TBJ 21-40

NP202 : Eletrônica Analógica I - 1º Semestre de 2013
Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto

4.1.6 – Relações básicas
IE  IC  IB
IC IC
   IE  IC IC 1 1
IE   IC    1 
   
4 – TRANSISTOR - TBJ
IC IC
   IB 
IB 
 1 
   1  
  1 1  1 
4.1.6 – Relações básicas
IC  ICmaj  ICBO  IC  IE  ICBO  IC  IC  IB   ICBO
IB ICBO I C   I B    1 I CBO

IC  
1  1 
I CBO
para I B  0  I C  I CEO     1  I CBO
1 
I CEO    1 I CBO
Base aberta
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Coletor para emissor
4.1.7 – Fator de amplificação de corrente
ICQ
 cc 
IBQ
IC
 ac 
IB
4.1.7 – Fator de amplificação de corrente
IC 8x10 3 IC (9  7)x10 3

 cc   6
 200  ca   6
 200
IB 40 x10 IB ( 45  35)x10

4.1.8 – Folha de Dados
4.1.9 – Limites de Operação
Dissipação máxima em coletor [PC(max]: PD

Corrente contínua máxima de coletor [IC(max) ]: IC
Tensão de ruptura coletor-emissor [VCE(max)]: VCEO ou V(BR)CEO
Tensão de ruptura coletor-base [VBC(max)]: VCBO ou V(BR)CBO
Tensão de ruptura emissor-base [VEB (max)]: VEBO ou V(BR)EBO

Tensão de saturação do coletor-emissor: VCE(sat)
Tensão de saturação do base-emissor: VBE(sat)
Corrente de corte de coletor: ICBO
Corrente de corte de emissor: IEBO
Dissipação Máxima do Coletor
PC(max)  VCEIC EC
PC(max)  VCBIC BC
Limites de Operação
ICEO  IC  IC(max)
VCE( sat )  VCE  VCE(max)
VCEIC  PC(max)
Região de
saturação
Região Região de
ativa ruptura
Região de
corte
4.2 – Polarização do TBJ
Ponto de Operação
Ponto A: TBJ sem polarização

Pontos B, C e D: TBJ polarizado
na Região Linear ou Ativa
Região Ativa:
Saturação
Junção base-emissor polarizada

diretamente
Junção base-coletor polarizada
reversamente
Corte

4.2.1 – Polarização Fixa
saída ac
entrada ac

VCC  VBE
IB 
RB
IC   IB
VCE  VCC  ICR C

Exemplo 4.1: Dado o circuito abaixo, determine:
a) IBQ e ICQ
b) VCEQ
c) VB e VC
d) VCB
saída ac
entrada ac
Respostas
IBQ [μA] 47,08
ICQ [mA] 2,35
VCEQ [V] 6,83
VB [V] 0,7
VC [V] 6,83
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e VCB [V] 6,13
Exemplo 4.2: Determine o nível de saturação para o circuito anterior,
sabendo-se que:
Resposta
ICsat [mA] 5,45
Região de saturação real Região de saturação aproximada

Reta de Carga
VCE  VCC IC  0
VCE  VCC  ICR C VCC

IC 
VCE  0
RC

Reta de Carga
VCC
IC  VCE  0
RC
ICQ Ponto Q
Reta de Carga
VCEQ
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky VCE  VCC IC  0

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NP202 : Eletrônica Analógica I - 1º Semestre de 2013

Prof. Pedro Sergio Monti e Prof. João Scudeler Neto

IC  ICmaj  ICBO  IC  IE  ICBO  IC  IC  IB   ICBO

IB ICBO I C   I B    1 I CBO

IC 8x10 3 IC (9  7)x10 3

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Dissipação máxima em coletor [PC(max]: PD

Tensão de ruptura emissor-base [VEB (max)]: VEBO ou V(BR)EBO

Dissipação Máxima do Coletor

Ponto A: TBJ sem polarização

Junção base-emissor polarizada

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

VCE  VCC  ICR C

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

Região de saturação real Região de saturação aproximada

VCE  VCC  ICR C VCC

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky

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