Cours d’électronique

LA THEORIE SUR L’ELECTRONIQUE

LES COMPOSANTS DE BASE

PARTIE N°4 :

LE TRANSISTOR
La théorie sur l’électronique - les composants de base - Le transistor

TABLE DES MATIERES

1. Définition ........................................................................................................................... 2
2. Les transistors bipolaires .................................................................................................... 2
2.1. Constitution ................................................................................................................ 2
2.2. Principe de fonctionnement........................................................................................ 3
2.3. L’effet transistor ......................................................................................................... 5
2.4. Les caractéristiques statiques ..................................................................................... 5
2.4.1. Caractéristique de transfert en courant............................................................... 6
2.4.2. Caractéristique de transfert en tension ............................................................... 6
2.4.3. Caractéristiques en entrée................................................................................... 6
2.4.4. Caractéristiques en sortie ................................................................................... 7
2.4.5. Influence de la température ................................................................................ 7
2.5. Détermination du fonctionnement d’un transistor bipolaire ...................................... 8
2.5.1. Circuit de base .................................................................................................... 8
2.5.2. Circuit du collecteur ........................................................................................... 8
2.5.3. Puissance consommée ........................................................................................ 8
2.6. Résumer des formules ................................................................................................ 9
2.7. Les modes de câblage d’un transistor ........................................................................ 9
3. Les transistors unipolaires ................................................................................................ 14
3.1. Le transistor à effet de champ .................................................................................. 14
3.1.1. Constitution ...................................................................................................... 14
3.1.2. Principe de fonctionnement.............................................................................. 15
4. Comparaison des deux types de transistors...................................................................... 16
5. Page technique.................................................................................................................. 17
5.1. Transistors bipolaires ............................................................................................... 17
5.2. Transistors à effet de champ..................................................................................... 17
6. Montage d’utilisation ....................................................................................................... 18

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1. Définition

Les transistors appartiennent à deux grandes familles ayant chacune leurs

avantages et leur inconvénients.

Il s’agit de la famille des transistors de type bipolaire, qui sont les plus anciens et
encore les plus répandus, et la famille des transistors de type unipolaire ou à effet de
champ.

2. Les transistors bipolaires

2.1. Constitution

Le transistor est un élément électronique constitué à partir d’un cristal de

silicium de façon à créer trois zones de conductibilité. On peut trouver des
transistors ayant deux zones P et une zone N (PNP) ou des transistors ayant
deux zones N et une zone P(NPN).

Je peux donc déduire en regard au illustration ci-dessus que le transistor est

constitué de deux jonctions PN ayant des sens passants opposés. La zone
centrale appelée « base », est comprise entre les deux jonctions. La zone
« base » est mince et moins dopée que les deux autres. Les deux autres
porteront le nom de « collecteur » et « d’émetteur ». La zone émetteur sera la
plus dopée en regard à la zone collecteur.
Noter que nous avons des conductibilités asymétriques, ce qui interdit
l’interchangeabilité des électrodes.

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2.2. Principe de fonctionnement

Le principe de fonctionnement va nous permettre de découvrir ce que l’on

appelle la commutation ou encore le passage de l’état bloqué à l’état passant.
Afin de permettre la conduction d’un transistor, plusieurs conditions devront
être vérifiées. On appelle fonctionnement normal d’un transistor bipolaire celui
pour lequel
• La jonction EB (émetteur – base) est polarisée en sens direct.
• La jonction CB (collecteur – base) est polarisé en sens inverse.

Nous analyserons le fonctionnement pour un transistor NPN polarisé comme

l’illustre le schéma suivant.

Noter que l’on a représenté sur le dessin ci-dessus deux diodes qui pourraient
symboliser le transistor celles-ci ayant un fonctionnement connu.

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Lorsque la base est mise sous tension, la jonction EB est polarisée en direct et
la barrière de potentiel est abaissée (voir la diode en sens passant). La traversée
de cette jonction par les porteurs majoritaires (les électrons) est favorisée. Les
électrons majoritaires de E (émetteur) diffusent à travers la jonction EB
polarisée en sens direct. La borne négative de la source de tension peut, dès ce
moment, injecter des électrons dans l’émetteur. Ceux-ci peuvent facilement
traverser la barrière de potentiel de la jonction EB et arriver dans la zone de
base. Je peux donc dire que bon nombre d’électrons traverseront la jonction EB
et se retrouveront dans la zone P (base) ou ils devraient se combiner avec les
trous de cette zone. En réalité il n’en est rien, grâce à l’énergie et à la vitesse
acquise par les électrons, jumelé à la faible épaisseur de cette zone P la plupart
des électrons vont se retrouver au droit de la jonction BC. Dans leur trajet en
zone B, nous pouvons encore dire que quelques électrons vont se recombiner
avec les trous majoritaires de cette zone et donner ainsi le courant de base. Je
peux donc conclure qu’une partie minime des électrons de l’émetteur seront
attirés par la polarisation positive de la base du transistor.
La jonction CB est polarisée en inverse et est donc le siège d’un champ ED
intense dirigé de C vers B. Les électrons qui vont donc venir à proximité de la
zone de transition BC vont donc être repoussés dans la zone B. Partant sur le
principe que durant leur traversé dans les zones E et B, certains électrons
parviennent à emmagasiner suffisamment d’énergie que pour franchir cette
barrière électrostatique, ils vont alors se retrouver dans la zone de transition, et
modifier de par leur capture par l’un ou l’autre ion positif la valeur de la
différence de potentiel de cette jonction avant de se retrouver dans la zone C.
Comme le champ électrostatique est lié à cette différence de potentiel, je peux
déduire que le champ aussi va diminuer. Si ce dernier diminue, je peux
supposer qu’un électron ayant un petit peu moins d’énergie va à ce moment
parvenir lui aussi à pénétrer dans la zone de transition et à son tour affaiblir
cette dernière. On peut donc raisonnablement dire que de proche en proche,
nous allons avoir ce que l’on appelle un effet d’avalanche qui aura pour effet
d’effondrer la barrière de potentiel de la jonction BC et de rendre celle-ci
passante. Les électrons en arrivant dans la zone C seront captés par la borne
positive de la source de tension.
Dès ce moment, le courant va circuler librement dans le semi conducteur du
collecteur vers l’émetteur On peut donc considérer que ce sont les électrons
provenant de UB qui lors de leur passage dans l’émetteur, entraînent les

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électrons libres de ce dernier et les amènent jusqu’au collecteur. L’émetteur fait

alors appel à la borne négative de UC pour compenser ces électrons qui
constituent, en réalité, le courant de collecteur.
Illustrons le déplacement des électrons et du courant.

Je peux écrire que IE=IB + IC.

2.3. L’effet transistor

Du fonctionnement ci-dessus je peux tirer que le courant sera plus faible au

niveau de la base qu’au niveau du collecteur. Nous appelons ce phénomène
« l’effet transistor ». Nous savons que la recombinaison des électrons dans la
base est l’image du courant de base et que ce dernier est fonction des
caractéristiques propres du transistor. Je peux donc dire que ce courant est
constant dans une situation donnée. Dès lors je peux dire que le rapport IB/IE
est aussi une constante et également de rapport IB/IC.
Nous appellerons le rapport inverse IC/IB le gain en courant ou l’amplification
statique. β = IC .
IB
Cette relation nous dit qu’en injectant un courant IB très faible dans la base, on
peut « commander » un courant de collecteur IC beaucoup plus intense.

2.4. Les caractéristiques statiques

Soit les grandeurs caractéristiques suivantes :

• Le courant de base IB
• Le courant de collecteur IC
• La tension base-émetteur VBE
• La tension collecteur-émetteur VCE

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ϕ21=

ϕ22=Η22

ϕ11=
ϕ12= 12

2.4.1. Caractéristique de transfert en courant

Il s’agit de la courbe IC= f (IB). Cette courbe est bien entendu une droite
puisque nous avons démontré la proportionnalité entre IB et IC. Pour trouver
ces courbe, nous maintiendrons la tension VCE constante. Pour chaque valeur
de VCE nous aurons une droite. L’angle formé par ces droites en regard à l’axe
des abscisses donnera la valeur de h21 qui représente le gain en courant.

2.4.2. Caractéristique de transfert en tension

Il s’agit de la courbe VBE= f (VCE). Ces courbes ont bien entendu des allures
proches des courbes de caractéristique de sortie. Pour trouver ces courbes, nous
maintiendrons le courant IB constant. Pour chaque valeur de IB nous aurons
une courbe. L’angle formé par ces droites en regard à l’axe des abscisses
donnera la valeur de h12 qui représente l’amplification en tension.

2.4.3. Caractéristiques en entrée

La tension VCE est essentiellement supportée en inverse par la jonction CB et

aura peu d’influence sur les caractéristiques d’entrée.
La tension VBE est appliquée sur la jonction EB ; or le courant IB est
sensiblement proportionnel au courant IE qui traverse cette jonction.
I B = IC = I E .
β β
Je peux donc déduire que la caractéristique VBE = f (IB) est donc, à la
constante 1 près, la même que celle de la jonction EB, c’est à dire VBE = f
β
(IE). Elle a l’allure suivante et est souvent voisine de 0,7V.
L’angle formé par ces courbe en regard à l’axe des abscisses donnera la valeur
de h11 qui représente l’impédance d’entrée.

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2.4.4. Caractéristiques en sortie

A chaque courant IB correspond une caractéristique VCE = f (IC).

En pratique de par le fait que le gain n’est pas rigoureusement constant d’un
composant à l’autre nous avons les courbe suivantes en lieu et place de droites
horizontales.
L’angle formé par ces courbes en regard à l’axe des abscisses donnera la valeur
de h22 qui représente l’admittance de sortie.

2.4.5. Influence de la température

Si la température ambiante TA varie, il en est de même pour la température Tj

du cristal. Cette élévation de température se répercutant au droit des jonctions,
nous pouvons constater une déformation des caractéristiques. Lorsque TA
augmente suffisamment, les caractéristiques subissent une translation vers le
haut.
Les traits en pointillés montrent les courbes à une température TA = 35°C alors
que les traits pleins donnent les courbes pour TA = 25°C.

0,9
0,8
0,7 IB=1mA
0,6 IB=2mA
IB=3mA
0,5
IC

IB=4mA
0,4
IB=5mA
0,3 IB=6mA
0,2 IB=7mA
0,1
0
0 20 40 60
VCE

Ces courbes nous montrent que le courant de collecteur a pour expression

complète IC = β.I B + β.I 0 montrant le courant inverse de la jonction CB, du
essentiellement aux trous de la zone de collecteur. Les porteurs minoritaires se
multiplient lorsque Tj augmente si bien que le courant Is (courant de saturation
du au minoritaire) croît vite avec la température.
A température ambiante normale 25°C, β.I0 est négligeable devant IC.

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2.5. Détermination du fonctionnement d’un transistor bipolaire

2.5.1. Circuit de base

La loi d’ohm appliquée entre B et E donne VBE =−RB.I B +VBB

2.5.2. Circuit du collecteur

La loi d’ohm appliquée entre C et E donne VCE =−RC.IC +VCC ou encore

VCE =−RC.β.I B +VCC .

2.5.3. Puissance consommée

La puissance électrique totale P absorbée par le composant est la somme de

deux termes :
P=VCE.IC +VBE.I B
Cette puissance se transforme en chaleur : comme la tension VCE est
essentiellement supportée en inverse par la jonction CB, cette situation
constitue le point chaud du transistor (on l’appelle Tj sa température). La
chaleur qui apparaît dans le composant augmente Tj et cette valeur se fixe à
une valeur telle que T j −TA = RTH .P avec RTH (°C/W ou °K/W) étant la résistance
thermique de l’ensemble transistor + refroidisseur ( RTH = RJ − B + RS + RR ). Noter
que TJ ne pourra pas dépasser la température donnée par le fabriquant (+/-
200°C). Si tel devait être le cas, un refroidisseur devra être calculé et placé sur
le composant.

Ex : soit un transistor BD139 pouvant dissiper 12,5W et dont RJ-B = 1,5 °C/W,
sachant que la tamb = 20°C et que l’on ne veut pas dépasser 75°C pour la tj,
calculer le refroidisseur à placer. (résistance thermique de la semelle en
silicone : 0,5 °C/W)

RTH = t j −tamb = 75−20 =4,4°C /W

P 12,5

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Une autre solution pour stabiliser un transistor au niveau thermique est de

placer une résistance en série avec l’émetteur. Le but de cette résistance étant
de maintenir la valeur de IE constante, quelles que soient les variations de
température.
En effet, si nous avons élévation de température au niveau de la jonction BE,
nous allons avoir une diminution de la résistance interne du transistor car
l’apport de chaleur est un apport d’énergie qui facilite le déplacement des
porteurs majoritaires. Cette diminution de la résistance interne entraîne une
augmentation du courant de collecteur et donc une augmentation de IB et de
IE. Or si IE augmente, la chute de tension dans RE va augmenter de même en
ce qui concerne la chute de tension aux bornes de RB qui augmente aussi.
Comme VCC et VBB ont une valeur fixe, cela signifie que VBE et VCE
doivent diminuer. Comme les courbes nous montrent que si VBE diminue IB
doit diminuer nous montrons ainsi que IC va aussi diminuer. Notre résistance
va donc bien stabiliser le transistor puisque si nécessaire il va limiter le courant
de collecteur.

2.6. Résumer des formules

IB=VBB−VBE
RB
VBE = 0,7V pour un transistor au silicium.
VCE est très faible (quelques volts)
IC =VCC −VCE
RC
IE = IC + IB
β = IC
IB
Puissance dissipée par le transistor est P =VCE.IC

2.7. Les modes de câblage d’un transistor

Si VBB et VCC sont différents

1° commande d’un relais

Soit un automate permettant un courant de sortie sur l’une de ces bornes
de 15mA sous 5VDC. Cette sortie doit commander un relais sous
5VDC consommant 400mW.

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5−0,7
RB =VBB −VBE = − 3 = 287Ω nous choisirons une résistance de
IB 15.10
300ohms

5−0,7
IB =VBB −VBE = =14,3mA
RB 300

−3
puissance dissipée par la résistance : PRB = RB.IB² =300.(14,3.10 )² =0,061W
Nous retiendrons une résistance de 300ohms / 0,25W

Pcharge 0,4
β = IC = VCC = 5
− 3 =5,59
IB IB 14,3.10
Nous retiendrons un transistor de type NPN de référence BC 547.

Si VBB est inexistant, VCC est la seule source

2° Soit un transistor monté en émetteur commun et possédant les

caractéristiques suivantes : B=200, IC=1mA, RC= 4,7Kohms, VCC=12VDC,
VCE=6V
Calculer :
• RE
• RB1 si cette dernière est disposée entre VCC et la base.
• RB2 si cette dernière est disposée entre le collecteur et la base.
• R1 et R2 qui constituent un pont diviseur de tension tel que
I1=5*IB.
• R3 si cette dernière est placée entre la base et le collecteur et, si
on garde R2 ainsi que les valeurs de IB et I2 du point précédent.

0,001
IB= IC = =0,000005A=5µA
β 200
VCC −(RC.IC)−VCE 12−(4700.0,001)−6
RE =VEM =VCC −VRC −VCE = = =1293Ω
IE IC + IB IC + IB 0,001+5.10
−6

nous retiendrons une résistance de 1,3Kohms

VCC −(RC.IC)−VCE 12−(4700.0,001)−6

IE =VEM = = =0,001A=1mA
RE RE 1300

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VCC −(RE.IE)−VBE 12−(1300.0,001)−0,7

RB1=VCC −VRE −VBE = = −6 =2000000Ω=2MΩ
IB IB 5.10

6 − 0 ,7
RB2=VCE −VBE = − 6 =1060000Ω=1,06MΩ
IB 5.10

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Si I1 = 5*IB, cela veut dire que si la base dévie un courant égale à IB, le solde
va traverser la résistance R2 donc I2 = 4*IB.

(RE× IE)+VBE (1300×0,001) + 0,7

R2= VRE +VBE = = −6
=100000Ω =100KΩ
IR2 IR2 4×5×10

−6
VCC −(R2× IR2) 12−(100000×4×5×10 )
R1= VCC −VR2 = = −6
= 400000Ω = 400KΩ
IR1 IR1 5×5×10

6 − 0 ,7
R3=VCE −VBE = − 6 =212000Ω=212KΩ
IR3 5.5.10

3° Soit les gains des transistors T1 et T2 sont respectivement B1=200 et

B2=100 ; de plus on sait que ce sont des transistor au silicium et que le point de
fonctionnement du montage a été choisi de manière telle que UE2M = 6V alors
que la tension d’alimentation du montage est UAM=12VDC.
Calculer les courants de collecteur IC1 et IC2 ainsi que la valeur de R1.

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IE2=VE2M = 6 =0,006A
R 1000
β2= IC2 → IC2= β2.IB2
IB2
0,006 −6
IE2= IC2+ IB2=(β2.IB2)+ IB2= IB2.(β2+1)→IB2= IE2 = =59,4.10 A
β2+1 100+1
URC =VE2M −0,7=6−0,7=5,3V
5 ,3
IRC1=URC = =0,0053A
RC 1000
−6 −3
IC1= IRC1− IB2=0,0053−59,4.10 =5,24.10 A
−6
5,24.10 −6
IB1= IC1= =26,203.10 A
β1 200
−3 −6 −3
IE1= IC1+ IB1=5,24.10 + 26,203.10 =5,2668.10 A
−6
VRE1= IE1.RE =5,2668.10 .100=0,52668V
VR2=VRE1+VBE1=0,52668+0,7=1,22668V
1,22668 −3
IR2=VR2 = =0,122668.10 A
R2 10000
VR1=VAM −VR2=12−1,22668=10,77332V
−3 −6 −6
IR1= IB1+ IR2=0,122668.10 + 26,203.10 =148,871.10 A
10,77332
R1=VR1= =72366,845Ω
IR1 148,871.10 −6

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3. Les transistors unipolaires

Il existe deux types de transistors unipolaires

• les transistors à effet de champ (T.E.C.) à jonctions
• les transistors M.O.S. (Métal Oxyde Semi-conducteur)

Nous limiterons notre étude au premier type.

3.1. Le transistor à effet de champ

3.1.1. Constitution

Un tel composant repose sur un support (un substrat) de silicium dopé (par
exemple de type P) dont l’épaisseur est de quelques dixième de millimètre. Sur
ce support ont été diffusées une couche N relativement peu dopée et puis dans
cette couche N une zone de type P ayant la forme d’un parallélépipède et que
l’on appelle grille.
La zone N est en contact avec deux électrodes métalliques situées de part et
d’autre de la grille, l’une appelée drain et l’autre source. La région de semi-
conducteur située entre le substrat et la grille est extrêmement mince et est
appelé le canal.

Son symbole est le suivant :

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3.1.2. Principe de fonctionnement

L’allure de la caractéristique VDS en fonction de ID est la suivante :

ID = f (VDS)
0,35

0,3

0,25

0,2
ID

0,15

0,1

0,05

0
0 20 40 60 80
VDS

1° La grille G est reliée à la source S : VGS = 0.

Lorsque VDS > 0 (en d’autre terme, lorsque VD est plus positif que VS), les
électrons majoritaires du substrat N se déplacent de S vers D, c’est à dire vers
des potentiels croissants : il en résulte dans le lit draine un courant ID positif.
Tant que VDS reste faible le canal représenté sur le dessin par un étranglement
entre S et D offre une résistance constante (elle ne dépend que de la longueur,
de la section et du dopage du canal) ; ID est alors proportionnel à VDS ; c’est
le régime résistif.

Lorsque VDS augmente positivement, le potentiel en chaque point du canal

devient de plus en plus positif . Les jonctions grille-canal et substrat-canal,
polarisée en inverse, supportent une tension de plus en plus grande ; les zones
de transition, sous l’action d’un champ électrostatique croissant, s’élargissent.
Comme une telle zone, dépourvue de porteurs mobiles, n’est pas conductrice
les électrons qui constituent le courant ID ne peuvent passer de S en D qu’à
travers une section utile de plus en plus réduite : la résistance du canal croît
avec VDS.

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Au-delà d’une certaine valeur de VDS l’augmentation de cette tension est

compensée par l’accroissement de la résistance du canal et ID n’augmente
presque plus, c’est le régime de pincement.

2° G est à un potentiel négatif par rapport à S : VGS <0.

Lorsque VDS est faible, la section utile du canal est déjà limitée par VGS mais
n’est guère influencée par VDS. Le transistor se comporte comme une
résistance dont la valeur augmente si la tension VGS devient de plus en plus
négative.

Lorsque VDS croît, la section du canal diminue progressivement et l’on passe

au régime de pincement (ID est sensiblement constant) ; mais ce régime est
atteint pour un courant ID d’autant plus faible que la tension VGS est plus
négative.
Pour une certaine valeur négative VB de VGS la section utile du canal est nulle
même lorsque VDS=0 : ID=0 quel que soit VDS ; la tension VB est appelée
tension de blocage (ou de pincement) ; elle est, en valeur absolue, de l’ordre de
quelque volts.

4. Comparaison des deux types de transistors

Caractéristiques Transistor bipolaire Transistor T.E.C.

Le courant d’entrée Faible mais non négligeable Négligeable
Les porteurs assurant Les minoritaires de la base Les majoritaires du canal
le dans dans
Courant de sortie un bipolaire un T.E.C.
Le courant de sortie est Le courant IB La tension d’entrée VGS
Commandé par

Les TEC présentent les avantages suivants :

• Résistance d’entrée élevée (puisque IG est négligeable)
• Faible influence de la température
• Fabrication plus simple
Les TEC présentent les inconvénients suivants :
• Leur performances aux fréquences élevées sont moins bonne
• Leur puissance reste limitée

Les TEC sont utilisés comme étage d’entrée dans les amplificateurs afin de leur
assurer une résistance d’entrée élevée.

Les transistors bipolaires sont utilisés sous forme intégrée dans les circuits logiques
dits TTL et dans les amplificateurs comme les « amplificateurs opérationnels ». Sous
forme discrète pour réaliser soit des interfaces soit dans des montages mettant en
œuvre des puissances relativement élevées.

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5. Page technique

5.1. Transistors bipolaires

Ptot : puissance totale dissipée
VCEO : tension continue collecteur émetteur avec IB=0 et IC spécifié
IC : courant collecteur (continu)
H21E : (β) valeur statistique du rapport de transfert direct du courant, émetteur commun
VCE sat : tension de saturation collecteur émetteur avec IC et IB spécifiés

Types Ptot VCEO IC H21 IC VCE VCE sat IC

mW V mA Min Max mA V V mA
2N 1711 NPN 800 50 100 300 150 1 150
2N 2219 NPN 800 30 800 100 300 150 1,5 150
2N 2222 NPN 500 40 800 100 300 500 10 0,4 500
2N 2905 PNP 600 -40 -600 100 300 -150 -10 -0,4 -150
BC 547 500 50 200 75 900
BF 336 800 185 100
W V A A V V A
2N 3055 NPN 117 60 15 20 70 4 4 1,1 4
BDX 18 PNP 117 100 -15 20 70 -4 -4 -1,1 -4
TIP 31 NPN 40 40 3 25 1 1,2 3
TIP 32 PNP 40 40 -3 25 -1 -1,2 -3

5.2. Transistors à effet de champ

V(BR)GSS : tension de claquage grille source avec VDS = 0 et IG spécifié
IGSS : courant de fuite total de grille avec VDS=0 et VGS spécifié
VDSS : tension de drain, la grille étant court-circuitée à la source
IDSS : courant de drain pour VGS=0 et VDS=0
ID : courant (continu) de drain
VGsoff : (VB) tension grille source de bloquage
Y21S : admittance de transfert, sortie en court circuit, en source commune est souvent notée g, s’exprime
en mA/V, et mesure la pente de la caractéristique de transfert
RDson : résistance de drain source à l’état passage en continu

Types Canal VBRGSS IGSS IDSS Y21S VGsoff rDson

V nA Min Max Min Max Min max Ω
mA mA mS mS V V
2N 4416 N -30 0,1 5 15 4,5 7,5 -6
2N 3966 N -50 0,1 2 -4 -6 250
2N 4091 N -40 0,2 30 -5 -10 30

Cours d’électronique Page n° 4- 17

La théorie sur l’électronique - les composants de base - Le transistor

6. Montage d’utilisation

Les montages possibles du transistor sont :

• le montage en base commune
• le montage en émetteur commun
• le montage en collecteur commun

Le montage en base commune :

• faible impédance d’entrée (100 ohms)

• grande impédance de sortie (1Mohm)
• pas d’amplification en courant
• grande amplification en tension
• gain moyen en puissance
• pas d’inversion de phase

Le montage en émetteur commun :

• moyenne impédance d’entrée (1 Kohm)

• moyenne impédance de sortie (10 à 30 Kohms)
• amplification en courant élevée (10<= β>=100)
• gain élevé en puissance
• inversion de phase

Le montage en collecteur commun :

• impédance d’entrée élevée (200Kohms)

• faible impédance de sortie (200 ohms)
• amplification en courant élevée ( γ = β +1 )
• pas d’amplification en tension
• faible gain en puissance
• pas d’inversion de phase

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