Este documento contém 4 perguntas sobre semicondutores e circuitos com díodos. A primeira pergunta define semicondutor e quando díodos permitem passagem de corrente. A segunda pergunta calcula a concentração de cargas e tensão em um semicondutor. A terceira pergunta calcula a resistência total de um díodo. A quarta pergunta desenha uma curva de carga e calcula potência para um circuito com dois díodos.
Este documento contém 4 perguntas sobre semicondutores e circuitos com díodos. A primeira pergunta define semicondutor e quando díodos permitem passagem de corrente. A segunda pergunta calcula a concentração de cargas e tensão em um semicondutor. A terceira pergunta calcula a resistência total de um díodo. A quarta pergunta desenha uma curva de carga e calcula potência para um circuito com dois díodos.
Este documento contém 4 perguntas sobre semicondutores e circuitos com díodos. A primeira pergunta define semicondutor e quando díodos permitem passagem de corrente. A segunda pergunta calcula a concentração de cargas e tensão em um semicondutor. A terceira pergunta calcula a resistência total de um díodo. A quarta pergunta desenha uma curva de carga e calcula potência para um circuito com dois díodos.
Este documento contém 4 perguntas sobre semicondutores e circuitos com díodos. A primeira pergunta define semicondutor e quando díodos permitem passagem de corrente. A segunda pergunta calcula a concentração de cargas e tensão em um semicondutor. A terceira pergunta calcula a resistência total de um díodo. A quarta pergunta desenha uma curva de carga e calcula potência para um circuito com dois díodos.
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Electrónica Analógica_I 1ª PROVA – modelo
1 – O que entendes por semicondutor (S/C)?
a) Diga em que condições os S/C deixam passar a corrente eléctrica? b) Qual é a principal aplicação dos díodos em circuitos electrónicos?
2 – No circuito da figura abaixo, a resistência do bloco (Rb) de área S, é
constituída por semicondutor de Silício (Si), com impurezas doadoras. Sabe-se que EFi – EFn = – 0,15 ēV; q= 1,6x10-19 C; kT = 26,0mēV; R = 70Ω e U = 50V. - Se a 300°K; ni = 1,5x1010 ē/cm3; µn = 1350 cm2 /V.s e µp = 480 cm2 /V.s. Calcular: a) A concentração de electrões e lacunas? b) A d.d.p aos terminais do bloco Ub?
3 – A resistência da região p de um díodo normal é igual a 5Ω e da região n é
3Ω. Qual é a resistência total do díodo? Porquê a resistência na região p é maior que na n?
4 – Dada as figuras abaixo, determine:
a) O valor de R, considerando que o díodo é real, com RD igual a 10Ω?
b) O valor de R, considerando que o díodo é real e que está operando na 2ª Aproximação? c) A potência fornecida pela fonte (Uin), no caso ideal?
O prof. - Danilson da Conceição
Electrónica Analógica_I 1ª PROVA – modelo
1 – O que entendes por semicondutor (S/C)?
a) Quem é o responsável principal pela diferenciação entre materiais; condutores, isoladores e semicondutores? b) Diga em que condições um díodo deixa passar a corrente eléctrica?
2 – No circuito da figura abaixo, a resistência do díodo (bloco) RD de área S, é
constituída por semicondutor de Silício (Si) intrínseco. Sabe-se que: q= 1,6x10-19 C; R =2kΩ e VCC =30V. - Se a 300°K; ni =1,5x1010 ē/cm3; µn =1350 cm2/V.s e µp = 480 cm2 /V.s. a) Calcular a d.d.p aos terminais do díodo VD a temperatura de 500°K?
3 – A resistência da região p de um díodo normal é igual a 5Ω e da região n é
3Ω . Qual é a resistência total do díodo? Porquê a resistência na região p é maior que na n?
4 – Dada a figura abaixo, com os seguintes dados:
Vin= 12V; R= 700Ω; RD1 = RD2 = 100Ω; RL = 2,3KΩ; Vɣ1 = 0,5V e Vɣ2 = 0,7V. a) Considerando D2 ideal, desenhe a recta de carga para D1 real? b) Determine a potência consumida pela carga RL, segundo as considerações dos díodos na alínea acima?