Instituto Superior de Transportes e Comunicações

DEPARTAMENTO DE CIÊNCIAS BÁSICAS

Eletrónica Analógica 2

LEET31 - 3ºAno

ProjeCto 1

Projecto - Amplificador de Pequenos Sinais (EC)

Discentes: Docente:

Abraz Bamo Eng. Mondlane Arlindo

Edilson Dengo

Maiser Mauaie

Ziyad Adamo

1
 Maputo, Maio 2023

Indice

1. Parte Teoria...................................................................................................................5

1.1 Amplificador Emissor comum (BJT)......................................................................5

1.2 Circuito equivalente AC..........................................................................................5

1.2 Circuito equivalente DC..........................................................................................6

1.2.1. Valor Beta........................................................................................................8

1.3 Para o transístor 2N2222..........................................................................................8

1.3.1. Datasheet do Transistor....................................................................................9

1.4 Distorção da saída por saturação.............................................................................9

1.5 Distorção de saída por corte...................................................................................10

1.6 Distorção de entrada..............................................................................................11

1.7 Parte pratica...........................................................................................................12

Analise DC:..................................................................................................................12

Analise AC:..................................................................................................................14

1.8 Simulação...............................................................................................................15

1.9 Conclusão...............................................................................................................17

2. Referencias Bibliograficas...........................................................................................18

2
Objetivos

O presente trabalho tem por objectivos:

 Projectar um Amplificador de Pequenos Sinais com configuração Emissor

comum
 Realizar a sua simulação com dados obtidos

3
Introdução

O amplificador emissor comum é um tipo de amplificador de transístor bipolar que tem

o emissor do transístor como terminal comum entre a entrada e a saída do circuito. Ele é
usado para amplificar sinais de baixa frequência.

4
1. Parte Teoria

1.1 Amplificador Emissor comum (BJT)

O amplificador emissor comum é um tipo de amplificador de transístor bipolar que tem

o emissor do transístor como terminal comum entre a entrada e a saída do circuito. Ele é
usado para amplificar sinais de baixa frequência. O ganho de tensão do amplificador
emissor comum é moderado e sua impedância de entrada é baixa. O circuito é usado em
aplicações como amplificadores de áudio e amplificadores de instrumentação.

Fig 01. Amplificador emissor comum

1.2 Circuito equivalente AC

5
 Fig 02.  ( a ) Circuito equivalente CA  do amplificador com realimentação da Figura 1
(b)  equivalente com modelo do transístor

Cálculo de Zin, Zout e Av

Impedância de Entrada: Z¿ =Z b /¿ R B =R 1 /¿ R 2 /¿ βre

Rb =R1 /¿ R 2

Z b=βre

Impedância de Saída: Z out =RC /¿ r o , r o ≥10 RC

Z out ≅ R C

−R C
Ganho: A v= ,R ≫ℜ
ℜ+ RE E

−R C
A v=
RE

1.2 Circuito equivalente DC

Fig 03. Circuito equivalente em DC

6
Cálculo dos Parâmetros DC

Correntes de Polarização

U CC =R2 I B+ V BE + Re I E

Se β> 100 , I C ≈ I E , I E =( β +1) I C

U CC −V BE =R2 I B + R e ( β+1) I B

U CC −V BE
I B=
R2 + Re ( β +1)

I C ≈ I E =β I B

Tensões de Polarização:

Fig 04 cálculo da resistência total/thevenin

U CC X R1
U B=
R1 + R2

U E=U B−U BE

U CE =U C −U E

7
 U CE =U CC −RC I C −U CE

1.2.1. Valor Beta

∆ IC
β=
∆ IB

1.3 Para o transístor 2N2222

O Máxima garantida de 500 miliamperes, tensão do coletor de 50 volts e até 500

miliwatts de potência. A frequência de transição é de 250 a 300 MHz, permitindo que
seja usado em aplicações de rádio de alta frequência (até 50 MHz). O beta (fator de
amplificação, hFe) do transístor é de pelo menos 100; Valores de 150 são típicos.

Como a junção Base/Emissor é enviesada para frente, a tensão do emissor, Ve será uma
queda de tensão de junção diferente da tensão Base. Se a tensão através do resistor
emissor é conhecida, então a corrente do emissor, ou seja, pode ser facilmente calculada
usando a Lei de Ohm. A corrente do Coletor, IC pode ser aproximada, já que é quase o
mesmo valor da corrente do Emissor.

8
1.3.1. Datasheet do Transistor

Datasheet do transístor 2n2222

1.4 Distorção da saída por saturação

Se por qualquer circunstância o ponto Q se desloca conforme indica a figura os valores

mais elevados de Vi podem levar o transito na região de saturação, onde o coletor não

9
segue as variações de entrada e provoca um recorte nos valores máximos que deveria
alcançar Ic

Fig 05. Distorção de saída por saturação

1.5 Distorção de saída por corte

Neste caso conforme ilustra a figura (06) o ponto Q situa-se bem próximo do corte ou
em alguns casos no corte.

Desta forma para valores mais negativos de Vi o transístor entrara em corte uma vez
que o Vcc não poderá aumentar alem do Vce e Ic ira a zero.

10
 Fig 06. Distorção de saída por Corte

1.6 Distorção de entrada

A distorção da entrada deve-se ao fato da não linearidade da curva característica Ie x

Vbe conforme ilustra a figura

Fig 07. Distorção da entrada

11
Se a amplitude de Vi e pequena, o trecho da curva afetado e pequeno, podendo assim
ser considerado como uma reta nesse intervalo.

Se Vi e elevado, a curvatura fica acentuada e então Ic não segue as variações de Vbe e a

corrente de coletor também não seguira essas variações.

Considerações Gerais

1- Para obter sinais de saída sem distorção, e conveniente que a corrente do coletor
Ic não tenha variações superiores de 15% a 20% do valor estático Ic.
2- Os amplificadores de baixa frequência (B.F.) tem como a aplicação principal a
amplificação de sinais audiofrequência ( que e a gama compreendida entra 10Hz
a 18kHz). E norma internacional efetuar as medidas de desempenho dos
amplificadores de áudio na frequência de 1kHz.
3- A reta de carga tem uma influência direta sobre os ganhos de tensão e de
corrente do circuito. Uma resistência do coletor de valor baixo implica uma
atenuação acentuada da reta de carga e portanto, um maior ganho de corrente e
um menor ganho de tensão. Pelo contrário, uma resistência de coletor de valor
elevado oferece resultados inversos aos expostos.

1.7 Parte pratica

Dados: Uin = 100 mV

F = 1khz

Uout = 0,5 V

Datasheet Transistor usado 2n2222: UCE = 10V, IC = 10mA, β = (75;150)

Fonte de alimentação usada: 15V

12
Analise DC:

U CC =RC I C +U CE + I E R E

U CC −U CE =I C ( R C + R E )

U CC −U CE 12−10
RC + R E= = =500
IC 10 x 10
−3

RC + R E=500 ( 1 )

Para obter as resistências de emissor e coletor usaremos a relação do ganho

R C U OUT R C
AV = =
RE U ¿ RE

U OUT 0,5
RC =R E x =R E x =R E x 5
U¿ 100 x 10−3

RC =5 R E ( 2 )

Substituindo (2) em (1) temos:

R E +5 RE =500

R E=83 Ω

RC =5 x 83=415 Ω

Para calcular as resistências de divisor de tensão usaremos a fórmula seguinte:

R2
V B=V TH =V CC
R 1+ R 2

V CE =V C −V E

V E=V CC −I C RC −V CE

13
 −3
V E=15−10 x 10 x 415−10

V E=0,85 V

V B=V BE+ V E

V B=0,7+ 0,85=1,55 V

Para R2

R2 <10 R E

R2 <10 x 83

R2 <830

R2=500 Ωou 0,5 K Ω

15 x 500−1,55 x 500
R 1=
1,55

R1=4338,7 Ω

Analise AC:

R1 x R 2 4338,7 x 500
R B= = =448,333 Ω
R1 + R2 4338,7+500

' 25 mV
β r e =150 x =338 Ω
10 mA

Z B x RB
Z¿ = =192,713 Ω
ZB+ RB

RC x r o
z out = =415
R C+ ro

14
 −RC −415
AV = = =−5
RE 83

Capacitâncias do circuito

X C ≤ 10 % RC

1
f=
2 π RC

1 1
C C= = =383,5 nF
2 π Rf 2 πx 415 x 1 x 10−3

X ci ≤ 10 % Ri

R1 x R2
R1 + R 2
Ri = '
=192,713 Ω
βre

1 1
C i= = =825,86 nF
2 πf R i 2 πx ( 1 x 10−3 ) x 192,713

1.8 Simulação

Para a simulação usaremos o software MultiSim.

Dados: V2 = 100mV; Uin(rms) = 70,708mV ; VCC = 15 V; f = 1kHz Uout (max)rms =

310,048mV

R1 = 83Ω ; R2 = 4338,7Ω ; R3 = 500Ω ; R4 = 415Ω

C1 = 825,86 nF ; C2 = 383,5Nf

15
Objectivo: apresentar simulações que provem os cálculos feitos visando comparar as
tensões das (Uin=100mV e Uout=0.5V). Para o efeito usaremos multímetros.

Comentário: os multímetros apresentam valores médios(rms) dai devemos converter

para valores de Pico.

u¿ =70.708 x 1 0−3∗√ 2=99.996 mV ≈ 100 mV

u¿ =310.048 x 1 0 ∗√ 2=0.438 V ou 438.474 mV ≈ 0.5V ou500 mV

−3

Formada de Onda dos Sinais de Entrada e Saída:

16
 (a) Sinal de Saida (b) Sinal de Entrada

Comentário: a imagem acima mostra-nos a forma de onda da Saída em relação a

Entrada. Notamos que o sinal de saída possui maior amplitude (foi amplificado) e
podemos verificar a inversão de fase (dai o sinal negativo no ganho).

1.9 Conclusão

Concluido o Projecto podemos concluir que:

- A configuração Emissor Comum usada pelo grupo sem o capacitor CE de desvio RE

executa duas funções: realimentação negativa CC para polarização estável e
realimentação negativa CA para transcondutância de sinal e especificação do ganho de
tensão. Mas como a resistência do emissor é um resistor de realimentação, ela também

17
reduzira o ganho do amplificador devido a flutuações na corrente de emissor IE devido
ao sinal de entrada CA.

- Feitas as simulações podemos comprovar que o circuito feito realiza a amplificação do

Sinal de Entrada, e os cálculos realizado são aproximadamente iguais ao obtidos por
meio de simulação.

2. Referencias Bibliograficas

[1] BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos. 8a ed. Rio de Janeiro: Prentice Hall do Brasil, 1984.

18
[1] BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de
Circuitos. 8a ed. São Paulo : Pearson Education do Brasil, 2013.

[3] http://www.eletronica24h.net.br/aulaen015.html

[4] https://capsistema.com.br/index.php/2021/03/25/resistencia-do-emissor/

19