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浅板の英語
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英訳・英語 lamina superficialis; superficial layer
「浅板」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 304件
主板部12の一部の溝14には、きわめて浅い第1浅部21と、やや浅い第2浅部22とが設けられている。例文帳に追加
In parts of the channels 14 of the main plate part 12, extremely shallow first shallow parts 21 and fairly shallow second shallow parts 22 are provided. - 特許庁
半導体基板の極浅pn接合の形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING EXTREMELY SHALLOW PN JUNCTION IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
半導体基板の極浅pn接合の形成方法例文帳に追加
FORMATION METHOD FOR VERY SHALLOW P-N JUNCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
浅瀬にすむ東インド産の透明板で覆われた細長い熱帯魚例文帳に追加
slender tropical shallow-water East Indian fish covered with transparent plates発音を聞く - 日本語WordNet
半導体基板に浅いトレンチ絶縁構造を形成する方法例文帳に追加
FORMING METHOD OF SHALLOW TRENCH INSULATING STRUCTURE TO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
浅いトレンチ分離および基板貫通ビアの集積回路設計への統合例文帳に追加
INTEGRATION OF SHALLOW TRENCH ISOLATION AND THROUGH-SUBSTRATE VIAS INTO INTEGRATED CIRCUIT DESIGNS - 特許庁
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「浅板」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 304件
排熱板3は円形浅溝133に於いてスムーズに回転する。例文帳に追加
The heat sink 3 rotates smoothly in the circular shallow groove 133. - 特許庁
セメント系浅溝用充填材、化粧板、およびその製造方法等例文帳に追加
FILLING MATERIAL FOR CEMENT-BASED SHALLOW GROOVE, DECORATIVE SHEET, ITS PRODUCTION METHOD OR THE LIKE - 特許庁
浅簿トレンチ絶縁構造の製造方法及び基板プレ—ナ化方法例文帳に追加
MANUFACTURE OF SHALLOW TRENCH INSULATING STRUCTURE AND SUBSTRATE PLANARIZATION METHOD - 特許庁
底板2外周部から短周壁3を起立する浅皿部4と、上記浅皿部上面を覆う、多数透孔12…付きの網目状板13と、上記浅皿部4内へ収納させた発熱体21とで形成している。例文帳に追加
The heated fitness tool consists of a flat plate part 4 with a short peripheral wall 3 standing from the outer peripheral part of a bottom board 2, a mesh board 13 with a large number of through holes 12..., covering the top of the flat plate part, and a heater 21 stored in the flat plate part 4. - 特許庁
基板(106)に浅いトレンチ分離部(132)が形成され、浅いトレンチ分離部(132)はチャネル(112)上に歪を生じさせる。例文帳に追加
After that, a shallow trench isolation portion (132) is formed on the substrate (106), and the shallow trench isolation portion (132) produces a distortion on the channel (112). - 特許庁
基板1には、四角形状の浅段差部3と、この浅段差部3よりも一段低い位置に四角形状の深段差部5を設ける。例文帳に追加
On a substrate 1, a square shallow step 3 is provided and a square deep step 5 is provided at a position which is lower than that of the part 3 by one level. - 特許庁
薄いシリコン・オン・インシュレータ基板用の浅いトレンチ分離を形成する方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION FOR THIN SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE - 特許庁
浅いトレンチ分離および基板貫通ビアの集積回路設計への統合を提供すること。例文帳に追加
To provide integration of shallow trench isolation and through-substrate vias into integrated circuit designs. - 特許庁
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