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- CMOS（シーモス、Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『』参照）。 相補型MOS（CMOS）プロセスは、Fairchild Semiconductor社のFrank Wanlassが考案し、翌1963年にWanlassとChih-Tang Sahが学会で発表したのが始まりである。RCA社は1960年代後半に「COS-MOS」という商標で商品化し、他のメーカーに別の名称を探させ、1970年代前半には「CMOS」が標準的な名称となるに至った。CMOSは、1980年代にNMOSを抜いてVLSI用MOSFETの主流となり、TTL（トランジスタ・トランジスタ・ロジック）技術も置き換えた。その後、CMOSはVLSIチップに搭載されるMOSFET半導体デバイスの標準的な製造プロセスであり続けている。2011年現在、ほとんどのデジタル、アナログ、ミックスドシグナルICを含むICチップの99%がCMOS技術で製造されている。 CMOSデバイスの重要な特性は、高い耐ノイズ性と低い静的電力消費である。 MOSFETのペアのうち1つのトランジスタは常にオフであるため、直列の組み合わせはオンとオフを切り替える際に瞬間的に大きな電力を消費するだけである。そのため、やTTL（トランジスタトランジスタロジック）のように、状態変化していないときにも定常電流が流れる論理回路ほど発熱せず、チップ上に高密度に集積できる。CMOSがVLSIチップの実装技術として最も広く使われるようになったのは、主にこのような理由によるものである。 MOSとはMetal（金属）-Oxide（酸化膜）-Semiconductor（半導体）の略で、MOS型電界効果トランジスタの物理的構造のことを指す。酸化膜絶縁体の上に金属ゲート電極を置き、さらにその上に半導体材料を置いたものである。かつてはアルミニウムが使われていたが、現在はシリコンが使われている。その他、IBMやインテルが45ナノメートル・ノード以下のサイズで発表したように、CMOSプロセスにおける高κ誘電体材料の登場により、金属ゲートが復活している。 商用CMOS製品は10から400mm2の長方形のシリコン片に両タイプのトランジスタを数十億個まで集積した回路である。 CMOSは常にすべてのエンハンスメントモードMOSFET（言い換えれば、ゲート-ソース間電圧がゼロの場合、トランジスタがオフになる）を使用する。 (ja)
- CMOS（シーモス、Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『』参照）。 相補型MOS（CMOS）プロセスは、Fairchild Semiconductor社のFrank Wanlassが考案し、翌1963年にWanlassとChih-Tang Sahが学会で発表したのが始まりである。RCA社は1960年代後半に「COS-MOS」という商標で商品化し、他のメーカーに別の名称を探させ、1970年代前半には「CMOS」が標準的な名称となるに至った。CMOSは、1980年代にNMOSを抜いてVLSI用MOSFETの主流となり、TTL（トランジスタ・トランジスタ・ロジック）技術も置き換えた。その後、CMOSはVLSIチップに搭載されるMOSFET半導体デバイスの標準的な製造プロセスであり続けている。2011年現在、ほとんどのデジタル、アナログ、ミックスドシグナルICを含むICチップの99%がCMOS技術で製造されている。 CMOSデバイスの重要な特性は、高い耐ノイズ性と低い静的電力消費である。 MOSFETのペアのうち1つのトランジスタは常にオフであるため、直列の組み合わせはオンとオフを切り替える際に瞬間的に大きな電力を消費するだけである。そのため、やTTL（トランジスタトランジスタロジック）のように、状態変化していないときにも定常電流が流れる論理回路ほど発熱せず、チップ上に高密度に集積できる。CMOSがVLSIチップの実装技術として最も広く使われるようになったのは、主にこのような理由によるものである。 MOSとはMetal（金属）-Oxide（酸化膜）-Semiconductor（半導体）の略で、MOS型電界効果トランジスタの物理的構造のことを指す。酸化膜絶縁体の上に金属ゲート電極を置き、さらにその上に半導体材料を置いたものである。かつてはアルミニウムが使われていたが、現在はシリコンが使われている。その他、IBMやインテルが45ナノメートル・ノード以下のサイズで発表したように、CMOSプロセスにおける高κ誘電体材料の登場により、金属ゲートが復活している。 商用CMOS製品は10から400mm2の長方形のシリコン片に両タイプのトランジスタを数十億個まで集積した回路である。 CMOSは常にすべてのエンハンスメントモードMOSFET（言い換えれば、ゲート-ソース間電圧がゼロの場合、トランジスタがオフになる）を使用する。 (ja)
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- CMOS（シーモス、Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『』参照）。 相補型MOS（CMOS）プロセスは、Fairchild Semiconductor社のFrank Wanlassが考案し、翌1963年にWanlassとChih-Tang Sahが学会で発表したのが始まりである。RCA社は1960年代後半に「COS-MOS」という商標で商品化し、他のメーカーに別の名称を探させ、1970年代前半には「CMOS」が標準的な名称となるに至った。CMOSは、1980年代にNMOSを抜いてVLSI用MOSFETの主流となり、TTL（トランジスタ・トランジスタ・ロジック）技術も置き換えた。その後、CMOSはVLSIチップに搭載されるMOSFET半導体デバイスの標準的な製造プロセスであり続けている。2011年現在、ほとんどのデジタル、アナログ、ミックスドシグナルICを含むICチップの99%がCMOS技術で製造されている。 (ja)
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