フラッシュメモリIP(Intellectual Property)を手掛けるフローディアが、SONOS構造のフラッシュメモリを用いて超低消費電力でAI演算を行うCiM(Computing in Memory)技術を開発中だ。 フローディアは、ルネサス エレクトロニクスでフラッシュメモリの開発を20年以上手掛けていた7人のエンジニアにより、2011年4月に設立された。BCDプロセスを適用したSONOS構造のフラッシュメモリ(SONOSメモリ)技術を、IPとして半導体メーカーやファウンドリーに提供している。 SONOSメモリは、窒化シリコン(SiN)膜に電子をトラップする(チャージトラップ方式)ことでメモリ機能を実現する。フローティングゲート方式を用いた一般的な組み込みフラッシュメモリでは、ゲート酸化膜が高温に弱く電荷が大量に漏れてしまうのに対し、SONOSメモリは電荷が結晶の微細な構造に閉じ
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