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TP2 Raibaut Orengo

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Raibaut Marie 13/03/2017

Orengo Aurélie

TP n°2 Hyperfrequences
Exercice 1
On réalise une ligne sans perte demi-onde à la fréquence de 2GHz et d’impédance caractéristique
connecté à une charge d’impédance

1) Pour une ligne sans perte, on a l’expression théorique de l’impédance d’entrée suivante

( )
( )

( ) ( )
(( ) ( ))

De plus, on sait que

On en déduit donc que =


Pour une ligne demi-onde, on sait que (avec )

( ) ( ) ( )
( ( )) ( ( ))

( ) ( ) ( )
( )
( ( )) ( ( ))
Raibaut Marie 13/03/2017
Orengo Aurélie

2) On modélise la ligne par une ligne TLIN, et on simule le dispositif.

3) On retrouve bien les valeurs que l’on attendait soit environs 15 en partie réelle et -60 en
partie imaginaire

Exercice 2
On travaille à une fréquence fixée à 860MHz, avec une charge purement résistive de ZR=75

1) Pour avoir un dispositif qui réalise une adaptation d’impédance avec une charge purement
réelle, on réalise un circuit avec une ligne TLIN avec une résistance en série , et avec
notre source.

Dans ce cas on sait que


De plus la formule suivant lie , , on peut donc calculer √

Raibaut Marie 13/03/2017
Orengo Aurélie

2) Si on est bien adapté, on doit avoir une coefficient de réflexion( S11) nul.

C’est bien ce que l’on observe à 860 MHZ

Exercice 3
Notre circuit est compose d’une ligne d’impédance ZC=50 , et est terminé par un circuit ouvert

1) On a une équivalence tronçons de ligne et impédance. On utilise la formule qui permet d’avoir
l’équivalence :
Donc
La longueur de la ligne est 22,5mm
2) Pour pouvoir faire la simulation, il nous faut connaitre les caractéristiques de la ligne :

Sous ADS, on réalise le circuit suivant :


Raibaut Marie 13/03/2017
Orengo Aurélie

3) Pour une équivalence tronçon de ligne/ capacité, on a l’équation de l’impédance d’entrée


suivante : ( ) ( )

Grace à la simulation, on trouve


Par le calcul, on a

4) L’impédance d’entrée que nous observons après simulation correspond bien à une impédance
d’une capacité d’1pF à 1GHz (Le calcul correspond bien à la simulation).

Exercice 4
On réalise un circuit formé d’une capacité en parallèle avec une conductance de 1mS, ce qui revient à
mettre une capacité en série avec une résistance de . Les résistances d’entrée et de sortie sont de
50

1) Pour avoir la matrice du système, il faut que l’on multiplie la matrice chaine de la capacité en
parallèle avec la matrice chaine de la conductance en parallèle.

( ) ( ) ( )

On extrait les valeurs de A,B,C,D.

A B C D
1 0 jC +G 1
Raibaut Marie 13/03/2017
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On calcule ensuite les paramètres S :

( )
( )

( )
( )

2) Sous ADS, on réalise le circuit suivant :

3) Dans le data display, on calcule les valeurs théoriques et simulé des paramètres S de
transmission, et de réflexion.
Raibaut Marie 13/03/2017
Orengo Aurélie

4) Pour comparer les résultats obtenus et les paramètres S calculés, on fait apparaître les
constantes théoriques calculées sur nos courbes simulées. On remarque bien que nos
constantes théoriques coupent nos courbes à notre fréquence, qui est de 3GHz (avec un petit
décalage pour la partie réelle de S(1,1) et S(2,2)).

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