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UE EEA316 ElPui Séance 01

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Année académique 2019/2020

UE EEA316
TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS ET
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

PARTIE :
ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

Pr Adolphe MOUKENGUE IMANO


Faculté de Génie Industriel
Université de Douala
moukengue@univ-douala.com
Tél. 00237-99845755
1
Electronique de Puissance 1

Objectifs du cours
• comprendre les principes de bases et les
fonctionnements des systèmes actuels incluant des
montages d’électronique de puissance. .

• A l'issue de ce cours, l'élève doit être capable


d'appliquer des méthodes d’analyse aux
convertisseurs statiques (hacheurs avec et sans
isolation, onduleur de tension, onduleur de courant,
redresseur triphasé et gradateur) et de maîtriser les
principes de base de l’électronique de puissance.
2
Electronique de Puissance 1

Programme
0. Introduction
I. Interrupteurs de l’électronique de puissance
II. Redresseurs et onduleurs assistés monophasés
III. Hacheurs
IV. Onduleur autonome monophasé
V. Gradateurs Monophasé

3
Electronique de Puissance 1

Bibliographie
1°) « Alimentation à découpage. Convertisseurs
à résonance »-J.P. Ferrieux & F. Forrest-DUNOD,
3ème édition-1999.
2°) « L'électronique de puissance »-G. Séguier-
DUNOD-Paris-1990.
3°) « Commutateur de courant à thyristors »-H.
Foch, Y. Cheron, R. Arches, B. Escaut, P. Marty &
M. Metz, Techniques Ingénieur, 1993.
4
Electronique de Puissance 1

INTRODUCTION
À L’éLECTRONIQUE DE PUISSANCE

5
Introduction à Electronique de Puissance

L’Électronique de Puissance est une discipline


scientifique et technique, statut acquis depuis les
années 1980, discipline vaste de connaissances et
de technologies.

6
Introduction à Electronique de Puissance

Domaines d’utilisation

7
Introduction à Electronique de Puissance

La réussite d'un convertisseur de puissance, en tant


que produit industriel, repose sur la maîtrise de
nombreux phénomènes physiques, dans plusieurs
domaines.
Pour autant, il serait délicat d'avancer une définition
précise des concepts, technologies et techniques
que recouvre l'acronyme «électronique de
puissance ».
8
Introduction à Electronique de Puissance

Cette discipline soutient la réalisation de fonctions


essentielles au sein de systèmes, dont le grand
public ne voit en fin de compte que la finalité.

Chaque utilisateur d’ascenseur, par exemple, sait


que chaque ascenseur est muni d’un moteur
électrique; il ne soupçonne pas la place de
l'électronique de puissance dans ce «produit».

L'électronique de puissance alimente en énergie les


fonctions d'un système «électronique», quel qu'il
soit.
9
Introduction à Electronique de Puissance

À l'heure où le pétrole se raréfie et que la


conscience écologique promeut des énergies
propres, l'électronique de puissance est propulsée
au premier plan.

L'industrie de l'électronique de puissance est


contrainte de produire plus de convertisseurs, avec
des performances accrues et pour un coût de plus
en plus réduit.

Ces performances vont dans le sens d'un meilleur


rendement et d'une puissance massique
augmentée. 10
Introduction à Electronique de Puissance

L'électronique de puissance s'apparente à


l'électrotechnique, et renvoie à de grosses
installations.

Mais sans électronique de puissance en termes de


techniques et de concepts, les produits nomades
(ordinateurs, lecteurs...) n'auraient pas connus le
développement que l'on sait.

À toute petite échelle, l'électronique de puissance


s'appelle la «gestion de l'énergie».
C'est finalement le but premier de tout
convertisseur. 11
Introduction à Electronique de Puissance

C'est l'électronique qui s'est emparée des concepts


de l'électronique de puissance, ou bien
l'électronique de puissance, en tant que discipline,
qui s'intéresse à des produits de toute petite
puissance (moins du Watt) comme à ceux mettant
en jeu des puissances colossales (plusieurs
mégaWatt).

12
Introduction à Electronique de Puissance

L’Electronique de Puissance est une discipline, vouée


à la conversion de l’énergie, c'est-à-dire le moyen de
fournir précisément à une charge l'énergie électrique
dont elle a besoin, quant elle en a besoin, et ce à partir
d'une ou plusieurs sources primaires d'énergie.

13
Introduction à Electronique de Puissance

L'Électronique de Puissance évolue très vite, et par


sauts technologiques.
C’est ainsi que l'Électronique de Puissance
d’aujourd’hui et de demain est caractérisée par: la
course à l'intégration pour les petites ou moyennes
puissances, ou bien le prélèvement direct de l'énergie
sur un réseau, pour les sources de très haute tension,
par exemple.
14
Introduction à Electronique de Puissance

C’est ça l’Electronique
de Puissance,…

… et c’est à découvrir dans


notre cours !!!

15
Chapitre 1 :

INTERRUPTEURS DE
L’éLECTRONIQUE DE PUISSANCE

16
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

 Introduction
 Diode,
thyristor,
Triac,
 GTO
 Transistor bipolaire,
transistor MOS et
IGBT
17
Introduction aux Interrupteurs électroniques
Les composants semi-conducteurs de puissance sont les composants actifs du
contrôle et de la conversion de l'énergie électrique.
À l'origine, ils sont sous-produits du gigantesque effort technologique qui a
conduit à l'émergence de l'électronique à l'état solide puis de la
microélectronique.
Mais leur développement est rapidement devenu autonome, associé à celui de
l'électronique de puissance.
Les semi-conducteurs de puissance sont principalement destinés à des
fonctions d'interrupteur, et, si les principes physiques mis en jeu sont les
mêmes que pour les autres composants semi-conducteurs, les structures et les
technologies (et les problèmes posés par leur mise en œuvre) sont très
différents.
Le champ de connaissances qui les concerne se situe à l'intersection de la
physique électronique des solides, de la technologie microélectronique, de
l'électronique de puissance, de l'analyse des systèmes, pour ne citer que les
principales disciplines.
18
Introduction aux Interrupteurs électroniques
ClassifiCation
Les semi-conducteurs de puissance actuels peuvent être classés en trois
catégories :
Diodes. États fermé ou ouvert contrôlés par le circuit de puissance.
Thyristors. Fermé par un signal de commande, mais doit être ouvert par le
circuit de puissance.
Interrupteurs commandables à l'ouverture et à la fermeture. Ouverts et
fermés par un signal de commande.

La catégorie des interrupteurs commandables inclut de nombreux types de


composants :
Transistors Bipolaires à Jonctions (Bipolar Junction Transistors - BJTs) ;
Transistors à effet de champ Metal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFETs) ;
Thyristors commandés à l'ouverture (Gate-Turn-Off Thyristors - GTO
Thyristors) ;
Transistors bipolaires à grille isolée (Insulated Gate Bipolar Transistors -
IGBTs) ;
Thyristors MOS Commandés (MOS-Controlled Thyristors - MCTs).
19
Introduction aux Interrupteurs électroniques
Bref histoire
Par rapport aux composants de traitement numérique du signal, les
composants semi-conducteurs de puissance ont connu une évolution décalée
dans le temps mais tout aussi spectaculaire. Depuis les premiers redresseurs ,
d'abord au germanium (1952) puis au silicium (1955), et les premiers thyristors
(1957), les progrès dans les technologies et les structures ont permis d'enrichir
considérablement la panoplie de l'électronicien de puissance. On doit citer les
transistors bipolaires de puissance, apparus au début des années 1960, ainsi
que de nombreux composants dérivés du thyristor primitif : triac (1964),
thyristor asymétrique, à conduction inverse, à déclenchement optique, dont
l'évolution se poursuit.
Les thyristors Gate-Turn-Off (GTO) ne sont parvenus que plus tard, dans les
années 1980, à la maturité industrielle.
Les apparitions successives des transistors MOS de puissance et de toute une
gamme de composants plus complexes associant l'effet de champ à l'effet
bipolaire (le transistor «IGBT » en est l'exemple le plus représentatif) ont enfin
jalonné les deux dernières décennies, préfigurant un changement qualitatif
d'importance dans l'intégration de puissance.
20
Introduction aux Interrupteurs électroniques
Grades familles des diodes

21
Introduction aux Interrupteurs électroniques
les thyristors

22
Introduction aux Interrupteurs électroniques
les transistors iGBt

23
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

LA DIODE

24
La diode
La diode est passante sous polarisation anode-cathode
directe, bloquée sous polarisation inverse, le
changement d'état résultant simplement du
changement de polarisation après un transitoire de
recouvrement qui, à la mise en conduction, se manifeste
par une onde de surtension et, au blocage, par une
onde de courant inverse véhiculant la charge recouvrée.

25
La diode

Voir illustration

26
La diode

27
La diode
Schémas électriques équivalent de la diode :
Interrupteur (Diode idéale

Force contre électromotrice

Force contre électromotrice avec résistance

28
La diode
Commutation à la fermeture
A la commutation de l'état ouvert à l'état fermé, la diode peut être considérée
comme un interrupteur idéal car cette transition s'effectue rapidement vis à vis
des phénomènes transitoires relatifs aux circuits de puissance.

29
La diode
Commutation à l’ouverture
Lors de la commutation de l'état fermé à l'état ouvert, l'annulation du courant
dans la diode dure un temps trr (reverse-recovery time)

30
La diode
Les diodes de puissance
Selon les besoins nécessités par les applications, divers types de
diodes de puissance particulières sont utilisées :

1°) Diodes Schottky. Ces diodes sont utilisées lorsqu'une faible


chute de tension en direct (typiquement 0,3V) est nécessaire dans
les circuits à très faible tension de sortie. Ces diodes sont limitées
au niveau de leur tension de blocage en inverse à 50-100 V.

2°) Diodes à commutation rapide. Ces diodes sont utilisées dans


les circuits haute fréquence en combinaison avec des
interrupteurs commandables lorsqu'un faible temps de
commutation est nécessaire. A des niveaux de puissance
correspondant à plusieurs centaines de volts et plusieurs
centaines d'ampères, de telles diodes possèdent un temps trr
inférieur à quelques microsecondes. 31
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

LE THyRISTOR

32
Le thyristor
gâchette

cathode

cathode
anode

33
Le thyristor

34
Le thyristor

35
Le thyristor
Le thyristor est une diode commandable à la fermeture.
Le courant principal dans le thyristor circule de l'anode (A) vers la
cathode (K). En polarisation directe, le thyristor possède deux
caractéristiques selon qu'il est commandé ou non.
Il peut supporter une tension directe positive sans conduire.
Lorsque le thyristor est polarisé en direct, il peut être placé dans l'état
on en appliquant une impulsion de courant positive sur la gâchette (G).

36
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

LE TRIAC

37
Le triac
Le triac est l’équivalent de deux thyristors montés en antiparallèle
(tête-bêche).

Fonctionnement:
 commutateur bidirectionnel
 mise en conduction : impulsion de courant > 0 ou < 0 sur la
gâchette, quelque soit le sens du courant IA1A2 qui traverse le triac,
 extinction : lorsque | IA1A2 | < | IH |

38
Le triac
Applications:
Relais statique (d'après doc Motorola MOC 3061)

39
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

LE GTO (Thyristors
commandés à l’ouverture)

40
Le thyristor commandé à l’ouverture (GTO)

Comme le thyristor, le GTO peut être commandé de l'état off à


l'état on par une impulsion de courant brève appliquée sur la
gâchette.
Le GTO peut en plus être commandé de l'état on à l'état off par
application d'une tension Gâchette-Cathode négative, créant un
fort courant négatif de gâchette.
Ce fort courant négatif de gâchette doit seulement être maintenu
pendant quelques microsecondes (durant le temps de
commutation on-off), mais il doit avoir une amplitude importante,
typiquement un tiers du courant d'anode devant être annulé.

41
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

LE TRANSISTOR
bIPOLAIRE
42
Le transistor bipolaire
Le transistor bipolaire est un générateur de courant commandé en
courant :
• Effet transistor : IC = bIS
b (également noté h21E) >> 1 est le coefficient
d'amplification de courant
• Loi des noeuds : IE = IC + IB » IC
• Jonction base-émetteur : VBE » 0,7 V

43
Le transistor bipolaire
Effet transistor:

Effet de base mince, qui permet le contrôle du courant principal IC


par le courant de base IB.

44
Le transistor bipolaire
Limites de fonctionnement:
Le point de fonctionnement doit toujours se situer à l'intérieur
d'une zone, appelée aire de sécurité, délimitée dans le réseau
IC(VCE) par le courant direct maximal admissible ICmax, la tension
collecteur/émetteur maximale VCEma, et la puissance maximale
Pdmax que peut dissiper le transistor.

45
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

LE TRANSISTOR
MOSFET
46
Le transistor MOSFET
Le transistor à effet de champ (MOSFET) est un générateur de
courant commandé en tension:

Avantage : très grande impédance d'entrée (à cause de l'isolation


de la grille dans le cas du MOSFET) Þ interfaçage direct possible
d'un système numérique avec un système de puissance.
Inconvénients : mauvaise linéarité (caractéristique d'entrée
parabolique) Þ peu utilisé en classes A ou B ; dispositif limité vers
les courants forts. 47
Le transistor MOSFET
Présentation:
L'effet de champ est un effet électrostatique. La zone du substrat
située entre drain et source, appelée "canal", devient conductrice
lorsque la grille est polarisée positivement.

Electrodes : G = Grille (commande) ; D = Drain S = Source

48
Le transistor MOSFET
Réseau de caractéristiques:

49
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

LE TRANSISTOR
IGbT
50
Le transistor IGBT

51
Le transistor IGBT
Un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor ou transistor
bipolaire à grille isolée) associe un transistor MOSFET en
commande et un transistor bipolaire en sortie classe D.

Electrodes : grille G, collecteur C et émetteur E

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Le transistor IGBT

Avantages :

 Grande impédance d'entrée (MOSFET)

faible VCE sat (t. bipolaire), donc peu de pertes par


RDS ON

temps de commutation réduits

composant robuste (supporte des surcharges


importantes de courant, idéal pour les démarrages
moteurs)
53
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

SyNTHèSE DE COMMUTATION:
DIODE, THyRISTOR, TRIAC,
GTO

54
55
INTERRUPTEURS DE L’éLECTRONIQUE
DE PUISSANCE

SyNTHèSE DE COMMUTATION:
TRANSISTORS bIPOLAIRE,
MOSFET , IGbT

56
57
Electronique de Puissance 1

FIN
Chapitres 1 :

58

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