Представлены результаты исследования деградации оптической мощности зеленых светодиодов на основе... more Представлены результаты исследования деградации оптической мощности зеленых светодиодов на основе InGaN/GaN гетероструктур при испытаниях в номинальном режиме в течение 2000 часов. Показана связь между изменением внешней квантовой эффективности и временем жизни носителей заряда при излучательной рекомбинации с параметрами выбросов траектории низкочастотного шума светодиодов в процессе испытаний. Представлены экспериментальные установки и методики исследования вероятностных характеристик низкочастотного шума и частотных характеристик светоизлучающих диодов.
The article shows the possibility of using the threshold current for evaluating the quality of gr... more The article shows the possibility of using the threshold current for evaluating the quality of green InGaN/GaN LEDs. It was determined that the current threshold correlated with the position of the maximum of the current dependence of external quantum efficiency, and a concentration gradient of charge carriers in the heterostructure.
Представлены результаты исследования деградации оптической мощности зеленых светодиодов на основе... more Представлены результаты исследования деградации оптической мощности зеленых светодиодов на основе InGaN/GaN гетероструктур при испытаниях в номинальном режиме в течение 2000 часов. Показана связь между изменением внешней квантовой эффективности и временем жизни носителей заряда при излучательной рекомбинации с параметрами выбросов траектории низкочастотного шума светодиодов в процессе испытаний. Представлены экспериментальные установки и методики исследования вероятностных характеристик низкочастотного шума и частотных характеристик светоизлучающих диодов.
The article shows the possibility of using the threshold current for evaluating the quality of gr... more The article shows the possibility of using the threshold current for evaluating the quality of green InGaN/GaN LEDs. It was determined that the current threshold correlated with the position of the maximum of the current dependence of external quantum efficiency, and a concentration gradient of charge carriers in the heterostructure.
Uploads
Papers by Oleg Radaev