electron trappingとは 意味・読み方・使い方

To reduce difference between DC and RF characteristics caused by electron trapping.例文帳に追加

電子トラッピングによる、ＤＣ特性とＲＦ特性の差を低減する。 - 特許庁

A nitride-based FET device 10 reduces electron trapping and gate current leakage.例文帳に追加

電子トラップ及びゲート電流の漏れを減少させる窒化物系ＦＥＴデバイス１０である。 - 特許庁

Furthermore, a third auxiliary electrode 12 for trapping assisting the secondary electrons generated from the testpiece 2 is installed at the secondary electron detector 5 in front of the detector.例文帳に追加

更に、２次電子検出器５には試料２から発生した２次電子を補集補助する第３補助電極１２を検出器前面に設置する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor quantum dot which has a dot-like favorable shape characteristic capable of achieving a three-dimensional electron trapping on a Si substrate and has a favorable crystallinity.例文帳に追加

化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。 - 特許庁

To provide a high electron mobility transistor having a thin AlGaN layer to reduce trapping and also having additional layers to reduce gate leakage and increase the maximum drive current.例文帳に追加

トラッピングを少なくするためにＡｌＧａＮ層を薄くし、またゲート漏洩を減少させるために層を追加して最大駆動電流を増加させるようにする。 - 特許庁

To provide a light emitting element with a luminescent layer capable of effectively converting an exciton which is easily recombined by trapping charges (hole, electron) and is generated by its recombination to a luminous phenomenon, in the light emitting element having the luminescent layer containing the a quantum dot.例文帳に追加

量子ドットを含む発光層を備えた発光素子において、電荷（ホール、エレクトロン）をトラップして再結合し易く、且つその再結合によって生じた励起子を効果的に発光現象に変換できる発光層を備えた発光素を提供する。 - 特許庁

The SONOS EEPROM is adapted such that, although an electric charge trapping layer 140a is formed at both ends of a gate, i.e., in a junction region of a source 190 and a drain 195, an electron charged region and a hole charged region are brought into coincidence with each other to improve cell efficiency by forming locally thick adjacent portion of the joint.例文帳に追加

メモリ場所である電荷トラッピング層１４０ａをセルのゲート両端、すなわちソース１９０及びドレーン１９５接合領域に形成させるが、接合隣接部位を局部的に厚く形成することによって電子充電領域及びホール充電領域を一致させてセル効率を向上させたＳＯＮＯＳ ＥＥＰＲＯＭである。 - 特許庁