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CHAPITRE 2 SEMI-CONDUCTEURS

2.1) Structure de l’atome

L’atome est constitué d’un noyau autour duquel gravitent des électrons de charge électrique -q négative
(- 1.6 10-19 Coulomb). Le noyau contient deux types de particules :
 Les neutrons qui ne sont pas chargés
 Les protons qui portent une charge électrique + q.
L’atome étant électriquement neutre, le nombre de protons est égal au nombre d’électrons. Les électrons
d’un atome gravitant autour du noyau sont assujettis à occuper des niveaux d’énergie discrets E1, E2... En,
définissant chacun une couche électronique.

Fig. 2.1 : États énergétiques des électrons d’un atome isolé et structure d’un atome

Plus le niveau est élevé, plus la couche qui lui correspond est éloignée du noyau. Si l’on choisit
comme origine énergétique (E = 0 eV), toutes les valeurs des niveaux d’énergies En sont négatives (1 eV
représente 1.6 10-19 Joule).
Cela se traduit par le fait qu’il faut produire un travail pour éloigner un électron.
On distingue :
 Les électrons internes qui occupent les premières couches. Ils sont alors très fortement liés au noyau
 Les électrons de valence (ou périphériques) qui occupent la couche la plus externe. Ces électrons de
valence sont peu liés au noyau.
Considérons un atome de silicium qui possède 14 électrons (Z = 14). Ces électrons sont répartis sur trois
couches électroniques :
K (2 électrons)
L (8 électrons)
M (4 électrons)
La dernière couche (M) est incomplète, elle peut accueillir 4 électrons supplémentaires. En effet, Il faut
savoir que tous les atomes tendent à avoir huit électrons sur leur couche périphérique.

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2.2) États énergétiques des électrons d’un matériau

Les états énergétiques possibles des électrons, par exemple dans le cristal, sont représentés par un
diagramme analogue à celui de l’atome. Mais du fait de l’interaction des atomes entre eux, les niveaux
d’énergie se transforment en bandes d’énergie séparées par des bandes interdites (où il n’y a pas d’états
permis).

Fig.2.2: États énergétiques des électrons d’un matériau

Comme dans le cas de l’atome, le nombre d’électrons susceptibles d’occuper une bande d’énergie
est limité et les électrons du solide comblent en priorité les états d’énergie les plus faibles. Un électron dont
l’énergie est située dans une bande en dessous de la bande de valence est lié à un atome donné du solide. Par
contre, un électron de la bande de valence est commun à plusieurs atomes. La bande située au-dessus de la
bande interdite s’appelle la bande de conduction.
L’électron dont l’énergie se situe dans bande de conduction circule librement dans le solide. C’est un
porteur de charge qui participe à l’écoulement du courant dans le solide lorsque ce dernier est soumis à une
différence de potentiel (qui produit un champ électrique).
Chaque type de matériau présente une hauteur de bande interdite qui lui est propre, cette différence d’énergie,
qui joue un rôle fondamental, permet de distinguer les matériaux isolants, semi-conducteurs et conducteurs.

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 Isolant

Fig.2.3 : Modèle de bande d’énergie pour isolant

La couche périphérique de chaque atome est complète. La bande de conduction est vide à 0K et que le gap
(bande interdite) nécessaire aux électrons pour passer de la bande de valence à la bande de conduction est
important, E de l'ordre de 3 à 15 eV.Dans des conditions normales, très rares sont les électrons de valence
qui reçoivent assez d'énergie pour sauter la zone interdite. Par conséquent, la conductivité des isolants est
très petite.

 Semi-conducteur pur

Fig.2.4 : Modèle de bande d’énergie pour semi-conducteur

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La zone de conduction des semi-conducteurs est séparée, elle aussi, de la zone de valence par une zone
interdite, mais la largeur E de cette dernière est de 0,5 à 3 eV.

A la température 0K, les électrons de valence des semi-conducteurs n'ont pas assez d'énergie pour sauter la
zone interdite et la zone de conduction est vide alors cristal est isolant. Mais quand la température est plus
élevée, une vibration thermique des atomes apparaît et l'énergie de certains électrons de valence devient
assez élevée pour qu'ils se transforment en électrons libres. Ce qui entraineà la création de paires électron-
trou (électrons dans la bande de conduction et trous dans la bande de valence). Par conséquent, la
conductivité des semi-conducteurs est plus grande que celle des isolants.

 Conducteur

Fig.2.5 : Modèle de bande d’énergie pour conducteur

Dans un métal, il existe entre 1022 et 1023électrons libres par centimètre cube quelle que soit la température.
Ainsi un bloc métallique est constitué d'ions positifs fixes et d'un nuage d'électrons libres. Ceux-ci sont
situés dans la partie inférieure de la bande de conduction incomplète. Un champ électrique, aussi faible soit-
il, permet le déplacement de ces électrons, donc l'existence d'un courant électrique. A température ambiante,
la bande de conduction présente une partie commune avec la bande de valence. Autrement dit, les électrons
de valence des conducteurs sont libres et la largeur W de leur zone interdite égale zéro. Par conséquent, la
conductivité des conducteurs est très grande

2.3) Les semi-conducteurs intrinsèques (purs)

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2.3.1) Définition
Les semi-conducteurs (germanium et silicium) possèdent 4 électrons sur leur couche périphérique car ils
appartiennent à la 4° colonne de laclassification périodique des éléments indiquée ci-dessous. Il est possible
de les produire avec un hautdegré de pureté (moins de 1 atome étranger pour 1011 atomes de semi-
conducteur) : on parle alors deS.C. intrinsèque.

3.2.2) Liaison de covalence : semi-conducteur non excite

Considérons un cristal de silicium non excité au zéro absolu (0°K) dans l’obscurité. Afin devoir huit
électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 électrons périphériquesen commun avec
les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de silicium la représentation de la figure 2.6a. C’est la
mise en commun des électrons périphériques, appelée liaison de covalence, quiassure la cohésion du cristal
de silicium. Les électrons qui participent à ces liaisons sont fortement liésaux atomes de silicium. Il
n’apparaît donc aucune charge mobile susceptible d’assurer la circulationd’un courant électrique. Le S.C. est
alors un isolant, en effet la bande de valence est saturée, toutesles places sont occupées alors que la bande de
conduction qui offre des places libres est vide.

Figure 2.6b : situation à T >> 0°K

Figure 2.6a : Situation à T = 0°K, le silicium est Le silicium est un mauvais conducteur
isolant Création d’une paire électron trou

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2.2.3) Ionisation thermique : génération de paires électron-trou

Lorsque la température n’est pas nulle, l’agitation thermique désordonne la configurationprécédente : les
électrons possèdent une énergie supplémentaire positive qui provoque la rupture dequelques liaisons de
covalences (figure 2.6b). Un des électrons participant à cette liaison acquiert ainside l’énergie nécessaire
pour quitter l’atome auquel il était lié. Il devient un porteur de charge libre,capable de se déplacer dans le
cristal, et autorisant ainsi la circulation d’un courant électrique sous unedifférence de potentiel.
Le cristal devient alors un mauvais isolant d’où son appellation de semi-conducteur.
On voit que la perte de l’électron a provoqué un site vacant, ou trou, dans le cristal.
L’atome de silicium qui a perdu un électron n’est plus électriquement neutre : il est devenu un ionpositif,
mais l’ensemble du cristal reste électriquement neutre.Ce phénomène n’intéresse qu’un nombre très faible
d’atomes de silicium (3 sur 1013 à latempérature de 300 °K).

2.2.4) Recombinaison

L’ionisation thermique conduirait, à terme à l’ionisation de tous les atomes de silicium (soit5.1022 atomes
par cm3) si elle n’était compensée par un autre phénomène : les recombinaisons.
En effet, un électron libre, arrivant, lors de son déplacement dans le cristal, à proximité d’un ionpositif peut
être “capturé” par ce dernier afin de satisfaire sa liaison de covalence (trou libre). Laliaison de covalence est
alors rétablie.

Figure 2.7 : Phénomènes de génération thermique et de recombinaison de pairesélectrons trous conduisant

à un équilibre à température constante.

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2.2.5) Concentration ni des porteurs dans le silicium intrinsèque

A température constante, un équilibre s’établit (figure 2.8) entre les phénomènes d’ionisationthermique et de
recombinaison ; les électrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantitéségales. La concentration
en électrons libres n et en trous libres p sont égales à ni la concentrationintrinsèque.
La mécanique statistique montre que la population des porteurs libres (n électrons.cm-3 dans la bandede
conduction et p trous .cm-3 dans la bande de valence s’exprime selon les lois :

Figure 2.8 : populations des porteurs du S.C. intrinsèque et niveau deFermi

Où Nc et Nv sont respectivement la densité effective d’états des électrons dans la bande deconduction
(2,82.1019 cm-3à 300°K pour Si) et la densité effective d’états des trous dans la bande de valence (1,83.1019
cm-3 à 300°K pour Si).
et représentent deux différences d’énergies liées à un niveau dit de Fermi qui indiqueles écarts de
population entre les électrons et les trous.
Pour le silicium pur à 300 K, où p=n=ni, on montre que le niveau indicateur de Fermi EFi est situéau milieu
de la bande interdite
La concentration intrinsèque ni en électrons libres et en trous libres par cm3 dépend de la hauteur debande
interdite EG et de la température T selon la loi :

Concentration intrinsèque du silicium à T= 300°K :ni = 1,45 1010 cm-3

Le silicium intrinsèque a des d’applications pratiques limitées : photorésistance, thermistance.

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Cependant, il est possible en introduisant certaines impuretés en quantité contrôlée, de privilégier untype de
conduction : par électrons libres ou trous libres.

2.4) Semi-conducteurs extrinsèques

Ce sont des semi-conducteurs intrinsèques dans lesquels on a introduit des atomes étrangers qu'on appelle
impuretés ce qui va modifier complètement leurs caractéristiques électriques. Cette opération d'injections
d'impuretés s'appelle dopaged'un semi-conducteur.

2.4.1) Semi-conducteur de type N

On obtient un S.C. de type N en injectant dans le cristal de silicium des atomes qui possèdent
5 électrons sur leur couche périphérique (phosphore ou arsenic de la 5° colonne de la classification).
(Uneproportion ou taux de dopage : un atome d’impureté pour 105 à108 atomes de semi-conducteurs).

Figure 2.9a : libération d’un électron par l’atome de phosphore 2.9b : schéma des bandes

Quatre de ces cinq électrons sont mis en commun avec les atomes de silicium voisins pourréaliser des
liaisons de covalences (figure 2.9a). Le 5° électron, inutilisé, est très faiblement lié à l’atomepentavalent.
Une très faible énergie suffit pour le libérer et il se retrouve “libre” dans la bande deconduction. L’atome de
phosphore qui a fourni un électron libre est appelé atome donneur. Il a perdusa neutralité pour devenir un
ion positif fixe.
A la température ordinaire, la quasi-totalité des atomes donneurs sont ionisés. Si est la concentration des
atomes donneurs, ceux-ci vont libérer électrons libres.
Les concentrations en électrons libres ( ) et en trous libres ( ) sont liées par la loi d’action de masse :

Les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires.

Dans la modélisation du schéma des bandes d’énergie (figure 2.9b), la population des électrons
libres de la B.C. est beaucoup plus importante que celle des trous libres dans B.V..

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Le niveau indicateur se déplace donc du milieu de la bande interdite vers la bande

de conduction de telle manière que :

Remarque : La neutralité globale du semi-conducteur est bien sûr conservée, àchaque électron libre dans le
cristal, correspondant un ion positif d’impureté dans le même cristal.
a) Semi-conducteur de type
On obtient un en injectant dans le silicium des atomes de la 3° colonne (bore,indium) qui possèdent
électrons périphériques.

Figure 2.10a : libération d’un trou par le bore 2.10b : schéma des bandes

Il manque ainsi un électron à l’atome trivalent pour réaliser les liaisons covalentes avec lesquatre atomes de
silicium qui l’entourent (figure 2.10a). En fait, les électrons participant aux liaisonssont indiscernables les
uns des autres. Tout se passe alors comme si un des atomes de silicium voisinavait cédé un électron à
l’atome trivalent de bore, créant ainsi un trou dans le cristal de silicium.
L’atome de bore qui capte un électron est appelé atome accepteur, il a perdu sa neutralité pour devenirun ion
négatif fixe.
A la température ordinaire, la quasi-totalité des atomes accepteurs sont ionisés. Si est la concentration par
cm3 des atomes accepteurs, ceux-ci vont libérer : trous libres.
Les concentrations en électrons libres ( ) et en trous libres ( ) sont liées par la loi d’action de masse :

Les trous sont les porteurs majoritaires et les électrons les porteurs minoritaires.

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Dans la modélisation du schéma des bandes d’énergie (figure 2.10b), la population des électronslibres de la
B.C. est beaucoup plus faible que celle des trous libres dans B.V.. Le niveau indicateur de se
déplace du niveau intrinsèque vers la bande de valence de telle manière que :

CAS GENERAL
Si le silicium a subi plusieurs dopages successifs par injection d’atomes accepteurs de bore etd’atomes
donneurs de phosphore par exemple, la population en électrons libres (n) et en trous libres(p) est encore
donnée par la loi d’action de masse :

Cependant on doit aussi tenir compte de la neutralité électrique du cristal à savoir : charges + (trouslibres et
ions +) = charges - (électrons libres et ions -), qui conduit à une deuxième relation :

On en déduit les expressions des concentrations en porteurs :

Conséquences :
• Si Na >Nd le matériau est de type P par compensation
• Si Nd> Na le matériau est de type N par compensation
• Si Na = Nd le matériau est de type intrinsèque par compensation

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2.5) Conductivité et densité de courant

2.5.1 Cas du conducteur (courant des électrons)
La conduction par champ électrique

Figure 2.11:Conducteur

n, concentration en porteurs (électrons n = 1028/m3)

q, charge de l'électron
µn, mobilité de l'électron
E, champ électrique
2.5.2 Cas du semi-conducteur pur : conduction par champ électrique

Pour le semi-conducteur intrinsèque, il existe deux types de courant : courant des électrons et courant des
trous
Nous avons vu que, pour un conducteur, la densité de courant est définie par la relation :

Pour une concentration n0 d'électrons et p0 de trous, nous avons :

Et comme, dans un semi-conducteur intrinsèque, le nombre d'électrons est égal au nombre de trous, cela
se traduit par (concentration intrinsèque)

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Ce qui donne
2.5.3 Semi-conducteur dopé : par champ électrique JC et par diffusion JD
 La densité du courant de conduction
Pour les électrons et pour les trous, est exprimée respectivement par

, charge des électrons et des trous

mobilité de l'électron et du trou
, nombre d’électrons et de trous
, champ électrique
La densité de courant de conduction totale est :

Dans le cas où la conductibilité est assurée par les charges majoritaires (de 30 K à 500 K), on a :
Pour un matériau de type

Pour un matériau de type

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 La densité du courant par diffusion JD

Le phénomène de diffusion s'effectue chaque fois que la concentration n'est pas uniforme
(opération de dopage, présence d'une jonction pour les diodes, transistors, thyristors, influence de
l'éclairement). Les porteurs de charge se déplacent afin de se répartir uniformément dans le matériau. Ce
déplacement de charges est dû au gradient de concentration.
Considérons un semi-conducteur dopé dont la concentration en électron varie suivant un axe x.
Les porteurs en excès tendent à se donner une concentration uniforme.

Figure 2.12:Le gradient de concentration en électron engendre une diffusion de ces électrons vers la zone
la moins concentrée
La densité de courant de diffusion en un point d'abscisse x est:

est la constante de diffusion.

Il en est de même dans le cas des électrons de concentration p(x) et on a:

La densité de courant par conduction et par diffusion s’écrit alors :

* Pour les électrons

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2.6) Jonction PN
2.6.1) Formation de la jonction PN
Considérons deux barreaux de silicium : l’un dopé P au bore, l’autre dopé N au phosphore. Le bilan des
porteurs libres à une température fixée est indiqué ci-dessous :

Figure 2.13
Imaginons que l’on rapproche les deux barreaux de manière à réaliser leur contact physique au niveau d’une
jonction dite “métallurgique”. On assisterait alors à deux phénomènes se manifestant de part et d’autre de
l’interface :

Figure 2.14a Figure 2.14b

Figure 2.14 : Jonction PN n’est soumise aucune différence de potentiel

• Transitoire de durée très brève (figure 2.14a) à savoir diffusion des trous de la région P vers la région N.
En effet comme les trous sont plus nombreux dans P que dans N, ils vont avoir tendance à diffuser pour
rétablir l’équilibre (idem pour les électrons qui vont diffuser de N -> P).
• Permanent (figure 2.14b), les trous qui ont envahi la région N (où ils ont disparu par recombinaison avec
les électrons majoritaires dans cette région) ont laissés derrière eux des ions fixes de bore ionisés
négativement. De même, les électrons de la région N qui sont passés du côté P ont laissé derrière eux des
ions fixes de phosphore ionisés positivement.

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Ces ions fixes de Bore et de phosphore chargés respectivement - et +, forment de part et d’autre de la
jonction métallurgique, une barrière de potentiel V qui provoque l’apparition d’un champ électrique interne
E0 dans une zone de charge d’espace (Z.C.E.) d’épaisseur W0.
On montre que la hauteur de barrière de potentiel VØ et la largeur W0 de la Z.C.E. sont:

En l’absence d’une polarisation externe, il existe un champ électrique interne E0qui s’oppose au mouvement
des porteurs majoritaires mais qui accélère les minoritaires. Il existe au niveau de la jonction une barrière de
potentiel dont la hauteur est la différence entre les niveaux d’énergie des accepteurs et des donneurs.

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2.6.2) Détermination du courant de la jonction en court-circuit

L’anode et la cathode étant à la masse, la jonction est en court-circuit et son courant doit être nul.

Figure 2.15 : Courants opposés circulant dans la jonction PN en court-circuit

En effet la jonction (figure 2.15) est traversée par deux courants opposés qui s’annulent :

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Schéma de bandes de la jonction PN en court-circuit et barrière de potentiel VØ

On montre que dans un cristal semi-conducteur non soumis à une différence de potentiel et à l’équilibre
thermique, quel que soit son dopage P ou N, les niveaux de Fermi associés, EFp et EFn, restent alignés dans le
schéma de bandes. La figure 2.16, qui représente leschéma de bandes d’une jonction PN en court-circuit,
illustre ce principe.

Figure 2.17
Sachant que les niveaux de Fermi EFp et EFn respectivement associés aux côtés P et N sont alignés, la bande
de conduction du silicium P est plus élevée que celle du silicium N. Il en est de même pour les bandes de
valence. Ceci entraîne la présence d’une différence d’énergie entre ces bandes.

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La variation d’énergie potentielle ∆E d’un électron soumis à une différence depotentiel∆V est:

2.6.3) Jonction polarisée en inverse

Tension Vinv faible : courant inverse de saturation Is
Pour polariser en inverse la jonction, une tension faible Vinv, négative par rapport à la masse est appliquée sur
le semi-conducteur P alors que le semi-conducteur N est la référence des potentiels (figure2.18).

Figure2.18: Jonction PN bloquée : courant inverse de saturation Is

La tension Vinv extérieure appliquée entraîne une augmentation :

 De la hauteur de barrière énergétique entre les régions P et N qui devientq(VΦ + Vinv).
 De l’étendu W(Vinv) de la Z.C.E. :

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Alors, les porteurs majoritaires des régions N (électrons) et P (trous) n’ont plus l’énergie nécessaire pour
sauter la barrière de potentiel aussi, le courant de type b est nul (figure 2.18). La jonction est de ce fait
traversée par le très faible courant de saturation Is(le courant de type a de la figure 2.18). Ce courant, issu
du phénomène d’ionisation thermique du silicium, dépend de la température :

Où A est une constante du matériau.

Capacité de transition CT de la jonction PN bloquée
Nous avons montré que la jonction
-
PN présente +autour de la jonction métallurgique, de deux charges
opposées immobiles : ions Na côté P et ions Nd du côté N. Elle se comporte donc comme un condensateur
CT nommé capacité de transition dont la zone de charge d’espace est le diélectrique (ε0εSi) et les régions N et
P les électrodes :

S représente la section de la jonction et W(Vinv) l’épaisseur de la Z.C.E.

Cette capacité s’exprime aussi :

Où CT0 correspond à Vinv = 0 V.La capacité CT qui dépend de la température a des valeurs typiques
comprises entre 1 et 200 pF.

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Tension inverse élevée, avalanche de la jonction et effet Zener

L'avalanche par multiplication, et le claquage par effet Zener sont les deux processus qui produisent une
augmentation brutale du courant de la jonction polarisée en inverse par une tension suffisante Vz.

Figure 2.19

Un porteur (figure 2.20) de la Z.C.E. d'origine thermique, appartenant donc à Is descend la barrière de
jonction et acquiert de l'énergie cinétique du potentiel Vinv appliqué. Ce porteur qui entre en collision avec
un ion silicium peut rompre une liaison de covalence. Outre le porteur initial, il existe maintenant une
nouvelle paire électron trou. Ces porteurs peuvent tirer assez d'énergie du champ appliqué, entrer en
collision avec un autre ion et créer d’autres paires électrons trous. Cet effet cumulatif est appelé avalanche
par multiplication. Il donne un grand courant inverse, on dit que la jonction est dans la région de claquage
par avalanche.
Un autre phénomène lié à un champ électrique intense conduit à la même situation : effet Zener. Ici
le champ électrique élevé exerce une force suffisante pour extraire des électrons de leurs liaisons de
covalence créant alors des paires électrons trous qui augmentent aussi le courant inverse.

Figure 2.20
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2.6.4Jonction PN polarisée en direct

Pour polariser la jonction dans le sens passant, une tension V direct positive par rapport à la masse est
appliquée sur le semi-conducteur P alors que le semi-conducteur N est la référence des potentiels (figure
2.21). La tension extérieure Vdirect entraîne une diminution :
 De la hauteur de barrière énergétique entre les régions P et N qui devient q(VΦ – Vdirect).
 De l’épaisseur de la zone de charge d’espace :

De nombreux électrons de la région N et de trous de la région P peuvent alors franchir cette barrière de
potentiel (courants de type b de la figure 2.21).

Figure2.21: Jonction polarisée dans le sens direct

Ces porteurs se présentent alors dans un « milieu hostile » à savoir SiP pour électrons et SiN pour les trous.

 Une surpopulation d’électrons par rapport à l’équilibre s’établit dans le silicium P à l’entrée de la
zone neutre. Cette surpopulation provoque une diffusion des électrons dont la population diminue
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par recombinaison avec les trous. Pour rétablir l’équilibre, les trous de la région neutre P se
mettent en mouvement vers la zone où se produit la recombinaison (déficit en trous).
 Une surpopulation de trous par rapport à l’équilibre s’établit dans le silicium N à l’entrée de la zone
neutre. Cette surpopulation provoque une diffusion des trous dont la population diminue par
recombinaison avec les électrons. Pour rétablir l’équilibre, les électrons de la région neutre N se
mettent en mouvement vers la zone où se produit la recombinaison (déficit en électrons).
C’est le phénomène de recombinaison locale qui explique la circulation du courant direct IAdans la jonction
polarisée en direct.
Sachant que le courant de saturation Is correspondant aux porteurs minoritaires des zones N et P qui se
présentent en bordure de la Z.C.E. est encore présent (courant a), on obtient le courant total IA qui circule
dans la jonction :

Ce courant direct IA de la jonction dépend fortement de la température par l’intermédiaire de IS et du terme :

Remarque : Pour Vdirect> 250mV, on peut utiliser :

Capacité de diffusion Cd de la jonction PN en direct

Le phénomène de recombinaison locale de part et d’autre de la Z.C.E. n'est pas instantané. En effet, les
électrons injectés dans SiP se recombinent avec les trous présents après un temps moyen τn : durée de vie des
électrons (ordre de la nanoseconde).
Il y a donc toujours, de part et d'autre de la Z.C.E., une charge positive dans la cathode et une charge
négative dans l'anode, composée de porteurs non recombinés. Ceci est équivalent à la présence d'une
capacité dite capacité de diffusion Cd proportionnelle au courant direct IA de la jonction :

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2.7 Diodes

2.7.1 Diodes de redressement

a) Présentation

Une diode est un composant électronique obtenu en recouvrant une jonction PN par une couche protectrice en
plastique afin d'en faciliter sa manipulation.

Figure 2.15:Diode

Symbole :

b) Fonctionnement
La diode est un composant dit de commutation qui possède 2 régimes de fonctionnement :
- Diode à l’état : Passant.
- Diode à l’état : Bloqué.

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c) Caractéristique

 Modèle idéal

ID = f(VD)

 Modèle classique

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Remarque :

 Modèle semi-réel

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 Modèle réel

d) Zone de claquage

Si la tension inverse (tension -VD) aux bornes de la diode devient trop importante, il y a un risque de destruction
de la diode par échauffement de la jonction PN. Les constructeurs précisent la tension de claquage inverse ; elle
correspond à la tension maximum que peut supporter une diode en polarisation inverse.

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e) Caractéristiques techniques

f) Forme typique

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2.7.2 Diodes spéciales

a) Diode zener
Dans le sens direct (VD et ID positifs) cette diode présente la même caractéristique qu’une autre diode.
Elle s’utilise dans la polarisation inverse où les notations changent et deviennent VKA = -VD et IZ = -ID.
Dans ce sens, cette diode ne présente pas de zone de claquage :
Si VKA<VZ, alors IZ= 0 (interrupteur ouvert).
Sinon VKA= VZ, quel que soit le courant IZ le traversant.
Symbole

Caractéristique : ID = f(VD)

VZ est appelée tension ZENER. Les constructeurs précisent la valeur de la tension ZENER :
0,78 à 200 V (plage de variation de la tension de Zener).
La valeur maximale IZmax du courant IZ pouvant traverser la diode et la puissance dissipée :
PZ = Vz Iz dans la zone Zener sont aussi des caractéristiques de choix importantes.
Utilisations :
Les diodes ZENER sont appréciées pour leur tension VZ stable. On les trouve souvent associées à
des fonctions de :
- référence de tension ;
- écrêtage d’une tension ;
- alimentation continue de petite puissance.
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b) Symboles des différentes diodes

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