perfect crystalとは 意味・読み方・使い方

The produced nanowire is a high-purity and high-quality noble metal nanowire in a perfect single crystal state free from defects and impurities.例文帳に追加

製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。 - 特許庁

To provide a polarizing film attaining a white display more perfect than conventional one in a reflective liquid crystal display device.例文帳に追加

反射型液晶表示装置において、より完全な白表示が可能な偏光フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a photonic crystal of a two-dimensional structure having perfect band gaps and high mechanical strength.例文帳に追加

完全バンドギャップを有し、かつ機械的強度の大きい２次元構造のフォトニック結晶を提供する。 - 特許庁

Perfect depletion high speed MOS transistors and high breakdown strength MOS transistors are formed on the single crystal silicon device forming layer, and the single crystal silicon device forming layer in the perfect depletion high speed MOS transistor region is formed thin.例文帳に追加

完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタおよび高耐圧型ＭＯＳトランジスタは単結晶シリコンデバイス形成層に形成し、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ領域の単結晶シリコンデバイス形成層膜厚を薄くした。 - 特許庁

Perfect depletion high speed MOS transistors, high breakdown strength MOS transistors and ESD protective elements are formed on the single crystal silicon device forming layer, and the single crystal silicon device forming layer in the perfect depletion high speed MOS transistor region is formed thinner as compared with other regions.例文帳に追加

完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタと高耐圧型ＭＯＳトランジスタおよびＥＳＤ保護素子は単結晶シリコンデバイス形成層に形成し、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ領域の単結晶シリコンデバイス形成層膜厚を他に比べて薄くした。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for pulling a silicon single crystal by a CZ method where the acquisition rate and its assurance of a fault-free crystal (perfect crystal) can be enhanced.例文帳に追加

無欠陥結晶（完全結晶）の取得率とその確実性を向上させることができるようなＣＺ法シリコン単結晶引上げ装置及び方法を提供する。 - 特許庁

It is most mainly characterized in that the twin boundaries are crystal grain boundaries symmetrical to each other, the crystal grains grow upward by one direction solidification, thereby forming a perfect polycrystalline silicon crystal.例文帳に追加

該双晶境界は相互対称の結晶粒境界で，該結晶粒が一方向凝固で上向きに成長し、完全な多結晶シリコン結晶体を成形することを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

The dielectric substrate uses a nonstretched PTFE porous material having a porosity of not less than 5% and only an endothermic peak in a fired state (perfect firing) in the crystal fusion curve by the differential scanning calorimetry (DSC) or the endothermic peak in a fired state (perfect firing) to the extent of not becoming clear.例文帳に追加

気孔率が５％以上で、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）による結晶融解曲線において焼成状態（完全焼成）の吸熱ピークのみを有し、または、焼成状態（完全焼成）の吸熱ピークを明確にならない程度に有し、非延伸のＰＴＦＥ多孔体を使用した誘電体基板。 - 特許庁