P so asとは 意味・読み方・使い方

The control modes are set so as to be switched from the closed-loop control to the open-loop control at each mode switching position p_T, p_P between a specific position before the drive target object reaches a target stop position P_S and the target stop position P_S.例文帳に追加

これらの制御モードは、駆動対象物が目標停止位置に到達する手前の特定位置と、目標停止位置と、の間のモード切替位置において、クローズドループ制御からオープンループ制御に切り替えられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer.例文帳に追加

p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を電流狭窄層として機能するように形成し、薄い層構造で済むこのp-InGaAsP層を電流狭窄層として用いることにより活性層上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

So, a p+ isolation region 68 is so provided as to adjoin the sidewall of the trench.例文帳に追加

そこでトレンチ６２の側壁に隣接するようにｐ^+分離領域６８を設ける。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

A plain text space is set so as to be an open interval (0, 2k-2) and a subset of small surplus groups with respect to n=pdq (p, q: prime numbers, and pq is k-bits), and an algorithm is composed so as to clarify the relations among quadratic equations existing plurally.例文帳に追加

n=p^dq(p,q は素数，pq はk ビット)に対して，平文空間を開区間 (0,2^k-2) と小さな剰余群の部分集合となるように設定し，かつ，複数存在する2次方程式の解の関係を明確化できるようにアルゴリズムを構成する。 - 特許庁

In an extrusion blow molded bottle 1 made of the synthetic resin on which a parting line P_L is formed so as to divide a bottom part 5 into two, the parting line P_L is made eccentric to the bisector L_O of the bottom part 5.例文帳に追加

本発明は、底部5を2つに分割するようにパーティングラインP_Lが形成された合成樹脂製の押し出しブロー成形ボトル1であって、パーティングラインP_Lを、底部5の二等分線L_0に対して偏心させている。 - 特許庁

The nMOS protection circuit 1g comprises a transistor formation portion 10 and a p^+-type well tap region 30 that are formed in a p-type (second-conductivity-type) well 4 so as to be apart from each other.例文帳に追加

nMOS保護回路１ｇはp型（第２導電型）ウェル４内に互いに離間して形成されているトランジスタ形成部１０とp^+型ウェルタップ領域３０を備えている。 - 特許庁

Therefore, the parting line P-L is not strongly pressed against the paper sheet P, so as to prevent the parting line P-L from damaging the recording surface of the paper sheet P.例文帳に追加

これによりパーティングライン（Ｐ・Ｌ）が用紙Ｐに強く押し当たることを防止することができ、パーティングライン（Ｐ・Ｌ）が用紙Ｐの記録面にダメージを与えることを防止することができる。 - 特許庁