Relatorio

UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE
CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
ELE0519 – LABORATÓRIO DE CIRCUITOS ELETRÔNICOS – 2020.6
Nome do Experimento Polarização de TJBs
Aluno: Akillys Felipe da Silva
1. Introdução
Inicialmente foi pedido para plotar as curvas características da corrente I C em função
da tensão VCE para três transistores TJB (BC547A, BC107 e TIP31C) comparando as
diferenças entre eles.
Posteriormente o objetivo foi analisar dois circuitos de polarização, ilustrado na Figura
1. O circuito a) é a polarização mais simples contendo apenas o resistor na base, já o circuito
b) apresenta um arranjo mais complexo, composto de duas resistências na base além de
uma resistência no emissor caracterizando uma degeneração.
a) b)
Figura 1: Circuitos de polarização. a) Circuito 1; b) Circuito 2.
A análise foi feita também para três diferentes transistores representados na figura
(BC547A, BC547C e BC549B) e consistiu em três etapas: 1) a primeira com a medição dos
parâmetros IC e VCE; 2) encontrar o valor de β para cada transistor e 3) verificar se cada um
deles está no modo ativo.
2. Análise teórica
Se o transistor estiver no modo ativo, a corrente de coletor IC passa a ser controlada
pela corrente de base IB. A relação entre as duas correntes é ilustrada abaixo, em que β
representa um fator de proporcionalidade e é um parâmetro característico dos transistores
TJB
I C =β I B
A polarização é realizada para que o transistor permaneça na região linear, permitindo
que variações de determinado sinal de entrada sejam amplificados sem que tais variações
levem o dispositivo a região de saturação ou corte. Além disso, busca-se uma amplificação
que não cause distorções na forma do sinal original, apenas aumente sua intensidade.
Considerando que IC possui uma relação exponencial com V BE e os componentes
resistivos do circuito podem ter comportamento diferente do previsto (valores de resistências
diferentes dos especificados, por exemplo), a polarização se faz necessária caso queira-se
obter os objetivos supracitados, garantindo que o transistor opere em determinada tensão
VCE e em uma corrente IC.
A Figura 3 abaixo ilustra os cálculos para obter I C e VCE para a) circuito de polarização
1 e b) circuito 2.
a)
V −0,7
I C =β CC
RB
V CC −0,7
V CE =V CC −RC I C =V CC−R C β
RB
b)
R1
V CC ( )−0,7
V E V B −0,7 R1 + R 2
I C ≈I e = = =
Re RE RE
R1
V CC ( )−0,7
R 1 + R2
V CE =V CC −RC I C −R E I E =V CC−I C ( RC + R E )=V CC − ( R C + RE )
RE
Figura 2
3. Metodologia
As montagens dos três circuitos, o primeiro para a obtenção da curva característica I C
x VCE e ambos os circuitos de polarização foram montados no TinkerCAD e apresentados nas
Figuras 4, 5 e 6 a seguir. As montagens no LtSpice serão ilustradas posteriormente ao
apresentar os resultados.
Figura 3: Circuito Genérico do transistor NPN
Figura 4: Circuito de polarização 1

Figura 5: Circuito de polarização 2
4. Resultados práticos
Ao construir o circuito genérico do transistor no LtSpice, foi atingido os seguintes
resultados para os três transistores:
O gráfico é representado por diversas curvas, em que cada uma delas está relacionado com
o valor da corrente IB. Quando maior o valor de I B, maior será o valor de IC. A relação com o
VCE mostra para quais valores de tensão o transistor permanece na região ativa, quando a
curva se torna um valor constante o transistor está na região de saturação.
Figura 6: Curva característica para o transistor BC547A
Figura 7: Curva característica para o transistor BC107

Figura 8: Curva característica para o transistor TIP31C
Comparando os três resultados, é observável que os transistores BC547A e TIP31C

rapidamente entram em saturação, caracterizando um maior ganho. Enquanto o transistor
BC107 apresenta uma faixa de tensão maior para operação em modo ativo. Uma segunda
observação importante no BC107 foi a presença significativa do efeito Early, ao elevar o valor
de IC a curva na região de saturação se torna mais íngreme.
Em seguida foram analisados os resultados para os circuitos de polarização. O
procedimento em cada etapa foi realizada de forma semelhante para os dois casos. No
circuito 1, as medição de IC e VCE são ilustradas nas figuras abaixo:
Figura 9: Medição de Ic e Vce para transistor BC547A
Figura 10: Medição de Ic e Vce para transistor BC547C

Figura 11: Medição de Ic e Vce para transistor BC549B
O cálculo do ganho β foi feito pela divisão dos valores das correntes I C e IB. A medição
de ambas é ilustrada nas figuras abaixo para cada um dos transistores. O gráfico está
pontilhado pela utilização do cursor para medir o valor exato de ambas as correntes e ficou
difícil a visualização da cor. Portanto, a curva acima é a verde e abaixo é a azul.
Figura 12: Medição de Ib e Ic para transistor BC547A
Figura 13: Medição de Ib e Ic para transistor BC547C

Figura 14: Medição de Ib e Ic para transistor BC549B
Como resultado tivemos os seguintes β:

BC547A: 190
BC547C: 447
BC549B: 447
Os dois últimos transistores apresentam um valor de beta igual, isso também foi
observado anteriormente nos valores de I C e VCE. Visto isso, os dois transistores apesar de
terem outras características distintas, possuem um funcionamento semelhante, com o ganho
em amplificação igual.
Por fim foi necessário verificar se a polarização de cada transistor foi feita
corretamente e colocado na região ativa. Para que isso ocorra a tensão V CE deve ser superior
a VBE e esta deve ser superior a 0,5V. Foram realizadas as medições das duas tensões como
ilustrado abaixo:
Figura 15: Medição de Vce e Vbe para transistor BC547A
Figura 16: Medição de Vce e Vbe para transistor BC547C

Figura 17: Medição de Vce e Vbe para transistor BC549B
Comparando VCE com VBE nos três casos é concluído que todos estão na região ativa
pois atendem aos requisitos. Um comentário sobre as figuras é que o transistor BC547A
apresenta uma tensão VCE bastante superior em relação ao V BE. Enquanto os outros dois
transistores tiveram um VCE um pouco maior que o VBE.
Analogamente esta análise foi feita para o circuito 2. As medições de I c e VCE são
ilustrados nas figuras a seguir:
Figura 18: Medição de Ic e Vce para transistor BC547A
Figura 19: Medição de Ic e Vce para transistor BC547C

Figura 20: Medição de Ic e Vce para transistor BC549B
Desta vez os valores de tensão e corrente para os três casos apresentaram valores
muito próximos devido a mudança na configuração do circuito.
As figuras a seguir apresentam as medições de IC e IB para o cálculo de β.
Figura 21: Medição de Ic e Ib para transistor BC547A

Figura 22: Medição de Ic e Ib para transistor BC547C
Figura 23: Medição de Ic e Ib para transistor BC549B

Os valores encontrados do ganho β são:
BC547A: 184
BC547C: 487
BC549B: 487
Tais valores são relativamente próximos dos obtidos anteriormente e novamente os
dois últimos transistores tem seu parâmetro igual.
Para então verificar se os transistores operam na região ativa, foram medidos e
comparados os valores de tensão VCE e VBE.
Figura 24: Medição de Vce e Vbe para transistor BC547A

Figura 25: Medição de Vce e Vbe para transistor BC547C
Figura 26: Medição de Vce e Vbe para transistor BC549B

Como resultado de análise os três transistores estavam no modo ativo, com valores
tanto de VCE quanto de VBE semelhantes.
5. Conclusão
Ao finalizar o experimento foi possível calcular parâmetros característicos de
transistores TJBs como o ganho β e a curva V CE x IC. Em que foi visto que alguns transistores
apresentam um efeito Early considerável e não pode ser desprezado na análise de
aplicação.
Os dois esquemas de polarização foram analisados com três transistores distintos a
fim de comparação. Foi observado que mesmo utilizando transistores com algumas
caracteristicas diferentes, se eles apresentam um β igual, seu funcionamento será
semelhante.

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Nome do Experimento Polarização de TJBs

Aluno: Akillys Felipe da Silva

Figura 1: Circuitos de polarização. a) Circuito 1; b) Circuito 2.

Figura 4: Circuito de polarização 1

Figura 7: Curva característica para o transistor BC107

Comparando os três resultados, é observável que os transistores BC547A e TIP31C

Figura 10: Medição de Ic e Vce para transistor BC547C

Figura 13: Medição de Ib e Ic para transistor BC547C

Como resultado tivemos os seguintes β:

Figura 16: Medição de Vce e Vbe para transistor BC547C

Figura 19: Medição de Ic e Vce para transistor BC547C

Figura 21: Medição de Ic e Ib para transistor BC547A

Figura 23: Medição de Ic e Ib para transistor BC549B

Figura 24: Medição de Vce e Vbe para transistor BC547A

Figura 26: Medição de Vce e Vbe para transistor BC549B

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