| dbo:abstract
|
- El model EKV és un model matemàtic que descriu el comportament dels transistors MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) d'efecte camp. Està pensat per a la simulació de circuits electrònics i per facilitar el disseny de circuits analògics. (ca)
- Το μοντέλο EKV Mosfet είναι ένα μαθηματικό μοντέλο των Metal-Oxide Semiconductor τρανζίστορ πεδιακού φαινομένου (Field-Effect Transistors), το οποίο είναι σχεδιασμένο για την προσομοίωση κυκλωμάτων και την σχεδίαση αναλογικών κυκλωμάτων . Αναπτύχθηκε από τους C. C. Enz, F. Krummenacher, και E. A. Vittoz (εξ ου και τα αρχικά EKV) περί του 1995, βασισμένο εν μέρει σε εργασία που είχαν κάνει την δεκαετία του 1980 . Σε αντίθεση με απλούστερα μοντέλα, όπως το (Quadratic Model), το μοντέλο EKV είναι ακριβές ακόμα και όταν το MOSFET λειτουργεί στην περιοχή κάτω από την (subthreshold region) . Επιπλέον, περιγράφει πολλά ειδικά φαινόμενα που εμφανίζονται σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με υπομικρομετρικές (submicron) τεχνολογίες . (el)
- The EKV Mosfet model is a mathematical model of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET) which is intended for circuit simulation and analog circuit design. It was developed by C. C. Enz, F. Krummenacher and E. A. Vittoz (hence the initials EKV) around 1995 based in part on work they had done in the 1980s. Unlike simpler models like the Quadratic Model, the EKV Model is accurate even when the MOSFET is operating in the subthreshold region (e.g. when Vbulk=Vsource then the MOSFET is subthreshold when Vgate-source < VThreshold). In addition, it models many of the specialized effects seen in submicrometre CMOS IC design. (en)
- El modelo EKV es un modelo matemático de transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efecto campo. Está pensado para simular circuitos electrónicos y para facilitar el diseño de circuitos analógicos. (es)
- EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する で、回路シミュレーションや 設計で利用されることを目的としたものである。このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz （彼等3名の頭文字をとってEKVとした）らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである。 MOSFETの特性を電圧の2乗特性で表現する 2乗モデル (Quadratic Model)とは異なり、EKV ModelはMOSFETが閾値領域（例：Vbulk=Vsource の条件でかつ Vgate-source < VThresholdの時）での動作も正確に表現できる。加えて、 CMOS IC 設計で取り扱う多くの特別な効果も正確に表現している。 (ja)
- Model EKV tranzystora MOS – jeden z obliczeniowych modeli przyrządów półprzewodnikowych MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) opracowywanych dla potrzeb symulacji układów elektronicznych oraz projektowania analogowych i analogowo-cyfrowych układów scalonych. Został opracowany przez zespół w składzie: , i (nazwa modelu EKV pochodzi od inicjałów autorów) w latach 80. i zaprezentowany w roku 1995. Jest jednym z najdokładniejszych modeli typu "compact" współczesnych tranzystorów MOS. W przeciwieństwie do prostszych modeli, takich jak model o parabolicznej charakterystyce I(V) (Schichmana-Hodgesa), model EKV dokładnie odwzorowuje charakterystyki elektryczne tranzystora MOS we wszystkich zakresach pracy, w tym także w zakresie słabej inwersji, tj. podprogowym (Vgate-source < VThreshold). Do "gładkiego" sklejenia charakterystyk elektrycznych w zakresach słabej i silnej inwersji wykorzystano metodę przedstawioną w pracach Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants i MOS modelling at low current density. Model EKV charakteryzuje się także stosunkowo niewielką liczbą parametrów. Ponadto uwzględnia on szereg zjawisk fizycznych i efektów istotnych dla projektowania współczesnych układów scalonych CMOS. (pl)
- ЭКВ (EKV MOSFET model) — математическая модель МОП-транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования аналоговых интегральных схем. Модель была разработана К. Энцем, Ф. Круменахером и Е. А. Виттосом (название модели составлено из первых букв фамилий авторов) в 1995 году, однако основа модели была заложена в 1980-х годах. В отличие от моделей с квадратичным уравнением (Quadratic Model), модель ЭКВ отличается точностью также в подпороговой области работы МОП-транзистора (например, если Vbulk=Vsource тогда МОП-транзистор находится в подпорговой области Vgate-source < VThreshold). Кроме того, модель ЭКВ содержит много дополнительных специализированных эффектов, которые важны при проектировании микро- и субмикронных КМОП-интегральных схем. (ru)
|
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageInterLanguageLink
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 2394 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| rdfs:comment
|
- El model EKV és un model matemàtic que descriu el comportament dels transistors MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) d'efecte camp. Està pensat per a la simulació de circuits electrònics i per facilitar el disseny de circuits analògics. (ca)
- The EKV Mosfet model is a mathematical model of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFET) which is intended for circuit simulation and analog circuit design. It was developed by C. C. Enz, F. Krummenacher and E. A. Vittoz (hence the initials EKV) around 1995 based in part on work they had done in the 1980s. Unlike simpler models like the Quadratic Model, the EKV Model is accurate even when the MOSFET is operating in the subthreshold region (e.g. when Vbulk=Vsource then the MOSFET is subthreshold when Vgate-source < VThreshold). In addition, it models many of the specialized effects seen in submicrometre CMOS IC design. (en)
- El modelo EKV es un modelo matemático de transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efecto campo. Está pensado para simular circuitos electrónicos y para facilitar el diseño de circuitos analógicos. (es)
- EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する で、回路シミュレーションや 設計で利用されることを目的としたものである。このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz （彼等3名の頭文字をとってEKVとした）らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである。 MOSFETの特性を電圧の2乗特性で表現する 2乗モデル (Quadratic Model)とは異なり、EKV ModelはMOSFETが閾値領域（例：Vbulk=Vsource の条件でかつ Vgate-source < VThresholdの時）での動作も正確に表現できる。加えて、 CMOS IC 設計で取り扱う多くの特別な効果も正確に表現している。 (ja)
- Το μοντέλο EKV Mosfet είναι ένα μαθηματικό μοντέλο των Metal-Oxide Semiconductor τρανζίστορ πεδιακού φαινομένου (Field-Effect Transistors), το οποίο είναι σχεδιασμένο για την προσομοίωση κυκλωμάτων και την σχεδίαση αναλογικών κυκλωμάτων . (el)
- Model EKV tranzystora MOS – jeden z obliczeniowych modeli przyrządów półprzewodnikowych MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) opracowywanych dla potrzeb symulacji układów elektronicznych oraz projektowania analogowych i analogowo-cyfrowych układów scalonych. (pl)
- ЭКВ (EKV MOSFET model) — математическая модель МОП-транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования аналоговых интегральных схем. Модель была разработана К. Энцем, Ф. Круменахером и Е. А. Виттосом (название модели составлено из первых букв фамилий авторов) в 1995 году, однако основа модели была заложена в 1980-х годах. В отличие от моделей с квадратичным уравнением (Quadratic Model), модель ЭКВ отличается точностью также в подпороговой области работы МОП-транзистора (например, если Vbulk=Vsource тогда МОП-транзистор находится в подпорговой области Vgate-source < VThreshold). (ru)
|
| rdfs:label
|
- Model EKV (ca)
- Μοντέλο EKV MOSFET (el)
- Modelo EKV (es)
- EKV MOSFET model (en)
- EKV MOSFET Model (ja)
- Model EKV tranzystora MOSFET (pl)
- Модель МОП-транзистора ЭКВ (ru)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
