Laporan Lab Karakteristik Transistor NPN & PNP
Laporan Lab Karakteristik Transistor NPN & PNP
Laporan Lab Karakteristik Transistor NPN & PNP
Semester 3
Nilai :
V.1. TUJUAN
Grafik diatas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan
dioda emitter-basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter
menurut tegangan emitter ke basis akan serupa dengan karakteristik
maju dari dioda hubungan p-n.
Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barrier-
nya, maka arus basis (IB) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi
VCE = VCC - IC RC
PD = VCE.IC
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7
volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base karena
tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.
Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai
tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan
ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan
saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada sistem
digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat
direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.
Aplikasi transistor tidak dibatasi sebagai rangkaian penguat signal
saja, transistor juga dapat dimanfaatkan sebagai saklar elektronik untuk
komputer dan aplikasi kontrol.
1. Power supply DC
2. Power supply AC
3. Multimeter
4. Dioda Silikon
8. Osiloskop
1. Rangkailah Gambar 5.5, buatlah agar VCE tetap 5 volt. Ubahlah nilai
IB IB mulai dari 10 C dan VBE.
IC
Hitunglah HFE .
IB
5. Rangkailah Gambar 5.7, ubahlah VCE mulai dari 0,1V sampai 5V dan
ubahlah nilai IB dari 25 5). Ukurlah
nilai IC. Catat hasil pengukuran pada Tabel 5