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- Selektivní iontové popř. všeobecně iontově senzitivní tranzistory s efektem pole (ISFET) byly vyvinuty v sedmdesátých letech jako alternativa ke skleněné elektrodě pro měření pH. Iontové selektivní tranzistory s efektem pole se zakládají na využití uspořádání tranzistorů MOSFET, kterému chybí Gate z kovu jako řídící elektroda. Místo toho se u ISFET nachází médium v přímém kontaktu s izolační vrstvou Gate. Do P-vodivého základního materiálu polovodiče (Si) difundovaly dvě silně N-vodivé oblasti. Ty působí jako elektroda dodávající ("Source", S) a přijímající ("Drain", D) proud. Kovováelektroda Gate u MOSFET popř. médium u ISFET tvoří společně se substrátem, který se zde nachází, kondenzátor. Rozdíl potenciálu (napětí) mezi Gate a substrátem (UGS) způsobuje zvýšení hustoty elektronů v rozsahu mezi "Source" a "Drain". Vzniká vodivý kanál, takže při indukci napětí protéká proud. Popsaný efekt vede v křemičitém polovodivém substrátu mezi "Source" a "Drain" ke vzniku vodivého kanálu a způsobuje tok proudu mezi"Source" a "Drain". Vhodná spínání snímačů využívají závislosti iontově selektivního potenciálu Gate ke generaci výstupního signálu, který je proporcionální ke způsobu koncentrace iontů. (cs)
- Der ionensensitive Feldeffekttransistor (ISFET, auch ionenselektiver oder ionenempfindlicher Feldeffekttransistor) ist ein spezieller Feldeffekttransistor (FET), der den pH-Wert einer Lösung durch die elektrische Leitfähigkeit des Transistors messen kann. (de)
- An ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) is a field-effect transistor used for measuring ion concentrations in solution; when the ion concentration (such as H+, see pH scale) changes, the current through the transistor will change accordingly. Here, the solution is used as the gate electrode. A voltage between substrate and oxide surfaces arises due to an ion sheath. It is a special type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), and shares the same basic structure, but with the metal gate replaced by an ion-sensitive membrane, electrolyte solution and reference electrode. Invented in 1970, the ISFET was the first biosensor FET (BioFET). The surface hydrolysis of Si–OH groups of the gate materials varies in aqueous solutions due to pH value. Typical gate materials are SiO2, Si3N4, Al2O3 and Ta2O5. The mechanism responsible for the oxide surface charge can be described by the site binding model, which describes the equilibrium between the Si–OH surface sites and the H+ ions in the solution. The hydroxyl groups coating an oxide surface such as that of SiO2 can donate or accept a proton and thus behave in an amphoteric way as illustrated by the following acid-base reactions occurring at the oxide-electrolyte interface: —Si–OH + H2O ↔ —Si–O− + H3O+—Si–OH + H3O+ ↔ —Si–OH2+ + H2O An ISFET's source and drain are constructed as for a MOSFET. The gate electrode is separated from the channel by a barrier which is sensitive to hydrogen ions and a gap to allow the substance under test to come in contact with the sensitive barrier. An ISFET's threshold voltage depends on the pH of the substance in contact with its ion-sensitive barrier. (en)
- Un ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor, transistor de efecto campo sensible a iones) es un sensor electroquímico que reacciona a cambios en la actividad de un ion dado. Si el cambio es en la actividad del ion hidrógeno, se habla entonces de un ISFET sensible al pH. Cuando cambia la concentración de iones (pH), también varía la cantidad de éstos que pasan a través de la membrana y van a parar a la puerta del transistor. Por tanto, también puede variar la corriente que pasa a través del transistor. Esto ocurre cuando el sensor entra en contacto con la sustancia que se desea analizar. Este dispositivo se basa en el MOSFET, estando compuesto de los siguientes elementos:
* Una compuerta o membrana.
* Áreas de fuente y drenaje para la sustancia. Los materiales típicos para la compuerta son el Si3N4, Al2O3 y el Ta2O5. Su uso se encuentra en la industria química, alimenticia y ecología. (es)
- L’ISFET, ou Ion Sensitive Field Effect Transistor, est un type de transistor à effet de champ dont la broche gate est sensible aux variations de concentration en ions. Sa principale utilisation est la mesure du pH. (fr)
- Transistor efek medan peka-ion (ISFET) adalah jenis transistor efek medan yang dapat digunakan untuk mengukur konsentrasi ion dalam suatu larutan. (in)
- イオン感応性電界効果トランジスタとは、溶液中の特定イオンに選択的に応答し、その濃度に対応する電気信号を出力するセンサである。従来のイオン電極と高入力抵抗増幅器とを集積化したものといえる。 (ja)
- Een ISFET is een ion-gevoelige veldeffecttransistor (Ion Sensitive Field Effect Transistor). Deze werd in de jaren zeventig ontwikkeld door Piet Bergveld aan de THT (nu Universiteit Twente). Bij verandering van ionconcentratie (of pH) van de oplossing vloeit er meer of minder stroom door de transistor. De ladingsdragers tussen source en drain worden beïnvloed door de nabijheid van ionen in de bovenstaande elektrolyt-vloeistof. Zo verandert de weerstand van het geleidingskanaal van de transistor. (nl)
- ISFET (ang. Ion-Sensitive Field Effect Transistor – czuły na jony tranzystor polowy) - tranzystor polowy, sterowany koncentracją określonych jonów, których obecność w bramce przesuwa . Jest szczególnym rodzajem elektrody jonoselektywnej z membraną polimerową umieszczoną na podłożu krzemowym. Jest dobrym czujnikiem pH. (pl)
- 离子敏感场效应晶体管，又称ISFET （ 英語：ion-sensitive field-effect transistor ），是用于测量溶液中离子浓度的场效应晶体管 。当离子浓度（例如H+ ，参见pH值 ）变化时，流经晶体管的电流也会相应变化。 在这里，溶液被用作栅极。 基板和氧化物表面之间的电压由于离子层而产生。 它与MOSFET具有相同的基本结构，是一种特殊类型的MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管） ，但金属栅极被离子敏感膜 ， 电解质溶液和代替。 ISFET于1970年发明，是第一款（BioFET）。 PH值影响栅极材料的Si–OH基团在水溶液中的界面 水解性 。典型的栅极材料有 SiO2, Si3N4, Al2O3 和 Ta2O5. 可以通过描述负责氧化物表面电荷的机理，该模型描述了溶液中Si-OH表面位点和H+离子之间的平衡。 覆盖氧化物表面（例如SiO2）的羟基可以通过提供或接受质子而表现两性，如在氧化物-电解质界面发生的以下酸碱反应： -Si-OH + H2O ↔ -Si-O - + H3O+-Si-OH + H3O+ ↔ -Si–OH2+ + H2O ISFET的源极和漏极的结构与MOSFET相同。氢离子敏感膜通过对氢离子的选择透过以改变栅极电压。即ISFET的阈值电压取决于与其离子敏感膜接触的物质的pH值。 (zh)
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- Der ionensensitive Feldeffekttransistor (ISFET, auch ionenselektiver oder ionenempfindlicher Feldeffekttransistor) ist ein spezieller Feldeffekttransistor (FET), der den pH-Wert einer Lösung durch die elektrische Leitfähigkeit des Transistors messen kann. (de)
- L’ISFET, ou Ion Sensitive Field Effect Transistor, est un type de transistor à effet de champ dont la broche gate est sensible aux variations de concentration en ions. Sa principale utilisation est la mesure du pH. (fr)
- Transistor efek medan peka-ion (ISFET) adalah jenis transistor efek medan yang dapat digunakan untuk mengukur konsentrasi ion dalam suatu larutan. (in)
- イオン感応性電界効果トランジスタとは、溶液中の特定イオンに選択的に応答し、その濃度に対応する電気信号を出力するセンサである。従来のイオン電極と高入力抵抗増幅器とを集積化したものといえる。 (ja)
- Een ISFET is een ion-gevoelige veldeffecttransistor (Ion Sensitive Field Effect Transistor). Deze werd in de jaren zeventig ontwikkeld door Piet Bergveld aan de THT (nu Universiteit Twente). Bij verandering van ionconcentratie (of pH) van de oplossing vloeit er meer of minder stroom door de transistor. De ladingsdragers tussen source en drain worden beïnvloed door de nabijheid van ionen in de bovenstaande elektrolyt-vloeistof. Zo verandert de weerstand van het geleidingskanaal van de transistor. (nl)
- ISFET (ang. Ion-Sensitive Field Effect Transistor – czuły na jony tranzystor polowy) - tranzystor polowy, sterowany koncentracją określonych jonów, których obecność w bramce przesuwa . Jest szczególnym rodzajem elektrody jonoselektywnej z membraną polimerową umieszczoną na podłożu krzemowym. Jest dobrym czujnikiem pH. (pl)
- 离子敏感场效应晶体管，又称ISFET （ 英語：ion-sensitive field-effect transistor ），是用于测量溶液中离子浓度的场效应晶体管 。当离子浓度（例如H+ ，参见pH值 ）变化时，流经晶体管的电流也会相应变化。 在这里，溶液被用作栅极。 基板和氧化物表面之间的电压由于离子层而产生。 它与MOSFET具有相同的基本结构，是一种特殊类型的MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管） ，但金属栅极被离子敏感膜 ， 电解质溶液和代替。 ISFET于1970年发明，是第一款（BioFET）。 PH值影响栅极材料的Si–OH基团在水溶液中的界面 水解性 。典型的栅极材料有 SiO2, Si3N4, Al2O3 和 Ta2O5. 可以通过描述负责氧化物表面电荷的机理，该模型描述了溶液中Si-OH表面位点和H+离子之间的平衡。 覆盖氧化物表面（例如SiO2）的羟基可以通过提供或接受质子而表现两性，如在氧化物-电解质界面发生的以下酸碱反应： -Si-OH + H2O ↔ -Si-O - + H3O+-Si-OH + H3O+ ↔ -Si–OH2+ + H2O ISFET的源极和漏极的结构与MOSFET相同。氢离子敏感膜通过对氢离子的选择透过以改变栅极电压。即ISFET的阈值电压取决于与其离子敏感膜接触的物质的pH值。 (zh)
- Selektivní iontové popř. všeobecně iontově senzitivní tranzistory s efektem pole (ISFET) byly vyvinuty v sedmdesátých letech jako alternativa ke skleněné elektrodě pro měření pH. Iontové selektivní tranzistory s efektem pole se zakládají na využití uspořádání tranzistorů MOSFET, kterému chybí Gate z kovu jako řídící elektroda. Místo toho se u ISFET nachází médium v přímém kontaktu s izolační vrstvou Gate. Do P-vodivého základního materiálu polovodiče (Si) difundovaly dvě silně N-vodivé oblasti. Ty působí jako elektroda dodávající ("Source", S) a přijímající ("Drain", D) proud. Kovováelektroda Gate u MOSFET popř. médium u ISFET tvoří společně se substrátem, který se zde nachází, kondenzátor. Rozdíl potenciálu (napětí) mezi Gate a substrátem (UGS) způsobuje zvýšení hustoty elektronů v rozsah (cs)
- Un ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor, transistor de efecto campo sensible a iones) es un sensor electroquímico que reacciona a cambios en la actividad de un ion dado. Si el cambio es en la actividad del ion hidrógeno, se habla entonces de un ISFET sensible al pH. Cuando cambia la concentración de iones (pH), también varía la cantidad de éstos que pasan a través de la membrana y van a parar a la puerta del transistor. Por tanto, también puede variar la corriente que pasa a través del transistor. Esto ocurre cuando el sensor entra en contacto con la sustancia que se desea analizar. (es)
- An ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) is a field-effect transistor used for measuring ion concentrations in solution; when the ion concentration (such as H+, see pH scale) changes, the current through the transistor will change accordingly. Here, the solution is used as the gate electrode. A voltage between substrate and oxide surfaces arises due to an ion sheath. It is a special type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), and shares the same basic structure, but with the metal gate replaced by an ion-sensitive membrane, electrolyte solution and reference electrode. Invented in 1970, the ISFET was the first biosensor FET (BioFET). (en)
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- Ionensensitiver Feldeffekttransistor (de)
- ISFET (es)
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