| dbo:abstract
|
- تعتبر المصائد العميقة أو عيوب المستوى العميق نوعًا غير مرغوب فيه بشكل عام من العيوب الإلكترونية في أشباه الموصلات. إنها «عميقة» بمعنى أن الطاقة اللازمة لإزالة إلكترون أو ثقب من المصيدة إلى نطاق التكافؤ أو نطاق التوصيل أكبر بكثير من الطاقة الحرارية المميزة kT ، حيث k هي ثابت بولتزمان و T هي درجة الحرارة. تتداخل المصائد العميقة مع أنواع أكثر فائدة من المنشطات من خلال تعويض نوع حامل الشحنة السائد ، مما يؤدي إلى إبادة الإلكترونات الحرة أو ثقوب الإلكترون اعتمادًا على أيهما أكثر انتشارًا. كما أنها تتداخل بشكل مباشر مع تشغيل الترانزستورات والصمامات الثنائية الباعثة للضوء وغيرها من الأجهزة الإلكترونية والبصرية الإلكترونية ، من خلال تقديم حالة وسيطة داخل فجوة النطاق. تعمل المصائد العميقة على تقصير فترة الحياة غير الإشعاعية لحاملات الشحن ، وتسهل - من خلال عملية شوكلي-ريد-هال Shockley-Read-Hall (SRH) إعادة تركيب ناقلات الأقلية ، مما يؤدي إلى آثار سلبية على أداء جهاز أشباه الموصلات. وبالتالي ، لا يتم تقدير المصائد العميقة في العديد من الأجهزة الإلكترونية الضوئية لأنها قد تؤدي إلى ضعف الكفاءة وتأخير كبير بشكل معقول في الاستجابة. تشمل العناصر الكيميائية الشائعة التي تنتج عيوبًا عميقة المستوى في السيليكون والحديد والنيكل والنحاس والذهب والفضة. بشكل عام، تنتج المعادن الانتقالية هذا التأثير، بينما لا تنتج المعادن الخفيفة مثل الألومنيوم. يمكن أن تلعب الحالات السطحية والعيوب البلورية في الشبكة البلورية دورًا في مصائد المستوى العميق. (ar)
- Deep-level traps or deep-level defects are a generally undesirable type of electronic defect in semiconductors. They are "deep" in the sense that the energy required to remove an electron or hole from the trap to the valence or conduction band is much larger than the characteristic thermal energy kT, where k is the Boltzmann constant and T is the temperature. Deep traps interfere with more useful types of doping by compensating the dominant charge carrier type, annihilating either free electrons or electron holes depending on which is more prevalent. They also directly interfere with the operation of transistors, light-emitting diodes and other electronic and opto-electronic devices, by offering an intermediate state inside the band gap. Deep-level traps shorten the non-radiative life time of charge carriers, and—through the Shockley–Read–Hall (SRH) process—facilitate recombination of minority carriers, having adverse effects on the semiconductor device performance. Hence, deep-level traps are not appreciated in many opto-electronic devices as it may lead to poor efficiency and reasonably large delay in response. Common chemical elements that produce deep-level defects in silicon include iron, nickel, copper, gold, and silver. In general, transition metals produce this effect, while light metals such as aluminium do not. Surface states and crystallographic defects in the crystal lattice can also play role of deep-level traps.
* v
* t
* e
* v
* t
* e (en)
- 半導体における深い準位とは、不純物などの欠陥がバンドギャップ中に作るエネルギー準位で、特に伝導帯や価電子帯からエネルギー的に離れているものを指す。深い準位を占有した電子（または正孔）が伝導帯（または価電子帯）へ遷移するために必要なエネルギーは、熱エネルギーkTよりも遥かに大きい。そのため大きな光エネルギーや熱エネルギーを与えない限り、電子（または正孔）は深い準位から抜け出せない。このことを深い準位にトラップされたと言う。 伝導帯の電子と価電子帯の正孔は、深い準位を中間状態として再結合することができる。その結果、電荷キャリアのを短くし、Shockley–Read–Hall過程を通して少数キャリアの再結合を加速させるため、半導体デバイス性能に悪影響を与える。たとえばドーピングによって電子または正孔が与えられても深い準位による再結合で消滅してしまう。つまり深い準位はドーピングを阻害する。また深い準位はトランジスタ、発光ダイオードなどのデバイスや光エレクトロニクスデバイスの動作も阻害する。 シリコン中に深い準位を作る元素として、鉄、ニッケル、銅、金、銀などがある。一般的に遷移金属は深い準位を作るが、アルミニウムなどの軽金属は作らない。 結晶のと結晶欠陥も深い準位で重要な役割を果たす。 (ja)
|
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 1841 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:auto
| |
| dbp:date
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- 半導体における深い準位とは、不純物などの欠陥がバンドギャップ中に作るエネルギー準位で、特に伝導帯や価電子帯からエネルギー的に離れているものを指す。深い準位を占有した電子（または正孔）が伝導帯（または価電子帯）へ遷移するために必要なエネルギーは、熱エネルギーkTよりも遥かに大きい。そのため大きな光エネルギーや熱エネルギーを与えない限り、電子（または正孔）は深い準位から抜け出せない。このことを深い準位にトラップされたと言う。 伝導帯の電子と価電子帯の正孔は、深い準位を中間状態として再結合することができる。その結果、電荷キャリアのを短くし、Shockley–Read–Hall過程を通して少数キャリアの再結合を加速させるため、半導体デバイス性能に悪影響を与える。たとえばドーピングによって電子または正孔が与えられても深い準位による再結合で消滅してしまう。つまり深い準位はドーピングを阻害する。また深い準位はトランジスタ、発光ダイオードなどのデバイスや光エレクトロニクスデバイスの動作も阻害する。 シリコン中に深い準位を作る元素として、鉄、ニッケル、銅、金、銀などがある。一般的に遷移金属は深い準位を作るが、アルミニウムなどの軽金属は作らない。 結晶のと結晶欠陥も深い準位で重要な役割を果たす。 (ja)
- تعتبر المصائد العميقة أو عيوب المستوى العميق نوعًا غير مرغوب فيه بشكل عام من العيوب الإلكترونية في أشباه الموصلات. إنها «عميقة» بمعنى أن الطاقة اللازمة لإزالة إلكترون أو ثقب من المصيدة إلى نطاق التكافؤ أو نطاق التوصيل أكبر بكثير من الطاقة الحرارية المميزة kT ، حيث k هي ثابت بولتزمان و T هي درجة الحرارة. تتداخل المصائد العميقة مع أنواع أكثر فائدة من المنشطات من خلال تعويض نوع حامل الشحنة السائد ، مما يؤدي إلى إبادة الإلكترونات الحرة أو ثقوب الإلكترون اعتمادًا على أيهما أكثر انتشارًا. كما أنها تتداخل بشكل مباشر مع تشغيل الترانزستورات والصمامات الثنائية الباعثة للضوء وغيرها من الأجهزة الإلكترونية والبصرية الإلكترونية ، من خلال تقديم حالة وسيطة داخل فجوة النطاق. تعمل المصائد العميقة على تقصير فترة الحياة غير الإشعاعية لحاملات الشحن ، وتسهل - من خلال عملية شوكلي-ريد-هال Shockley-Read-Hall (SRH) (ar)
- Deep-level traps or deep-level defects are a generally undesirable type of electronic defect in semiconductors. They are "deep" in the sense that the energy required to remove an electron or hole from the trap to the valence or conduction band is much larger than the characteristic thermal energy kT, where k is the Boltzmann constant and T is the temperature. Deep traps interfere with more useful types of doping by compensating the dominant charge carrier type, annihilating either free electrons or electron holes depending on which is more prevalent. They also directly interfere with the operation of transistors, light-emitting diodes and other electronic and opto-electronic devices, by offering an intermediate state inside the band gap. Deep-level traps shorten the non-radiative life time (en)
|
| rdfs:label
|
- فخ عميق المستوى (ar)
- Deep-level trap (en)
- 深い準位 (ja)
- Defeito profundo (pt)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:knownFor
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is rdfs:seeAlso
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
