半導体転写技術によりゲルマニウム(Ge)単結晶を10 nm以下に超薄膜化 薄膜化に伴い、絶縁膜に挟まれたGe膜中の電子移動度が急激に向上する新しい現象を発見 高速情報処理を低消費電力で行える大規模集積回路の実現に貢献 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】Wen Hsin Chang 産総研特別研究員、3D集積システムグループ 入沢 寿史 主任研究員、同研究部門 前田 辰郎 研究主幹らは、シリコン(Si)の性能を凌駕する材料として有望視されているゲルマニウム(Ge)の膜厚10 nm以下の均一な超薄膜構造の作製法を開発した。さらにこのナノメートルレベルの均一なGe超薄膜を絶縁膜で挟むと、Ge超薄膜中の電子移動度が著しく向上することを発見した。これは、絶縁膜で挟まれた5 nm以下の半導体薄膜では、