Materiais Semicondutores

Centro Universitário Geraldo di
Biase
FERP
Materiais
semicondutores
Roberta Magalhães
Mariano
robertammagalhaes@yahoo.com.br
Definição
Sólidos cristalinos que apresentam condutividade
intermediária entre os materiais condutores e isolantes.
Materiais que conduzem corrente elétrica melhor que os

isolantes. Entretanto, não apresentam melhor desempenho
do que os metais.
Classificação quanto à
condução de corrente elétrica
Condutores
Átomos possuem grande quantidade de elétrons livres que no
caso dos metais (elétrons de valência) são os responsáveis
pela corrente elétrica. Têm menos de 4 elétrons na camada
de valência.
Metais possuem uma estrutura química tal que os elétrons

de valência não estão associados a um determinado
átomo. Pelo contrário estes circulam por todo o metal
(ligação metálica).
Ex: Cu, Au, Zn
Classificação quanto à
condução de corrente elétrica
Isolantes
Átomos possuem poucos elétrons livres. Têm mais de 4 elétrons na

camada de valência.
Ex: elastômeros, vidros, parafina, etc
Semicondutores
Possuem quatro elétrons na camada de valência que associam-se a
átomos vizinhos através de ligações covalentes em que existe uma
partilha de elétrons entre os átomos.Resultando um orbital de 8
elétrons, o que corresponde a um sistema bastante estável.
Características intermediárias entre condutores e isolantes.

Ex: Ge K=2 L=8 M=18 N=4 (32 elétrons)
Ex: Si K=2 L=8 M=4 (14 elétrons)
Tabela periódica
Características
Silício e Germânio
Influências da temperatura, luz e impurezas

Características
A baixas temperaturas, os semicondutores se
comportam como isolantes. Sob temperaturas altas,
luz ou com adição de impurezas, os semicondutores
podem ter o aumento da condutividade comparada aos
metais.
São formados por ligações covalentes gerando

tetraedros.
Passagem do elétron
Quanto maior a distância da
banda proibida, menor a
capacidade de
condutividade elétrica do
material. Maior será a
quantidade de energia
necessária para a
passagem de um elétron
para a banda de valência.
Tipos de semicondutores
Semicondutores do grupo IV (Si, Ge, C)
Ligação covalente – 2 elétrons compartilhados por 2 átomos.
Ex: Si (1s2 2s2 2p6 3s1 3p3)
Cada átomo de Si (ligado a 4 átomos de Si) contribuem com um elétron para
a ligação. Núcleo dos átomos de
silício com 4 elétrons
Aplicação: 95% dos dispositivos de valência
eletrônicos são fabricados com Si.
Elétrons de valência
+4 +4
Ligações covalentes
+4 +4
Tipos de semicondutores
Semicondutores do grupo III-V
Contém um elemento do grupo III e outro do grupo V
Ex: GaP, GaAs, InP, InSb
Aplicação: 65% para uso militar.
Semicondutores do grupos II-IV

Contém um elemento do grupo II e outro do grupo IV.
Ex: PbS e CdTe.
Ligações nos sólidos
Foi desenvolvida uma teoria das ligações nos sólidos que dá conta satisfatoriamente das
diferenças de condutividade entre metais, ametais e semi-metais – Teoria de bandas dos
sólidos.
Sólido: banda de energia é composta de um número de níveis de energia muito próximos
que são formados pela combinação de orbitais atômicos de energias semelhantes, associados
a cada um dos átomos no interior da substância.
ex: Na11 = orbitais atômicos 1s, um em cada átomo, se combinam para formar uma única
banda 1s, idem para os outros orbitais 2s, 2p, etc.
As densidades eletrônicas das bandas 1s, 2s e 2p não se estende até muito longe de cada
núcleo individual, produzindo níveis de energia localizados nos sólido.
As bandas de energia 3s não são localizadas e se estende continuamente através do sólido.
Este comportamento também é observado em bandas de energia formadas por orbitais
associados a energia mais altas.
Banda de valência (BV) = banda contendo à camada de elétrons externa (camada de
valência).
Banda de condução (BC) = qualquer banda que esteja vazia ou parcialmente preenchida.
Os elétrons são capazes de se mover através do sólido, possibilitando assim a passagem de
corrente elétrica.
Formação de bandas de energia (nível de energia em um átomo – podem comportar no

máximo 2 elétrons) nos sólidos.
Na11= orbitais 1s, 2s e 2p preenchidos, logo as bandas correspondentes no sólido também

estão preenchidas.
As bandas 3p e as de energia mais altas estão completamente vazias.

Quando um campo elétrico é aplicado a um átomo de Na, elétrons em bandas
preenchidas não podem se mover através do sólido, porque os orbitais na mesma banda nos
átomos vizinhos já estão preenchidos e não podem aceitar um elétron adicional. Na banda
3s que está parcialmente preenchida, um elétron pode saltar de um átomo para outro com
facilidade e isso faz do Na um bom condutor de eletricidade.
A BV e a BC estão muito próximas, logo o

Para o Na11 =
Na é um bom condutor.
Condutores, Semicondutores e isolantes
Bandas de energia em diferentes tipos de sólidos
Condutor (a)
Mg12 =1s 2 s 2p 3s , a BV está
preenchida, logo não pode ser usada
para transportar elétrons. A BC, 3p
está vazia e geralmente se superpõe à
banda de valência e pode ser
facilmente ocupada por elétrons
quando é aplicado um campo elétrico
fazendo do Mg um condutor.
Isolantes (b)
Todos os elétrons de valência são usados para
formar ligação covalente. Todos os orbitais da
BV estão preenchidos e não podem contribuir
para a condutividade elétrica. Além disso, a
lacuna de banda entre a BV preenchida e a BC
mais próxima (banda vazia) é grande. Assim, os
elétrons não podem ocupar a BC, sendo
incapazes de conduzir eletricidade.
Ex: vidro, elastômeros, diamante, etc.
Semicondutor (c)
BV também está preenchida, mas a lacuna
entre a BV e a BC mais próxima é pequena.
Na temperatura ambiente a energia térmica
dos elétrons é suficiente para levar alguns
elétrons para a BC, e é observada uma
pequena condutividade elétrica. A
condutividade cresce com o aumento da
temperatura, pois o número de elétrons com
energia suficiente para saltar para uma BC
também aumenta.
Ex: Si ou Ge
Formação de pares de elétrons - lacunas
Os elétrons de valência partilhados nas ligações covalentes 

forte ligação ao núcleo.
Temperatura ambiente
À temperatura ambiente libertam-se elétrons das ligações e
originam elétrons livres.
Elétron livre Para cada elétron livre deve existir uma falha na ligação
covalente: lacuna ou buraco.
Cargas negativas responsáveis

pela geração de corrente
+4 +4
Lacunas
+4 Falhas nas ligações covalente
que são equivalentes a cargas
positivas.O deslocamento de
elétrons de forma a ocupar a
Lacuna ou lacuna é equivalente à
buraco deslocação da lacuna no sentido
inverso. São igualmente
responsáveis pela geração de
corrente.
+4 +4 +4
Ligações
covalentes
Tipos de supercondutores
Semicondutor intrínseco
É um semicondutor no estado puro.

No zero absoluto (-273ºC) comporta-se como um isolante,
mas à temperatura ambiente (20ºC) se torna um condutor,
porque o calor fornece a energia térmica necessária para
que alguns dos elétrons de valência deixem a ligação
covalente (criando uma lacuna) passando a existir alguns
elétrons livres no semicondutor.
Processo de dopagem
Semicondutor extrínseco.
Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro
O aparecimento de pares elétron-lacuna livres no interior (intrínseco), este passa a ser um semicondutor extrínseco.
de um cristal semicondutor ocorrem pela energia térmica
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrínseco
(calor) ou por um feixe de luz que incida sobre o material podem ser de dois tipos:
semicondutor.
impurezas ou átomos doadores e
É necessário um cristal semicondutor em que o número
impurezas ou átomos aceitadores.
de elétrons livres seja bem superior ao número de lacunas,
ou de um cristal onde o número de lacunas seja bem
1-Átomos doadores têm 5 elétrons de valência (5A): As, P ou Sb.
superior ao número de elétrons livres. Isto é conseguido
tomando-se um cristal semicondutor puro (intrínseco) e 2-Átomos aceitadores têm 3 elétrons de valência (3A): In, Ga, B
adicionando-se a ele por meio de técnicas especiais ou Al.
(dopagem), uma determinada quantidade de outros tipos
de átomos, aos quais chamamos de impurezas.
A adição de 1 átomo de B em 105 átomos – aumento da
Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor condutividade de um fator 103.
puro (intrínseco) este passa a denominar-se por
semicondutor extrínseco.
Semicondutor do tipo N (N de negativo, referindo-se Semicondutor do tipo P (P de positivo, referindo-se à falta da
à carga do elétron). carga negativa eletrônica)
A introdução de átomos pentavalentes (ex: As) num A introdução de átomos trivalentes (ex: In) num semicondutor puro
semicondutor puro (intrínseco) faz com que apareçam (intrínseco) faz com que apareçam lacunas livres no seu interior.
elétrons livres no seu interior. Como esses átomos recebem elétrons eles são denominados
impurezas ou átomos aceitadores.
Como esses átomos doam elétrons ao cristal
semicondutor (possuem o número de elétrons superior Ex:o cristal puro de Si ou Ge, dopado com impurezas aceitadoras
ao da matriz) eles recebem o nome de impurezas (semicondutor do tipo P).
doadoras ou átomos doadores (5A e 6A) para o
grupo 4A.
Ex: o cristal de Si ou Ge, dopado com impurezas
doadoras (semicondutor do tipo N).
Elétron
livre do
Arsénio
Aplicações
Em dispositivos eletrônicos
1-Transistor – feitos com semicondutores do tipo n e p e podem ser construídos numa pastilha de silício –
tecnologia dos microcircuitos integrados para computadores e calculadoras.
2-Baterias solares de Si (célula solar)- bolacha de Si dopada com As (semicondutor do tipo n) sobre a qual é
colocada uma fina camada de Si dopado com B (semicondutor do tipo p).
Quando o dispositivo não está iluminado, há um equilíbrio entre elétrons e buracos na interface entre as duas
camadas (junção p-n). Alguns elétrons da camada tipo n se difundem dentro dos buracos da camada p e são
capturados. Isto deixa alguns buracos positivos na camada n. O equilíbrio é alcançado quando os buracos
positivos na camada n evitam o deslocamento adicional para a camada p.
Quando a luz incide na superfície da célula, o equilíbrio é rompido.Ocorre absorção de energia, o que permite
aos elétrons que foram capturados na camada p retornarem para a camada n. À medida que esses elétrons se
movem através da junção n-p para o interior da camada n, outros elétrons deixam a camada n através do fio,
passam através do circuito elétrico e entram na camada p. Logo, uma corrente elétrica flui quando a luz cai na
célula e o circuito elétrico é fechado. Essa corrente elétrica pode ser usada para operar um motor, uma
calculadora portátil ou executar outra tarefa.
3-Diodos (Retificador de corrente elétrica feitos de germânio ou silício)
4-Circuitos integrados
5-Detectores de infravermelho
6- Sistemas de segurança MSEM (microelectromechanical system) – máquinas microscópicas (engrenagens).

7- Airbags de proteção contra choques em veículos – onde um MSEM especial converte
pulsos mecânicos em variações de voltagem e disparam instantaneamente o mecanismo que
infla os airbags.
8- Indústria aeroespacial: sistemas de propulsão de satélites
9- Medicina: biochips – moléculas de DNA pre-selecionadas fixadas em uma pastilha de Si

(chip)
10-Telecomunicações
11-Relógios
95% dos dispositivos eletrônicos são fabricados com Si – Por quê o Si?
Custo relativamente baixo;

Boa estabilidade química na temperatura ambiente. Embora o Si reaja com O2 , a
película ultrafina de óxido formada proteje o Si restante de quase todas as outras
substâncias. Na temperatura ambiente somente o F ataca o Si, mas ele nunca está
presente no estado livre;
Boa usinagem;
Facilidade de gravação sobre o material.
A maior desvantagem é a complexidade da fabricação dos micro-sistemas para
aplicações especiais.

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Materiais que conduzem corrente elétrica melhor que os

Metais possuem uma estrutura química tal que os elétrons

Átomos possuem poucos elétrons livres. Têm mais de 4 elétrons na

Características intermediárias entre condutores e isolantes.

Influências da temperatura, luz e impurezas

São formados por ligações covalentes gerando

Semicondutores do grupos II-IV

Formação de bandas de energia (nível de energia em um átomo – podem comportar no

Na11= orbitais 1s, 2s e 2p preenchidos, logo as bandas correspondentes no sólido também

As bandas 3p e as de energia mais altas estão completamente vazias.

A BV e a BC estão muito próximas, logo o

Bandas de energia em diferentes tipos de sólidos

Os elétrons de valência partilhados nas ligações covalentes 

Cargas negativas responsáveis

É um semicondutor no estado puro.

3-Diodos (Retificador de corrente elétrica feitos de germânio ou silício)

6- Sistemas de segurança MSEM (microelectromechanical system) – máquinas microscópicas (engrenagens).

8- Indústria aeroespacial: sistemas de propulsão de satélites

9- Medicina: biochips – moléculas de DNA pre-selecionadas fixadas em uma pastilha de Si

Custo relativamente baixo;

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