Location via proxy:   [ UP ]  
[Report a bug]   [Manage cookies]                

Laporan Lab Karakteristik Transistor NPN & PNP

Unduh sebagai pdf atau txt
Unduh sebagai pdf atau txt
Anda di halaman 1dari 23

Laboratorium Pengukuran dan Rangkaian Listrik

Semester 3

Nama Job : Laporan Karakteristik Transistor NPN & PNP


Nama Praktikan : Aqshal Bagus Syafi (1903311083)
Kelas : TL – 3A
Tanggal Praktik : 16 Oktober 2020
Tanggal Pengumpulan : 27 November 2020

Nilai :

Prodi Teknik Listrik


Jurusan Teknik Elektro
Politeknik Negeri Jakarta

Laboratorium Elektronika Semester III 25


BAB V
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

V.1. TUJUAN

Setelah selesai percobaan praktikan diharapkan dapat :

a. Menggambarkan karakteristik transistor

b. Menampilkan karakteristik input dan output dengan osiloskop

c. Memanfaatkan rangkaian–rangkaian transistor dan prinsip dasarnya


dalam dunia elektronik.

V.2. DASAR TEORI

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran elektron


sebagai prinsip kerjanya. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP,
konstruksi transistor dapat dilihat pada Gambar 5.1.

Gambar 5.1 Konstruksi transistor tipe NPN dan PNP

Karakteristik sebuah transistor biasanya dilihat dari karakteristik


rangkaian dengan konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan
ground), seperti ditunjukkan pada Gambar 5.2.

Laboratorium Elektronika Semester III 26


Gambar 5.2 Rangkaian pengukuran karakteristik transistor

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari


rangkaian Gambar 5.2, yaitu :

1. Karakteristik input transistor, arus basis IB sebagai fungsi VBE.

Gambar 5.3 Grafik IB fungsi VBE pada transistor NPN

Grafik diatas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan
dioda emitter-basis dibias maju sehingga perubahan arus emitter
menurut tegangan emitter ke basis akan serupa dengan karakteristik
maju dari dioda hubungan p-n.
Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barrier-
nya, maka arus basis (IB) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi

Laboratorium Elektronika Semester III 27


potensial barrier-nya, arus basis (IB) akan naik secara cepat.

Laboratorium Elektronika Semester III 28


2. Karakteristik output transistor, arus IC sebagai fungsi VCE

Gambar 5.4 Grafik IC fungsi VCE pada transistor NPN

Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan


daerah kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off,
kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown.
Daerah Aktif

Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif,


dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini
diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah
kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).
Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop

kolektor (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan :

VCE = VCC - IC RC

Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :

PD = VCE.IC

Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur


transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui
spesifikasi PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja
maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab

Laboratorium Elektronika Semester III 29


jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax, maka transistor dapat
rusak atau terbakar.
Daerah Saturasi

Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7
volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base karena
tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.

Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai

tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan
ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan
saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada sistem
digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat
direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.
Aplikasi transistor tidak dibatasi sebagai rangkaian penguat signal
saja, transistor juga dapat dimanfaatkan sebagai saklar elektronik untuk
komputer dan aplikasi kontrol.

V.3. DAFTAR PERALATAN

1. Power supply DC

2. Power supply AC

3. Multimeter

4. Dioda Silikon

5. Potensiometer 10kΩ; 1kΩ;


470kΩ

6. Resistor 33kΩ; 100Ω; 3k3Ω;


10Ω

7. Transistor NPN ZTX857 &


PNP ZTX214A

8. Osiloskop

Laboratorium Elektronika Semester III 30


V.4. DIAGRAM RANGKAIAN

Gambar 5.5 Rangkaian transistor NPN 2N2218

Gambar 5.6 Rangkaian transistor PNP 2N4398

Laboratorium Elektronika Semester III 31


Gambar 5.7 Skema Rangkaian transistor NPN 2N2218 untuk melihat
karakteristik IC sebagai fungsi V CE (karakteristik output)

Laboratorium Elektronika Semester III 32


Gambar 5.8 Skema Rangkaian transistor PNP 2N4398 untuk melihat
karakteristik IC sebagai fungsi VCE (karakteristik output)

V.5. PROSEDUR PERCOBAAN

1. Rangkailah Gambar 5.5, buatlah agar VCE tetap 5 volt. Ubahlah nilai
IB IB mulai dari 10 C dan VBE.

IC
Hitunglah HFE .
IB

Laboratorium Elektronika Semester III 33


Catat hasil pengukuran dan perhitungan pada Tabel 1.

2. Perhatikan cara mengukur parameter dengan menggunakan satu


multimeter sebagai berikut:
Titik-titik pengukuran arus harus di hubung singkat pada saat
multimeter digunakan untuk mengukur titik yang lain.
Titik-titik pengukuran tegangan harus dibiarkan terbuka pada saat
multimeter digunakan untuk mengukur titik yang lain.
3. Masih dengan gambar yang sama Gambar 5.5, ubahlah VCE mulai dari
0,1V sampai 5V dan ubahlah nilai IB dari 25
Tabel 2). Ukurlah nilai IC . Catat hasil pengukuran pada Tabel 2.
4. Ulangi langkah 1,2,3 untuk rangkaian Gambar 5.6. Catat hasil
pengukuran pada Tabel 3 dan 4.
Perhatikan : polaritas pada multimeter harus disesuaikan.

5. Rangkailah Gambar 5.7, ubahlah VCE mulai dari 0,1V sampai 5V dan
ubahlah nilai IB dari 25 5). Ukurlah
nilai IC. Catat hasil pengukuran pada Tabel 5

6. Untuk menampilkan karakteristik, ubahlah format YT menjadi XY.


Gambarkanlah grafik yang tampak pada layar osiloskop di kertas
milimeter blok.
7. Ulangi langkah 5 dan 6 untuk rangkaian Gambar 5.8.

Laboratorium Elektronika Semester III 34


V.6. DATA

Laboratorium Elektronika Semester III 35


Laboratorium Elektronika Semester III 36
V.7. ANALISA

Laboratorium Elektronika Semester III 37


V.8. KESIMPULAN

Laboratorium Elektronika Semester III 38


V.9. GRAFIK

Laboratorium Elektronika Semester III 39


Laboratorium Elektronika Semester III 40
Laboratorium Elektronika Semester III 41
Laboratorium Elektronika Semester III 42
V.10. ANALISA GRAFIK

Laboratorium Elektronika Semester III 43


V.11. TUGAS DAN PERTANYAAN

Laboratorium Elektronika Semester III 44


Laboratorium Elektronika Semester III 45
Laboratorium Elektronika Semester III 46
Laboratorium Elektronika Semester III 47

Anda mungkin juga menyukai