UNIVERSITE MOULOUD MAMMERI DE TIZI-OUZOU, FACULTE DE GENIE ELECTRIQUE ET

INFORMATIQUE, DEPARTEMENT D’AUTOMATIQUE , MASTER ACADEMIQUE AII ,AS

UNITE : NANOTECHNOLOGIE, PARTIE I

Objectif du cours
1
Au terme de l’enseignement de cette matière, l’étudiant en Master automatique est censé avoir
des notions de base sur les sciences des nanotechnologies et des nanostructures.

PARTIE I : Nanotechnologie et étude des phénomènes physiques dans les nanostructures

I.La nanotechnologie

I.1.Introduction

Les nanosciences et nanotechnologies ou NST, peuvent être définies comme l’ensemble des
études et des procédés de fabrication et de manipulation de structures (physiques, chimiques
ou biologiques), de dispositifs et de systèmes matériels à l’échelle du nanomètre (nm), ce qui
est l’ordre de grandeur de la distance entre deux atomes.

Les nanosciences s’intéressent d’une part, aux nouveaux phénomènes au niveau des nano
objets, et d’autre part, aux interactions entre objets nanométriques. Les travaux des chercheurs
vont de la réalisation, de la synthèse chimique et de l’étude du nano-objet individuel, pour
remonter à ses propriétés intrinsèques, à la réalisation et à l’étude d’assemblées de nano objets
en interaction ou non suivant la densité d’intégration.

Au jour d’aujourd’hui, Les NST font une révolution technologique et scientifique , comme le
montre l'extraordinaire avancée des moyens actuels de communication (téléphone portable,
Internet, ordinateur, écran plat, haut débit, haute résolution...)

Seulement cette révolution technologique n'est que la partie visible de l’iceberg dont la partie
immergée reste à étudier et à développer industriellement, notamment la partie de
« l’infiniment petit ».

Cette notion de la maitrise de l’infiniment petit a était évoquée en premier lieu fin des années
60 par le physicien américain Richard Feynman où il a envisagé un aspect de la physique «
dans lequel peu de choses ont été faites, et dans lequel beaucoup reste à faire » et en se
fondant sur la taille minuscule des atomes, il considère comme possible d'écrire de grandes
quantités d'informations sur de très petites surfaces : « Pourquoi ne pourrions-nous pas écrire
l'intégralité de l'Encyclopædia Britannica sur une tête d'épingle? ».

Ces deux dernières décennies les SNT connaissent un grand essor grâce au développement de
nouveaux outils d’élaboration, d’observation et d’analyse, ces outils seront étudiés en détail
dans la deuxième partie du présent cours.

I.2.Principales disciplines scientifiques relatives aux nanosciences et nanotechnologies

Les nanosciences et nanotechnologies sont à la frontière de plusieurs disciplines à savoir :

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La physique, la chimie, l’électronique, la biologie. Elles sont amenées à relever les défis du
2
futur dans des domaines aussi variés que la santé, les énergies renouvelables, les outils de
communication et bien d’autres encore.

Vu le domaine très vaste des nanosciences et des nanotechnologies, nous avons opté à dédier
ce présent cours principalement à la nanotechnologie relative au domaine de l’engineering.

II. Phénomènes dans les nanostructures et étude à l’échelle nanométrique

Comme nous l’avons expliqué précédemment, la maitrise des nanotechnologies nécessite la

compréhension des phénomènes se produisant dans leurs nanostructures à une échelle
atomique. Pour ce faire, la maitrise de la physique des semi-conducteurs est plus que
nécessaire en sachant que les matériaux semi-conducteurs sont les matériaux clé de la
nanotechnologie relative la discipline de l’engineering.

II.1. Les semiconducteurs

Nous définirons un semiconducteur comme un matériau ou les électrons se répartissent à

une température supérieure au zéro absolu, entre deux bandes d’énergie, séparées par un
intéval d’énergie (de 1 à quelques ev).
Parmi les semiconducteurs, peuvent être classés :

- des éléments simples tel que le silicium et le Germanium

- des composés minéraux binaires (InSb, GaAs, CdTe, CdS, Cu2S…)
- des composés organiques très nombreux (leur étude est en plein développement)

II.1.1.La structure cristalline

Selon l’arrangement des atomes dans les solides, on distingue deux états possibles :

a- Etat amorphe

C’est l’état ou l’arrangement des atomes est aléatoire (tel que les verres).

b- Etat cristallin

Dans cet état les atomes sont arrangés d’une manière régulière au nœud d’un réseau sur
une distance grande comparée à la distance interatomique.
Cet état cristallin se divise en deux sous états :

- Etat monocristallin ou tous les atomes on la même orientation, composition

chimique et position.
- Etat polycristallin qui est l’état ou l’arrangement des atomes comporte plusieurs
orientations.

II.I.2. Electronique du semiconducteur

II.I.2.1. Structure des bandes d’énergies

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Dans un atome isolé, les électrons ne peuvent pas prendre n’importe quelle énergie. Les
3
règles de distribution des niveaux énergétiques ont été énoncées par (Niels Bohr) en 1913.
Lorsque les atomes sont rassemblés pour former un solide, les niveaux discrets de chaque
atome se différencient pour former des bandes continues d’énergie.
C’est ce que l’on appelle la structure de bande des solides.
La figure si dessous (Figure.1.1) représente schématiquement cette structure électronique
pour les trois grandes familles de matériaux :(les métaux, les isolants et les semiconducteurs.)

Bande de conduction Bande de conduction

Eg est de 8à10 eV
Eg est de 1à5eV
Eg =0eV
Bande de valence Bande de valence

Métal Isolant Semiconducteur

Fig.1.1. Structure électronique du Métal, Isolant et du Semiconducteur

Un semiconducteur peut être intrinsèque ou extrinsèque :

a) Semiconducteur intrinsèque

Un semiconducteur intrinsèque est composé d’atomes d’un seul corps chimique (c’est
un semiconducteur pur).

b) Semiconducteur extrinsèque

C’est un Semiconducteur intrinsèque auquel on introduit des impuretés ou en fonction

de ces impuretés (atomes pentavalent ou trivalent) on obtiendra respectivement des
semiconducteurs soit de type N soit de type P.

II.I.3 Le niveau de Fermi

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II.1.3.1 La fonction de Fermi

La fonction de fermi est la suivante :

1
F (E) = (1.1)
E − EF
1 + exp( )
KT

La fonction de fermi représente la probabilité d’occupation d’un niveau d’énergie E par un

électron à la température T (figure.1.2).

F(E)

T₌0

1/2 T≠0

EF E
1/2

Fig.1.2. Représentation de la fonction de Fermi

Alors à T = 0°K, tous les états d’énergie au-dessus de EF sont vides et tous ceux qui se
trouvent en dessous de EF sont occupés.

II.1.3.2 Le niveau de fermi

La position du niveau de fermi dans un semiconducteur diffère en fonction du type du (S.C) :

- pour un (S.C) intrinsèque le niveau de fermi est pratiquement au milieu de la bande

interdite.
- pour un (S.C) extrinsèque type N le niveau de fermi est proche de la bande de
conduction.
- pour un (S.C) extrinsèque type P le niveau de fermi est proche de la bande de
valence.
La représentation de ces trois cas est là-dessous :

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Ec Ec Ec 5

EFN

EF
EFp

EV EV EV
Semiconducteur Semiconducteur
intrinsèque Semiconducteur Etrinsèque Extrinsèque type N
type N
Fig.1.3. Position du niveau de Fermi dans différents types de semiconducteur

Les densités de porteurs pour chaque type de semiconducteur sont [1] :

-Pour un semiconducteur type N :

 E − EF 
n = NC exp  − C 
 KT  (1.2)

-Pour un semiconducteur type P :

 E − EF 
p = NV exp  V  (1.3)
 KT 

p : concentration des trous.

n : concentration des électrons.
Nv : densité d’état dans la bande de valence.
Nc : densité d’état dans la bande de conduction.

II.1.3.3 Semiconducteur dégénéré

Un semiconducteur extrinsèque est dit dégénéré lorsque son niveau de Fermi se situe sur
l’une des bandes permises.

Si EF = EV alors p = Nv
Si EV = EC alors n =Nc

II.1.4 Définition du gap direct et indirect

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La nature du gap d’un matériau joue un rôle fondamental dans l’interaction du
semiconducteur avec rayonnement électromagnétique.

II.1.4.1 Semiconducteur à gap direct

Ce sont les Semiconducteurs dans lesquels le minimum de la bande de conduction et le

maximum de la bande de valence sont situés au même point de l’espace des K.

II.1.4.2 Semiconducteur à gap indirect

Ce sont les Semiconducteurs dans lesquels le minimum de la bande de conduction et le

maximum de la bande de valence sont situés en des points différents de l’espace des K.
-Les deux types de gap sont représentés sur la figure 1.4 :

E E

Gap (Eg)
Gap (Eg)

K K
Semiconducteur à gap indirect
Semiconducteur à gap direct

Fig.1.4. Représentation des deux types de gap des semiconducteurs

II.2. La conjonction PN

Définition

La jonction PN est réalisée par la mise en contact de deux semiconducteurs l’un de type
N et l’autre de type P.
Lorsque le semiconducteur de type P est constitué du même matériau que le semiconducteur
de type N, le système est appelé « Homojonction » ,dans le cas contraire ,on parle
d’hétérojonction.
On fonction du dopage on distingue trois types de jonction :
- jonction abrupte
- jonction graduelle
- jonction réelle

II.2.1.Description phénoménologique

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Lors de la mise en contact des deux semiconducteurs, on remarque que dans la région N
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les électrons qui sont près du plan de jonction diffuse vers le coté P ; chaque électron qui
passe de N vers P donne naissance à une charge positive fixe.Le même phénomène se
reproduit dans la région P ou chaque trou qui passe de P vers N laisse une charge négative
fixe.
Ces charges sont dues aux impuretés ionisées dans chaque côté de la jonction. Près du plan de
jonction il y a apparition d’une zone désertée en porteurs libres, chargée négativement du côté
P et positivement du côté N. C’est la zone de charge d’espace (ZCE) ; il se crée alors un
champ électrique interne Ei dirigé de N vers P et une barrière de potentiel (Vd). Le champ
électrique s’oppose à la diffusion des porteurs majoritaires et favorise le passage des
minoritaires.
Nous déduisons l’expression de Vd comme suit [2] :

Ecp − Ecn
Ed =Ecp – Ecn = Evp – Evn = qVd  Vd = 
q
KT
Vd = Ln ( N D .N A ) (1.4)
q

II.2.2.Le diagramme énergétique

Lorsque les deux matériaux sont mis en contact, leurs niveaux de Fermi s’alignent, cet
alignement entraîne une courbure des bandes d’énergie comme le montre la figure 1.5 :

P N

- ++
- ++
- +
-

-xp 0 xn

- - - -
Ec
qVd
P ----------
EFp Eg Ec
Ev EFN
N Eg
++++++++
Ev
+ + +
W

Fig.1.5.Diagramme des bandes d’énergie

d’une jonction PN à l’équilibre
thermodynamique
La neutralité électrique est donnée par la relation suivante :

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N A X P = ND X N (1.5) 8

Ce qui fait que la charge d’espace se développe principalement dans la région la moins
dopée.
II.2.3 Caractéristique courant- tension de la jonction P N [2]

Soit une jonction PN polarisée par une tension V :

- la densité du courant des trous dans la région N
Dp.Pn0   qv  
Ip = q  exp   − 1 (1.6)
Lp   KT  

- la densité du courant des électrons dans la région P :

Dn.Np0   qV  
In = q  exp   − 1 (1.7)
Ln   KT  

La densité totale dans la jonction :

I = Ip + In 

  qV  Dp.Pn0 Dn.Np0
I = Is  exp  − 1  Eq.1.8 et Is = q +q
  KT   Lp Ln

Is courant de saturation de la jonction.

K constante de Boltzmann.
Dp constante de diffusion de trous minoritaire dans n.
Dn constante de diffusion d’électrons minoritaire dans p.
Ln longueur de diffusion des électrons (e-)
Lp longueur de diffusion des trous (e+)
Npo concentration des électrons minoritaire dans P à l’équilibre.
Pno concentration des trous minoritaire dans N à l’équilibr

L’allure de la caractéristique I (V )est représentée sur la figure 1.6 :

I (mA)

Is V (v)
II.2.4.Polarisation de la jonction PN

Fig.1.6. Caractéristique courant-tension d’une jonction PN

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II.2.4.1.Polarisation directe
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Une jonction PN est polarisée en direct quand la borne positive de la source de tension
est reliée au côté P et la borne négative au côté N de la jonction .Le champ électrique dû a la
polarisation s’oppose à celui de la diffusion. Le champ résultant de leurs différence est
inférieure a celui existant avant la polarisation. En conséquence la ZCE diminue ainsi que la
barrière de potentiel ce qui est représenté sur la figure .1.7 :
P N

Ec
qVd-qVi

P Ec
qVi
EFN
N
EFP

W
Ev
Fig.1.7. Diagramme énergétique d’une jonction PN
polarisée en direct

II.2.4.2.Polarisation inverse

La polarisation inverse consiste à relier le côté N à la borne positive de la source et le

côté P à la borne négative.

Le champ électrique s’ajoute au champ électrique interne donc le champ résultant de

leurs somme est plus grand, ce qui nécessite un plus grand nombre de charges ioniques pour
son maintien. En conséquence la ZCE augmente. En terme de bandes d’énergie la polarisation
inverse fait élever le diagramme énergétique du côté P et l’abaisse du côté N.

Le potentiel de polarisation s’ajoute à celui de diffusion, la barrière de potentiel est plus

haute. Les porteurs majoritaires de chaque côté rencontre une plus grande opposition pour
diffuser de l’autre côté de la jonction, tandis que les porteurs minoritaires sont mieux aidés à
traverser la jonction. Le diagramme énergétique de la jonction PN est représenté sur la
Figure.1.8 :

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P N 10

+ - - - + +
- ++
++
- - - ++

- - -
Ec
qV’’d=qVd-qVi

qVj ----------- Ec

EFN

W’’

Fig.1.8. Diagramme énérgitique d’une jonction PN polarisée en

inverse

II.3.phénomènes physique à l’échelle nanométrique

Dans le cas des semi-conducteurs à l’échelle nanométrique, on assiste à l’apparition d’un effet
quantique, alors qu’une diode électroluminescente macroscopique a une couleur fixée, des
nanoparticules du même matériau auront une couleur dépendant directement de leur taille. Il
en va de même pour d’autres propriétés fondamentales, comme la température de fusion : une
nanoparticule d’or de 3 nm de diamètre devient liquide à une température deux fois plus basse
que l’or massif.

II.3.1. Morphologie et structure des nano particules

Vu la complexité de la structuration des nanomatériaux, les scientifiques ont établi quelques

classifications pour mieux les étudier et qui sont basées généralement sur leurs structures,
leurs géométries et leurs dimensions. Les nanomatériaux sont des matériaux avec des
structures qui contiennent au minimum une dimension qui est égale ou inférieure à 100 nm.
Cela dit, ils sont classés selon leur dimensionnalité comme suit:

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a) NANO-O : On dit nanomatériaux de dimension 0, quand tous les axes ou bien les trois
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dimensions de la particule ont environ la même longueur et sont de l'ordre du nanomètre. Ce
genre de nanomatériaux est obtenu par une phase vapeur sursaturée par exemple: Agrégats,
amas, nanoparticules, cristallites quantiques, nano cristaux, nano phases, poudres ultrafines,
milieux hautement dispersés ...

b) NANO-l : Pour les nanomatériaux de dimension 1; on parle de nanotubes, nano fils

lorsque on a deux axes de l'ordre du nanomètre précisément d'un nanomètre à quelques
dizaines de nanomètres, mais pas le troisième axe, car ce dernier doit être plus important de
500 à 10000 nanomètres afin de former une structure allongée. On peut citer par exemple les
nanotubes de carbones (NTC) généralement constitués de plusieurs tubes concentriques, les
nanomatériaux de cette dimension sont assez souvent utilisés pour la transmission des signaux
électriques.

c) NANO-2 : Dans cette catégorie de nanomatériaux de dimension 2 on trouve les couches

ultrafines réalisées par un dépôt d'agrégats ou d'atomes dans ce cas les particules possèdent
seulement une seule dimension de l'ordre du nanomètre par exemple: Couches minces,
revêtements et membranes submicroniques nano-structurés, nano-argiles exfoliées (nano
clays), les multicouches font aussi partie de cette catégorie même si leurs compositions
chimiques peut être différentes des couches simples. Ces couches minces peuvent être
homogènes ou bien constituées de nano-blocs, ces dernières sont généralement préparées par
différentes techniques d’élaborations que nous allons étudier par la suite.

d) NANO-3 : Les matériaux nano-structurés en volume ou nano-phasés ont généralement une

forme compacte, ils sont constitués de grain monophasé ou polyphasé ayant une taille de
l'ordre de 1 nanomètre à 100 nanomètres, leurs structures intrinsèques nanométriques leurs
donnent des propriétés physiques particulières et d'excellentes propriétés magnétiques telles
qu’une forte perméabilité et une bonne aimantation. On peut citer par exemple: Poly-cristaux
à grains submicroniques, matériaux nano-structurés, revêtements et membranes épaisses
nano- structurés, solides nano-organisés, nano-céramiques, nano-composites ...

Nano-0 Nano-1

Nanomatériaux de dimension 0 Nanotubes

Nano-2 Nano-3
matéri
aux
nano-
structu
Matériaux
rés en nano-structurés en surface Matériaux nano-structurés en volume
volum
e
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Avec ces éléments de base on peut construire de microsystèmes et des nano systèmes qui
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correspondent à des systèmes intelligents multifonctionnels miniaturisés avec des fonctions de
détection, d’actionnement et de traitement.

Figure 2. 2 Illustration de micro et nano système.

L'épaisseur de l'échantillon déposé joue un rôle important dans les propriétés électriques des
nanomatériaux, car une épaisseur très réduite va donner des grains non percolés et par la suite
une très faible conductivité. Cependant, si la taille des grains est de l'ordre du nanomètre de
nouvelles propriétés électriques apparaissent.

II.3.2. Propriétés magnétiques des nanomatériaux

Les propriétés magnétiques des matériaux dépendent de la dimension des grains cristallins.
L'utilisation des nanomatériaux a permis l’obtention de nouvelles propriétés magnétiques qui
n’existaient pas avec des matériaux classiques. Nous pouvons voir les applications des
nanostructures magnétiques dans différents domaines:

a- Le domaine médical : Grâce aux nanoparticules magnétiques, il est désormais possible de

faire une manipulation à distance par champ magnétique. Sans oublier que la petite taille des
nanoparticules offre à son tour d'autres avantages tels que la possibilité de se transporter dans
les vaisseaux, les tissus et même les cellules en toute sécurité, car les forces magnétiques
existantes dans les nanoparticules sont considérablement faibles et ne détruisant pas les tissus
vivants. D' ailleurs, elles sont utilisées comme agents de contraste en IRM .

b-Le domaine de l'enregistrement magnétique dans le domaine du stockage sur une interface
magnétique tel que les disques durs par exemple a atteint une densité surfacique phénoménale
qui franchit le cap des 10 Gigabits par centimètre carré garce à l' utilisation des
nanotechnologies. Grâce aux nanostructures et la possibilité de contrôler leurs structures à
l'échelle nanométrique, on peut désormais contrôler la polarisation en spin du courant puisque
cette dernière diffuse sur une longueur de l'ordre du nanomètre et ainsi contrôler les propriétés
électriques à partir du champ magnétique et vice-versa. Récemment on a découvert une autre

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propriété remarquable, cette propriété permet de commander l’aimantation de la couche magnétique

grâce au courant polarisé en spin . 13

II.3.3. Propriétés optiques des nanomatériaux

Les propriétés optiques pour n' importe quel matériau sont définies par l’interaction de la
lumière avec la matière. Cependant, parmi les propriétés optiques les plus intéressantes dans
les nanomatériaux on trouve :

a-La photoluminescence qui résulte de la recombinaison des paires électron-trou. Ainsi ce

phénomène va créer une émission de lumière dans le visible. Mais ce qui la rend intéressante
dans les nanomatériaux, c'est que cette dernière est déplacée vers les hautes fréquences. Les
semi-conducteur de type III-V sont les plus adéquats pour cette propriété surtout pour la
fabrication des diodes a émission de lumière.

b-La zone d'absorption de l’ultraviolet se réfère à la bande interdite des isolants. Pour les
nanomatériaux, les pics d'absorption sont aussi déplacés vers les hautes fréquences, ce qui est
très intéressant pour applications photovoltaïques dans le filtrage des rayons solaires.

NB : la deuxième partie du présent cours vous sera communiquée et enseignée incessamment

en présentiel.

Bonne lecture à tous.

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