TSMCは2024年10月に日本で開催したプライベートイベントで、2nm世代技術など微細化の進捗を説明した(出所:TSMC) 台湾積体電路製造(TSMC)は半導体技術の国際学会「IEDM 2024」(2024年12月7~11日、米サンフランシスコ)で、2nm(ナノメートル)世代技術の詳細を明らかにした。2nm世代技術の論文発表は業界初で、2025年下期(7~12月)に量産を始める。トランジスタの構造を3nm世代までのFinFET(フィン型電界効果トランジスタ)からGAA(ゲート・オール・アラウンド)ナノシートに変え、動作速度を3nm世代比で15%高めた。技術力の指標となるSRAM部(マクロ)の歩留まりも90%と高く、全体として完成度が極めて高い。 「2nm Platform Technology featuring Energy-efficient Nanosheet Transistor