electron trapsとは 意味・読み方・使い方

When the off angle of the gallium nitride substrate main surface 11a is at least 0.3°, the gallium nitride epitaxial film 13 has a low density of electron traps.例文帳に追加

窒化ガリウム基板主面１１ａのオフ角が０．３度以上であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３は低い電子トラップの密度を有する。 - 特許庁

When the dislocation density is not more than 1×10^8 cm^-2 on a main surface 11a of the gallium nitride substrate 11, the density of electron traps in the gallium nitride epitaxial film 13 is reduced.例文帳に追加

窒化ガリウム基板１１の主面１１ａにおいて、転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３中の電子トラップの密度が低減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing degradation of electrical characteristics of a transistor having a tunnel insulating film by increased electron traps in the tunnel insulating film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

トンネル絶縁膜を有するトランジスタにおいて、トンネル絶縁膜の電子トラップが増加することによるトランジスタの電気特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する - 特許庁

To provide a method for improving productivity by reducing costs as to an electron beam irradiation method which is one of methods for forming carrier traps on a monocrystal semiconductor layer in manufacturing processes of semiconductor wafers for high-speed recovery diodes.例文帳に追加

高速リカバリーダイオード用半導体ウェハの製造工程において，単結晶半導体層へキャリアトラップを形成する方法の一つである電子線照射工法についてコスト削減を目的として生産性が向上する工法を提供する。 - 特許庁