
 ;
1
n  N D   1/ e.n .    1 1015
1.6 10 1200  5
19

cm-3
  Ec  E f 
n  N c exp    
  K BT  
c) S.c type n : ND=
 Nc 
E f  E c  K BT.Ln    Ec  0.25 eV
 n 
Le niveau de fermi est situé à 0.25 eV au dessous de la bande de conduction.
 E c  E v    Eg  1.12 eV
EC= Ev+Eg
EF= Ev+0.87eV
Le niveau de fermi est situé à 0.87 eV au dessus de la bande de valence.
E fi  E v  Eg / 2  0.56 eV.

Ef= Efi-0.30 eV ; Le niveau de fermi est situé à 0.30 eV au dessus de niveau de fermi
intrinsèque.
d) S.C type n ; les porteurs majoritaires sont les électrons : n= ND= 1015 cm-3
Les porteurs minoritaires sont les trous ; p = ni²/ND
avec KT1= 0.043 eV

Nc Nv   E  Ev   3
p  n ²i / N D  exp    c    2.1 10 cm
4

ND   K BT  

2)
a) S.C type n ; les porteurs majoritaires sont les électrons : n= ND= 1015 cm-3

Les porteurs minoritaires sont les trous ; p = ni²/ND

avec KT1= 0.043 eV

Nc Nv   E  Ev  3
p  n ²i / N D  exp    c    3.4  10 cm
12

ND   K BT1 
 b) Position de fermi à 500K, avec KT1=0.043 eV

  E  E f 
n  N c exp    c 
On a ND=   K BT1  
N 
E f  E c  K BT1.Ln  c   Ec  0.44 eV
 n 
Le niveau de fermi est à 0.44eV au dessous de la B.C
 E c  E v    Eg  1.12 eV
EC= Ev+Eg
EF= Ev+0.68eV
Le niveau de fermi est à 0.68eV au dessus de la B.V
c) ND ? pour que EC-EF= 0.2 eV

  Ec  E f    0.2  
n  N c exp       2.5 10 exp   
19
   2.3810
17

On a ND=   K BT1    0.043   at/cm3