LA JONCTION P N ET LES

DIO DES À SEMI-CONDUCTEURS

RAPPELS DE COURS

7. 1 LA CON DUCTION ÉLECTRIQU E I NTRINSÈQU E

Dans un matériau à structure cristalline, les atomes sont liés entre eux par des liaisons dites cova­
lentes qui consistent en des combinaisons d'électrons entre atomes voisins. Ces liaisons peuvent
être plus ou moins fortes. Dans le cas d'une liaison très forte, les électrons participant à cette
liaison seront difficilement mobilisables. En revanche, si cette liaison est plus faible, un apport
d'énergie extérieur, par exemple un champ électrique, peut être suffisant pour mobiliser ces élec­
trons : ces électrons sont dits « libres », libres de se déplacer dans la structure cristalline : c'est
le phénomène de la conduction électrique intrinsèque. En quittant sa position inüiale, un électron
devenu libre laisse derrière lui un « trou » correspondant à une vacance d'électron. L'atome étant
initialement neutre, un trou est donc chargé positivement. Ce trou peut bien sûr être comblé par un
autre électron libre venu d'un atome voisin. Dans ce cas, le trou « se déplace » en sens contraire du
déplacement de l'électron. La conduction électrique peut tout aussi bien être interprétée comme
un déplacement de trous que comme un déplacement d'électrons.
Les électrons libres sont appelés porteurs de charge négatifs. Les trous sont les porteurs de charge
positifs.
On modélise la faculté des électrons à se mobiliser pour participer à un phénomène de conduction
par des bandes d'énergies (figure 7.1) :
• bande de valence : tant qu'un électron se trouve dans cette bande, il participe à une liaison
covalente au sein du cristal ;
• bande de conduction : un électron ayant acquis suffisamment d'énergie peut se trouver dans
"O
cette bande ; i l est alors mobile et peut participer à un phénomène de conduction ;
0 bande interdite : la mécanique quantique a montré que les électrons ne peuvent pas prendre des
c •
:J niveaux d'énergie quelconques, mais que ceux-ci sont quantifiés ; entre la bande de valence et
0
°'
0
la bande de conduction peut donc exister une bande interdite. Pour rendre un électron mobile, i l
0
N faut donc impérativement apporter de l'énergie en quantité suffisante pour franchir ce véritable
@ fossé (gap en anglais).
.......
.!:
O'l L'énergie d'un électron se mesure en électron-volts (eV) : 1 eV = 1 ,6 x 10- 1 9 J
·;::::
>-
0. En fonction de la disposition de ces bandes, et surtout de la largeur de la bande interdite, les
0 matériaux peuvent être isolants, conducteurs ou semi-conducteurs (figure 7.2).
u
 7. 1 La conduction électrique intrinsèque

niveau d'énergie
d'un électron
/\

bande de
<
•
•
électrons
conduction •
mobiles
• •

bande
interdite

bande de électrons
<
• •

valence •
•
fixes

F i g u re 7. 1

La principale différence entre un conducteur et un semi-conducteur réside dans le fait que dans
le premier, il n'y a pas ou peu de bande interdite, voire même chevauchement des bandes de
valence et de conduction. Les électrons sont donc a priori mobiles et l'application d'un faible
champ électrique génère une circulation de nombreux électrons. Dans un semi-conducteur, il y a
beaucoup moins d'électrons mobiles. Le matériau est donc moins conducteur.
Quel que soit le cas, la conduction est dite intrinsèque lorsqu'il existe autant d'électrons libres que
de trous par unité de volume : soit n et p les nombres respectifs de porteurs négatifs (électrons) et
de porteurs positifs (trous) par unité de volume (concentrations) ; on montre que :
n 2 = p2 = ni2 = A T.)e
�
-�kr

/\

'Oc:::
:::l
.... bande de conduction
"'
11)
11) bande de conduction
'l!l

·c0
"'

bande de conduction
0
'5Cil bande interdite :
c c::: bande interdite :
:J 0c::: quelques eV environ l eV
0 11)
°' ·o.
0
0 u
0 bande de valence bande de valence bande de valence
N �
..c:::
@ o..

.......
Cil

.!: ...-l
O'l 1 matériau isolant matériau conducteur semi-conducteur
·;:::: 'O
0
>- c:::
:::l
o.
0 Cl
u @ F i g u re 7.2

255
 Chapitre 7 • La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs

avec :
A : constante dépendant du matériau,
T : température absolue en kelvins,
ô.B; : largeur de la bande interdite en eV,
k 1 ,38 x 10-23 JK - I : constante de Boltzmann
=

Ces concentrations n et p (notée parfois ni ou Pi) sont appelées concentrations en porteurs intrin­
sèques.
Pour le Silicium qui est le semi-conducteur le plus utilisé on a :
ô.Bi = 1 ,2 eV
n; 1 ,5 x 10 1 6 m- 3 à T 300 K
= =

7.2 SEM I-CONDUCTEU RS DOPÉS

Si on remplace dans un cristal de Silicium très pur, certains atomes par des atomes d'un autre
corps simple, on dit que l'on dope le cristal avec des impuretés. Le Silicium étant tétravalent,
on peut choisir d'effectuer ce dopage avec des atomes trivalents (Bore, Aluminium ou Gallium)
ou pentavalents (Phosphore, Arsenic ou Antimoine). Dans le premier cas on créera un déficit
en électrons ou plutôt un apport de trous. On dit que le semi-conducteur est dopé P et que les
impuretés introduites sont accepteuses d'électrons. Dans le second cas, on créée au contraire un
apport d'électrons mobiles. Le semi-conducteur est dopé N et les impuretés sont dites donneuses
d'électrons.
La concentration en impureté dopante reste toujours très faible quel que soit le cas : de l'ordre de
1 atome d'impureté pour 107 atomes de silicium.
Si le semi-conducteur est dopé N, il y a beaucoup plus d'électrons libres que de trous. On dit que
les électrons sont les porteurs de charge majoritaires. Dans le cas d'un dopage P, ce sont les trous
qui sont les porteurs majoritaires. Dans les deux cas on a :n i=- p.
En revanche, on a toujours : np n f
=

Pour un semi-conducteur dopé N, soit n0 la concentration en impureté donneuses d'électrons

(nombre d'atomes d'impureté par unité de volume). On a alors : n � no et p � O.
Pour un semi-conducteur dopé P, soit nA la concentration en impureté accepteuse d'électrons
(nombre d'atomes d'impureté par unité de volume). On a alors : p � nA et n � O.
"O Quel que soit le cas, les phénomènes de conduction s'en trouvent très largement modifiés. La
0
c
:J
conduction est alors dite extrinsèque car ne dépendant plus uniquement du cristal de départ.
0
°'
0
0
N 7.3 LA DIODE À JONCTION
@
.......
.!:
En dopant respectivement N et P deux parties d'un même cristal semi-conducteur, on forme un
O'l
·;::::
dipôle appelé diode à jonction (figure 7.3). La jonction est la surface de contact située entre les
>- deux parties du cristal dopées différemment.
0.
0
u

256
 7.3 La diode à jonction

Bien qu'au départ chacune des deux zones soit électriquement neutre, la mise en contact des deux
parties induit un phénomène de migration de porteurs majoritaires de part et d'autre de la jonction :
certains trous de la zone P se déplacent vers la zone N qui contient des donneurs d'électrons, tandis
que certains électrons de la zone N migrent vers la zone P qui contient des accepteurs d'électrons.
-t
Un équilibre s'instaure autour de la jonction, créant ainsi un champ électrique interne Ei. La zone
située autour de la jonction correspondant à ce champ électrique est appelée zone de déplétion
(figure 7.4). La présence de ce champ électrique se traduit également par la présence d'une dif­
férence de potentiel de part et d'autre de la zone de déplétion. Cette différence de potentiel est
appelée barrière de potentiel. La zone de déplétion se comporte a priori comme un isolant et il
devient très difficile pour un électron libre, de franchir cette zone.
zone dopée N zone dopée P migration
barrière de de trous
potentiel ti. V
G G G G 'f ti.V

G G G + G
G
-

+
G N p
-->
-

G +
+
G
G G
-

+ -

j onction G + -
G
zone de
migration déplétion
N p d'électrons

Figu re 7.3 F i g u re 7.4

L'application d'une tension V dirigée comme indiqué sur la figure 7.5 crée un champ électrique
qui s'ajoute au champ électrique interne (dans le même sens) poussant ainsi les électrons de la zone
N a s'éloigner de la jonction, tandis que les trous de la zone P subissent le même phénomène :
la zone de déplétion s'élargit ; la jonction devient pratiquement isolante. On dit que la diode est
'Oc::: bloquée.
:::l
....
Si au contraire on applique une tension V orientée comme indiqué sur la figure 7.6, le champ
11)
"'
électrique externe ainsi créé s'oppose au champ interne. La barrière de potentiel est ainsi dimi­
'l!l11) nuée : des électrons peuvent franchir la zone de déplétion (de la zone N vers la zone P compte
·c
"'

0 tenu de l'orientation de V) qui devient donc conductrice ; la diode est dite passante. La propriété
'5
Cil
0 essentielle de cette diode réside donc dans le fait que
c c:::
0
0
:J c:::
11) la circulation des électrons au travers de la jonction cathode anode
°' ·o.0 ne peut s'effectuer que dans un sens : de la zone N
0 u
0 vers la zone P (de la cathode vers l'anode). Soit V la
N �
@
..c:::
o.. tension aux bornes de la diode et l Je courant qui la
Cil V
.......
.!: ...-l
1
traverse. Comme le courant circule de l'anode vers
O'l 'O la cathode (sens inverse des électrons), on représen­
·;:::: 0 F i g u re 7.7
>- c:::
:::l tera tension et courant comme cela est indiqué sur la
o.
0 Cl
u @ figure 7.7 (convention récepteur).

257
 Chapitre 7 • La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs

zone de déplétion zone de déplétion

élargie neutralisée
+
G +
Ej
=: G
N p
-->

G +
+
-- G
G + - G
-
G + G
<
V V

diode bloquée diode passante

Figu re 7.5 F i g u re 7.6

Si V est effectivement positif, on dit que la diode est polarisée en sens direct. Un courant I peut
effectivement circuler dans la diode. Si V est négatif, la diode est polarisée en sens inverse et
aucun courant ne peut y circuler. La figure 7.8 montre la caractéristique I f(V) d'une diode =

courante.
I
1\

sens
direct

sens
inverse
V
0,7 V
quelques µA

effet
d'avalanche
"O
0
c F i g u re 7.8
:J
0
°'
0 En sens direct, on admet que :
0
N
@ Ve _.!'... kT , , .
.......
.!: I = Ise kT = Ise vo avec Vo = - = 25 mV a temperature ambiante.
O'l e
·;::::
ls étant de l'ordre du mA, e 1,6 x 10- 1 9 C, k 1 ,38 x 10-23 J K- 1 . Sauf pour de très faibles
>-
0. = =
0 ·

u valeurs de I, et sauf pour des valeurs très importantes, la tension V varie peu et est de l'ordre

258
 7.4 Polarisation de la diode

de 0,6 à 0,7 V pour des diodes au silicium. Cette tension est appelée tension de seuil et se note
souvent Vs. En sens inverse, on admet que le courant est nul (en réalité quelques mA subsistent).
Pour des tensions inverses importantes (quelques dizaines de volts en valeur absolue), on observe
un effet de conduction forcée au travers de la jonction, effet immédiat et en général destructeur :
l'effet d'avalanche.
Macroscopiquement parlant et hormis certaines applications particulières, on admet en général le
fonctionnement suivant :
• diode polarisée en sens direct : V 0,7 V, V l ; la diode est dite passante ;
=

• diode polarisée en sens inverse : I = 0, VV ; la diode est dite bloquée.

Ce modèle de diode dite parfaite est représenté sur la figure 7.9 (a).
1 1 1
/\

1
pente :
Rd

V V V
0 0,7 V 0 0 0,7 V

(a) diode parfaite (b) diode idéale (c) modèle dynamique

F i g u re 7.9

On peut encore simplifier le modèle en considérant que la tension de 0,7 V est négligeable devant
les autres tensions du circuit. On obtient alors le modèle de diode dite idéale dont la caractéristique
est schématisée sur la figure 7.9 (b). Si au contraire on souhaite un modèle plus fin et plus proche
'Oc::: de la caractéristique de la diode réelle, on peut adopter le modèle représenté sur la figure 7.9 (c) :
:::l on considère que cette caractéristique est formée de deux segments de droites :
....
"'
11)11)
'l!l
"'
·c0 V < 0,7 V � I = 0 (diode bloquée)
'5 V - 0,7 V . .
Cil > 0,7 V � I = Rd résistance dynamique de la diode passante.
.
0 V avec
c c:::
:J 0
c::: Rd
0 11)
°' ·o.0
0
7.4 POLARISATION DE LA DIODE
u
0
N �
..c:::
@ o..

.......
.!:
Cil
...-l On polarise une diode en sens direct en l'incluant dans un circuit de sorte qu'elle soit parcourue
1
O'l
·;:::: 'O
0
par un courant ! . Sur le schéma de la figure 7 . 10, un générateur parfait de tension E continue
>-
o.
c:::
:::l alimente un dipôle formé d'une résistance R et d'une diode en série.
0 Cl V
u @ On a évidemment : I = Ise vo et E = RI + V

259
 {
Chapitre 7 • La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs

l = lsefo caractéristique de la diode

soit encore : ERV -

droite de charge
Le point d'intersection de ces deux courbes donne le point de fonctionnement du circuit
(figure 7.1 1). On voit bien que pour diverses valeurs de R, la tension V varie peu.

1
r
A

points de
R Ri fonctionnement
droites de charge :
E R faible
A
R élevée

V
0 0,7 V E

F i g u re 7. 1 0 F i g u re 7. 1 1

7. 5 PUISSANCE DISSIPÉE DANS U N E DIODE

En sens direct, la diode parcourue par un courant l et présentant à ses bornes une différence de
potentiel V, dissipe (en général sous forme d'énergie calorifique) la puissance P = V l. Toute
diode possède une puissance limite admissible Pmax· Graphiquement, cette puissance définit une
zone de fonctionnement possible pour la diode (figure 7. 12).

I
A

zone de
courbe d'équation
fonctionnement
"O VI = Pmax
0 impossible
c
:J
0
°'
0
0
N V
@
0 0,7 V
.......
.!:
O'l
·;:::: F i g u re 7. 1 2
>-
0.
0
u

260
 7.6 Diodes Zener

7.6 D IODES ZENER

Certaines diodes sont conçues de manière à ce que l'effet d'avalanche ne soit pas destructeur, mais
soit au contraire maîtrisé et même utile. Dans ce cas, on parle d'effet Zener et de telles diodes sont
appelées diodes Zener (figure 7 . 13).
1
"

sens
direct

sens
inverse
1 V
0 0,7 V

effet
Zener

F i g u re 7. 1 3

Une diode Zener se polarise en sens inverse (figure 7.14), et présente à ses bornes, quel que
soit le courant qui la traverse, une tension quasiment constante appelée tension Zener et notée
Vz (figure 7.13). Les tensions Zener des diodes Zener couramment utilisées vont de quelques
dixièmes de volts à plusieurs dizaines de volts (en valeur absolue).
1

'O "
c:::
:::l
....
"'
11) R RI
11)
·c
'l!l
"'

0 E
'5 "
0 Cil
c c:::
0 D
:J c:::
0 11)
°' ·o.
0
0 u
0
N �
..c:::
@ o..
Cil
.......
.!: ...-l F i g u re 7. 1 4
O'l 1
·;:::: 'O
0
>- c:::
:::l
o. Cette propriété est très utilisée dans des montages régulateurs de tension où l'on exploite comme
0 Cl
u @ référence de tension la valeur quasiment constante de la tension Zener Vz .

261
 Chapitre 7 • La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs

ÉNONCÉS DES EXERCICES

7. 1 Déter m i nation de l'état

d'une d iode parfaite polarisée
dans un pont d iviseur 1' R 1 = 1 00 Q

Dans le circuit représenté sur la figure 7 . 15,

déterminer l'état (passant ou bloqué) de la E = 10 V î
diode. Dans le cas où la diode est passante,
déterminer le courant I qui la traverse. On sup­
posera que la diode est parfaite et possède une
tension de seuil égale à 0,7 V. (caractéristique
F i g u re 7. 1 5
de la figure 7 .9 a).
c
7.2 Déter m i nation d e l'état
d'une d iode parfaite en série
'{: *
avec un e résistance
Dans le circuit représenté sur la figure 7. 1 6, E = lO V î
déterminer l'état (passant ou bloqué) de la
diode. Dans le cas où la diode est passante,
déterminer le courant l qui la traverse. On sup­
posera que la diode est parfaite et possède une
tension de seuil égale à 0,7 V. (caractéristique
F i g u re 7. 1 6
de la figure 7 .9 a).
7.3 Déte rmi nation de l'état d'une d iode parfaite dans u n pont d e
Wheatstone 1'
Dans le circuit représenté sur la figure 7 . 17, déterminer l'état (passant ou bloqué) de la diode.
Dans le cas où la diode est passante, déterminer le courant I qui la traverse. On supposera que la
diode est parfaite et possède une tension de seuil égale à 0,7 V. (caractéristique de la figure 7.9 a).

"O
0
c
:J R1 = 1 00 Q R3 = 200 Q
0
°'
0
0
N
E = lO V î
@ R2 = 200 Q
.......
.!:
O'l
·;::::
>-
0.
0
u F i g u re 7. 1 7

262
 Énoncés des exercices

7.4 Déter m i nation de l'état d'une d iode parfaite a l i m e ntée par d e u x

, , *
g e n e rate u rs
Dans Je circuit représenté sur la figure 7 .18, déterminer l'état (passant ou bloqué) de la diode.
Dans le cas où la diode est passante, déterminer le courant I qui la traverse. On supposera que la
diode est parfaite et possède une tension de seuil égale à 0,7 V. (caractéristique de la figure 7.9 a).

R = 200 n

E 1 = 10 V î

F i g u re 7. 1 8

7.5 Puis sance d i s sipée dans u n e d iode e n série avec u n e résistance f•

Dans le circuit représenté sur la figure 7.19, déterminer la puissance dissipée dans la diode. La
diode est supposée parfaite (caractéristique de la figure 7.9 a).

R = 100 n

'O
c:::
:::l
E = lO V î
....
"'
11)
11)
'l!l
·c
"'

0
'5
Cil
0
c c:::
0
:J c::: F i g u re 7. 1 9
0 11)
°' ·o.
0
0 u
0
N � 1d

@
..c:::
o..
Cil
7.6 Puis sance d i s si pée dans u n e d iode a l i m e ntée par u n pont d iviseur
.......
.!: ...-l
O'l 1 Dans le circuit représenté sur la figure 7 .20, déterminer la puissance dissipée dans la diode. La
·;:::: 'O
0
>-
o.
c:::
:::l diode est supposée parfaite (caractéristique de la figure 7.9 a).
0 Cl
u @

263
 Chapitre 7 • La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs

E= 10 V
i

F i g u re 7.20

* *
7.7 Pu i ssance d i s sipée dans u n e d iode e n parallèle avec u n e résistance

Dans le circuit représenté sur la figure 7.21, déterminer la puissance dissipée dans la diode. La
diode est supposée parfaite (caractéristique de la figure 7.9 a).

E = lO V

F i g u re 7.2 1

* * *
7.8 Pu i ssance d i s sipée dans u n e d iode e n parallèle avec u n e résistance
Dans le circuit représenté sur la figure 7.22, déterminer la puissance dissipée dans la diode. La
diode est supposée parfaite (caractéristique de la figure 7.9 a).

"O
0
c
:J
0
°'
0
0
N E = IOV
@
.......
.!:
O'l
·;::::
>-
0..
0
u F i g u re 7.22

264
 Énoncés des exercices

7.9 Aju stement de la polarisation d'une d iode u �,

Une diode de tension de seuil Vs = 0,7 V et de résistance dynamique rct = 1 0 !1 (modèle de

la figure 7.9 c) est placée dans le circuit de la figure 7.23. Détermjner la valeur de R qui assure
un courant I = 20 mA dans le circuit. Même question si on choisit le modèle de diode parfaite
(caractéristique de la figure 7.9 a).
R

E=5V i

F i g u re 7.2 3

7. 1 0 I nfl uence d u
�, f, modèle choisi dans l e calcul d e l a pui ssance d i s s i pée
dans une d iode
Détermjner la puissance dissipée dans une diode de tension de seuil Vs 0,7 V et de résistance
=

dynamique rct = 10 !1 parcourue par un courant I = 25 mA.

Détermjner cette même puissance en utilisant le modèle de la diode parfaite de la figure 7.9 (a),
puis en utilisant la caractéristique réelle de la diode :
= fseVO avec Vo = 25 mV et ls = 2 x 10- 15 A
V

I
* *
7. 1 1 Redressement s i m ple alternance
'Oc:::
:::l Dans le montage de la figure 7.24, la diode est supposée idéale (caractéristique de la figure 7.9-b).
11)11) Tracer la tension u(t) aux bornes de R. On donne E0 = 3 V et w = 27r x 50 radis .
....
"'

'l!l
"'
·c0
'5Cil
0
c c:::
0
0
:J c:::
11)
°'
0
0
·o.0
u e(t) = E0coswt j R
N �
..c:::
@ o..
Cil
.......
.!: ...-l
O'l 1
·;:::: 'O
0
>- c:::
:::l
o.
0 Cl
u @ F i g u re 7.24

265
 Chapitre 7 • La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs

***
7. 1 2 Ecrête u r à d iodes
Dans le schéma de la figure 7.25, déterminer et tracer l'évolution de u(t).
On donne : e(t) Eo sin wt, Eo 30 V, w 21T x 50 radis.
= = =

E 1 et E2 sont deux sources de tensions continues parfaites : E 1 10 Y et E2 1 5 V. Les diodes

= =

sont supposées idéales (tension de seuil nul, caractéristique de la figure 7.9-b).

u(t)

F i g u re 7.2 5

**
7. 1 3 P u i s sance consom mée par u n e d i ode Zener
Dans le circuit de la figure 7.26, déterminer
la puissance P0 dissipée dans la diode Zener, R
ainsi que la puissance P1 dissipée dans la résis-
tance. Montrer que Po + P 1 correspond bien
à la puissance Po fournie par le générateur. D
La diode Zener est caractérisée par une ten-
sion Vz = 1 2 V. On donne E = 20 V et
R 80 O.
= F i g u re 7.26

ÉNONCÉS DES PROBLÈMES

"O
0 **
c Problème 7 . 1 Red ressement double alternance par pont d e d iodes
:J
0
°'
0 On considère le montage de la figure 7.27 avec e(t) = Eo sin wt, Eo = 50 V et w = 21T x 50 radis.
0 Les diodes sont supposées idéales (caractéristique de la figure 7.9-b).
N
@ 0 Déterminer et tracer les variations de la tension s(t) lorsque e(t) > O.
.......
.!:
O'l 8 Déterminer et tracer les variations de la tension s(t) lorsque e(t) < O.
·;::::
D Tracer les variations de s(t) dans le cas général et calculer la valeur moyenne de la tension
>-
0.
0
u s(t).

266
 Énoncés des problèmes

e(I) X /\

i(I)

R s(t)

F i g u re 7.2 7

***
Problème 7.2 L i m itation d e p u i ssance dans u n circuit à d iod es
Deux diodes supposées parfaites supportent chacune une puissance maximale Pmax = 200 mW.
Ces diodes sont placées dans le circuit de la figure 7.28 et on se propose d'ajuster la valeur de R
pour qu'aucune des deux diodes ne consomme une puissance supérieure à Pmax ·

E = 15 V

'O
c:::
:::l
....
"'
11)
11)
'l!l F i g u re 7.28
·c
"'

0
'5
Cil
0
D Montrer que les deux diodes sont passantes.
c c:::
0
:J c:::
0 11)
°'
0
·o.
0
u If) Calculer les expressions des courants circulant dans les deux diodes. En déduire que la puis­
0
N �
..c:::
sance dissipée dans la diode D 1 est la plus importante.
@
D Déterminer la condition sur R pour que la puissance dissipée dans chaque diode soit inférieure
o..
Cil
.......
.!: ...-l
O'l
·;:::: 'O
1 à Pmax ·
0
c:::
>- :::l
o.
0 Cl
u @

267