TECNOLOGAS DE MEMORIAS La divisin entre primario, secundario, terciario, fuera de lnea se basa en la jerarqua de memoria o distancia desde la unidad

central de proceso. Hay otras formas de caracterizar a los distintos tipos de memoria: 1) VOLATILIDAD DE LA INFORMACIN La memoria voltil requiere energa constante para mantener la informacin almacenada. La memoria voltil se suele usar slo en memorias primarias. La memoria no voltil retendr la informacin almacenada incluso si no recibe corriente elctrica constantemente. Se usa para almacenamientos a largo plazo y, por tanto, se usa en memorias secundarias, terciarias y fuera de lnea. Memoria dinmica es una memoria voltil que adems requiere que peridicamente se refresque la informacin almacenada, o leda y reescrita sin modificaciones.

2) HABILIDAD PARA ACCEDER A INFORMACIN NO CONTIGUA Acceso aleatorio significa que se puede acceder a cualquier localizacin de la memoria en cualquier momento en el mismo intervalo de tiempo, normalmente pequeo. Acceso secuencial significa que acceder a una unidad de informacin tomar un intervalo de tiempo variable, dependiendo de la unidad de informacin que fue leda anteriormente. El dispositivo puede necesitar buscar (posicionar correctamente el cabezal de lectura/escritura de un disco), o dar vueltas (esperando a que la posicin adecuada aparezca debajo del cabezal de lectura/escritura en un medio que gira continuamente).

3) HABILIDAD PARA CAMBIAR LA INFORMACIN Las memorias de lectura/escritura o memorias cambiables permiten que la informacin se reescriba en cualquier momento. Una computadora sin algo de memoria de lectura/escritura como memoria principal sera intil para muchas tareas. Las computadoras modernas tambin usan habitualmente memorias de lectura/escritura como memoria secundaria. Las memorias de slo lectura retienen la informacin almacenada en el momento de fabricarse y la memoria de escritura nica (WORM) permite que la informacin se escriba una sola vez en algn momento tras la fabricacin. Tambin estn las memorias inmutables, que se utilizan en memorias terciarias y fuera de lnea. Un ejemplo son los CD-ROMs. Las memorias de escritura lenta y lectura rpida son memorias de lectura/escritura que permite que la informacin se reescriba mltiples veces pero con una velocidad de escritura mucho menor que la de lectura. Un ejemplo son los CD-RW.

4) DIRECCIONAMIENTO DE LA INFORMACIN En la memoria de localizacin direccionable, cada unidad de informacin accesible individualmente en la memoria se selecciona con su direccin de memoria numrica. En las computadoras modernas, la memoria de localizacin direccionable se suele limitar a memorias primarias, que se leen internamente por programas de computadora ya que la localizacin direccionable es muy eficiente, pero difcil de usar para los humanos. En las memorias de sistema de archivos, la informacin se divide en Archivos informticos de longitud variable y un fichero concreto se localiza en directorios y nombres de archivos "legible por humanos". El dispositivo subyacente sigue siendo de localizacin direccionable, pero el sistema operativo de la computadora proporciona la abstraccin del sistema de archivos para que la operacin sea ms entendible. En las computadoras modernas, las memorias secundarias, terciarias y fuera de lnea usan sistemas de archivos.

En las memorias de contenido direccionable (content-addressable memory), cada unidad de informacin legible individualmente se selecciona con un valor hash o un identificador corto sin relacin con la direccin de memoria en la que se almacena la informacin. La memoria de contenido direccionable pueden construirse usando software o hardware; la opcin hardware es la opcin ms rpida y cara.

5) CAPACIDAD DE MEMORIA Memorias de mayor capacidad son el resultado de la rpida evolucin en tecnologa de materiales semiconductores. Los primeros programas de ajedrez funcionaban en mquinas que utilizaban memorias de base magntica. A inicios de 1970 aparecen las memorias realizadas por semiconductores, como las utilizadas en la serie de computadoras IBM 370. La velocidad de los computadores se increment, multiplicada por 100.000 aproximadamente y la capacidad de memoria creci en una proporcin similar. Este hecho es particularmente importante para los programas que utilizan tablas de transposicin: a medida que aumenta la velocidad de la computadora se necesitan memorias de capacidad proporcionalmente mayor para mantener la cantidad extra de posiciones que el programa est buscando. Se espera que la capacidad de procesadores siga aumentando en los prximos aos; no es un abuso pensar que la capacidad de memoria continuar creciendo de manera impresionante. Memorias de mayor capacidad podrn ser utilizadas por programas con tablas de Hash de mayor envergadura, las cuales mantendrn la informacin en forma permanente.

Clasificacin general de memorias

Las memorias se pueden clasificar de tres maneras: por su Funcionamiento, por su Tipo de Conexin y por ultimo por su Tecnologa de de Fabricacin de Memorias

I)

POR LA TECNOLOGA DE FABRICACIN a) Memoria de Tambor

Es una pila de discos de material ferromagntico con una fila de lectores a su lado, las pequeas agujas se encontraban a la pequesima distancia de .001 pulgadas por lo cual si se movan de una forma indebida o por el simple hecho de la expansin de los materiales por el calor esta separacin ya no era la misma por lo que este dispositivo era inservible. b) Memoria de ncleo de ferrita

Se basaba en las caractersticas del Lazo de Histresis para poder representar el bit encendido o apagado. En la imagen se muestra solo un ncleo, ya que se hacan arreglos de estos ncleos para representar la memoria, por cada ncleo pasaba un "cable" de corriente y un sensor el cual detectaba si el ncleo tena un campo magntico o no; esto debido a la corriente. c) Memoria Bipolar

Basado en los transistores los mismos que son materiales semiconductores (solo bajo ciertas condiciones deja fluir una corriente elctrica), que pueden ser PNP o NPN y configurados de cierta forma (multiemisor). La memoria bipolar es aquella que cada bit por almacenar es definido por un transistor en el que por su configuracin es capaz de almacenar un valor ya sea un 1 o un 0 segn dependa la informacin a guardar en la memoria, las seccin x, y del dibujo son el anlogo a los cables de corriente del la memoria de ncleo de ferrita las secciones 0 y 1 nos indica que valor se encuentra almacenado. d) Memoria MOSFET

Parecida a la memoria bipolar solo que utiliza un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-Oxido de Silicio), Debido a configuracin y a sus componentes brinda un acceso de datos ms rpido y ocupa un espacio mucho menor.

Segn que el elemento utilizado para almacenar los bits sea un biestable o un condensador, se clasifican en estticas (SRAM) y en dinmicas (DRAM) respectivamente. De acuerdo con la tecnologa de fabricacin que se emplee, se pueden dividir en bipolares y MOS. Las Tecnologas para fabricar memorias se caracterizan por: Coste.

 Tiempo de acceso. Capacidad de almacenamiento. La Optimizacin se consigue con una gran capacidad de almacenamiento, un tiempo de acceso muy corto y un costo pequeo.

II. POR SU FUNCIONAMIENTO MEMORIA ROM ROM read-only memory, memoria de slo lectura una memoria de semiconductor destinada a ser leda y no destructible. Se programa durante el proceso de fabricacin. Se fabrica con tecnologa bipolar como de tecnologa MOS. Es una memoria no voltil. Utilizada mayormente para almacenar la configuracin del sistema o el programa de arranque de la computadora adems de ser utilizadas como medio de almacenamiento de datos. Su uso principal reside en la distribucin de programas que estn estrechamente ligados al soporte fsico de la computadora, y que seguramente no necesitarn actualizacin.

Una razn de que todava se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad ya que los discos son ms lentos. An ms importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. La BIOS o el sistema de arranque oportuno de la computadora normalmente se encuentran en una memoria ROM. 1) MEMORIA PROM PROM Programmable Read-Only Memory es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada una sola vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos. Pequeas PROM han venido utilizndose como generadores de funciones, normalmente en conjuncin con un multiplexor.

Memoria PROM con tecnologa Bipolar

2) MEMORIA EPROM EPROM Erasable Programmable Read-Only Memory es un tipo de chip de memoria ROM no voltil. Se graban electivamente, est formada por celdas de FAMOS Floating Gate Avalanche-Injection MetalOxide Semiconductor o transistores de puerta flotante, cada uno de los cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos como 0 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede leer un nmero ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Los antiguos BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contena el nombre del productor del BIOS, su revisin y una advertencia de copyright. 3) MEMORIA EEPROM EEPROM Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioleta. Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces. Se utiliza tambin para sean integrados dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. 4) MEMORIA FLASH Es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante impulsos elctricos. La memoria flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo. MEMORIA RAM La memoria de acceso aleatorio, o memoria RAM, se compone de uno o ms chips y se utiliza como memoria de trabajo para programas y datos. Es un tipo de memoria temporal que pierde sus datos cuando se queda sin energa, por lo cual es una memoria voltil. Estas memorias estn en un zcalo de la placa base, ya que hasta el tipo de computadoras de 8086 los chips de memoria RAM estaban soldados directamente a la placa base. Recin con las computadoras del 80386 aparecen las memorias en mdulos que son placas donde estn soldadas el chip de memoria, y estos estaran a la vez conectados a la placa base mediante zcalos, que son denominados bancos de memoria. Estos bancos de memoria surgieron para poder ampliar la capacidad de almacenamiento. Estas memorias se dividen en estticas y dinmicas: LA MEMORIA RAM ESTATICA Esta memoria mantiene su contenido inalterado mientras esta alimentada por energa. Las celdas de almacenamiento son registros Flip-Flop

-La memoria RAM dinmica: Esta memoria pierde la informacin al ser ledo el dato contenido en la celda de esta memoria, para evitar esto se restaura la informacin contenida en sus celdas, a estas operaciones se denomina refresco de memoria. Las celdas de almacenamiento son constituidas por compuertas MOSFET donde se almacenan las cargas.

Caractersticas Fsicas

Estas memorias tienen una capacidad muy reducida de 0-1024 KB aproximadamente en comparacin con la memoria SDRAM del sistema, pero permiten aumentar significativamente el rendimiento del sistema global debido a la jerarqua de memoria. Estn formadas por cuatro transistores bipolares que forman un flip-flop; esta clula de almacenaje tiene dos estados flip-flop los cuales se utilizan para denotar 0 1. Dos compuertas adicionales sirven para controlar el acceso a la clula de almacenaje durante las operaciones de lectura o escritura. Una clula de SRAM tiene tres estados distintos en los que puede estar: -Reposo: Cuando no realiza tareas de acceso al circuito. -Lectura: Cuando se solicita informacin. -Escritura: Cuando se actualizan los contenidos. La memoria RAM esttica puede almacenar datos mientras se aplica energa al circuito. Las RAM estticas (SRAM) se encuentran disponibles en tecnologa bipolar y MOS, aunque la mayora de las aplicaciones hacen uso de RAM NMOS o CMOS. Es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona ms rpido porque no est reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altsimo coste comparado con la DRAM las cuales son dinmicas. Temporizacin de la RAM esttica.- Los CI de la RAM son los que ms frecuentemente se utilizan como la memoria interna de una computadora. Los circuitos de memoria que se conectan con la CPU tienen que ser lo suficientemente rpidos para responder a los comandos de lectura y escritura de la CPU. Ciclo de lectura.- El ciclo de lectura comienza en el tiempo t0. Las entradas de direcciones tendrn la que se encuentre sobre el canal de direcciones, la cual corresponde a la de la operacin previa. Dado que

la entrada de seleccin de Cl de la RAM no est activa, sta no responder a la anterior direccin. En t0 la CPU enva una nueva direccin a las entradas de la RAM; sta es la direccin de la localidad donde se realizar la operacin se estabilicen, se activa la lnea CS. Ciclo de escritura.- En t1, durante el intervalo de tiempo de escritura, la CPU enva sobre el canal de datos el dato vlido que va a escribirse en la RAM. Los datos tienen que mantenerse en la entrada RAM por lo menos por un intervalo de tiempo tDS previo a, y por lo menos un intervalo tDH despus de, la desactivacin de las seales. El intervalo tDS recibe el nombre de tiempo de establecimiento del dato mientras que tDH se denomina tiempo de retencin del dato. El ciclo de escritura completo termina cuando la CPU cambia el estado de las lneas de direcciones para colocar ellas una nueva direccin. Circuito real SDRAM.- Un ejemplo de un CI real SDRAM es la CMOS 6264 que es una memoria de 8K x 8 con ciclos de lectura y escritura de 100 ns y un consumo de potencia 0.1 mW en el estado de espera. Ciclo de lectura y escritura es una SRAM

Sync SRAM (Synchronous Static Random Access Memory) Es tambin un tipo de memoria cach. Es una memoria sncrona y con un tiempo de acceso entre 12 y 8,5 nanosegundos. Utilizada en sistemas a 66 MHz de bus. La RAM sincronizada a rfagas ofrece datos de modo sincronizado con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a rfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema est en velocidades de reloj superiores a los 66 MHz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente ms lento que la memoria PB SRAM la cual tiene un tiempo de acceso de 3-1-1-1 ciclos. Estos mdulos estn en desuso porque su precio es realmente elevado y sus prestaciones frente a la PB SRAM no son buenas por lo que se fabrican en pocas cantidades.

PB SRAM (Pipeline Burst Static Random Access Memory )

Es una memoria sncrona con tiempos de acceso entre 8 y 4,5 nanosegundos. Tarda ms que la anterior en cargar los datos, pero una vez cargados, accede a ellos con mayor rapidez. Esta memoria esttica, pero que funciona a rfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a memoria. Es usada como cach al igual que la SRAM, y la ms rpida de la actualidad con soporte para buses de 75 MHz superiores. Su velocidad de acceso suele ser de 4 a 8 nanosegundos. Async SRAM: Es una memoria asncrona y con tiempos de acceso entre 20 y 12 nanosegundos, utilizada como memoria cach de los antiguos i386, i486 y primeros Pentium.

LA MEMORIA RAM DINAMICAS DRAM La memoria dinmica es un espacio de almacenamiento que se solicita en tiempo de ejecucin. Datos dinmicos El tamao y forma de estos datos son variables durante la ejecucin de un programa, entonces para que estos datos puedan ser ejecutados se crean y destruyen en tiempo de ejecucin. Esto permite dimensionar la estructura de datos de una forma precisa y se va asignando memoria en tiempo de ejecucin segn se necesite en ese tiempo. Los tipos de memorias dinmicas son: -Memoria DRAM -Memoria FPM-RAM o Fast Page Mode RAM -Memoria EDO-RAM II o Extended Data Output RAM -Memoria BEDO-RAM o Burst Extended Data Output RAM -Memoria SDR SDRAM o Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM -Memoria DDR SDRAM o Double Data Rate SDRAM -Memoria DDR2 SDRAM -Memoria DDR3 SDRAM -Memoria RDRAM o Rambus DRAM -Memoria ESDRAM o Enhanced SDRAM

1) MEMORIA DRAM Esta memoria es denominada tambin memoria principal. Esta memoria es ms lenta que la memoria SRAM Es capaz de almacenar un bit de informacin mediante una carga elctrica en los condensadores de la cual est constituida. Pero debido a este almacenamiento estas memorias tienden a perder la informacin contenida en ellas por lo que se necesita un refresco de la informacin ya que estos condensadores sufren fugas de energa elctrica. El refresco de la memoria DRAM consiste en recargar los condensadores que tienen almacenado una carga elctrica, para de esta manera no perder la informacin contenida en la memoria Esta memoria se utilizo en los primeros IBM-PC con mdulos de SIMM o DIMM las cuales tenan un tiempo de refresco

de 70 o 80 nanosegundos. La ms rpida es la de 70 nanosegundos . En la forma SIMM son de 30 contactos 2) MEMORIA FPM-RAM o Fast Page Mode RAM Es una memoria asncrona ms rpida que la memoria DRAM, con tiempos de acceso de 70 60 ns. Esta memoria incorpora un sistema paginado que sirve para poder acceder al dato de la misma columna que se tomo para acceder a un anterior dato y de esta manera ganar tiempo en el acceso de informacin. Dividen su espacio total en direcciones pequeas de 2Kb ya que el prximo dato a acceder se considera como el prximo dato de la misma fila. Es decir se deja activada la fila para ganar tiempo cuando se acceda a otro dato. Estas transferencias de datos desde las memorias se realizan en paquetes de 4 datos llamados Burst. Esta es la razn por la que el rendimiento de un tipo de memoria se expresa por 4 nmeros separados en guiones que son los ciclos de reloj que la memoria necesita para responder. Cuando es 1-1-1-1 significa que en cada ciclo de reloj se transfiere un dato. Se encuentran en los 386, 486 y los primeros Pentium.

Estas memorias se encuentran en los SIMM de 30 contactos y 72 pines.

3) MEMORIA EDO-RAM II o Extended Data Output RAM

Es una memoria asncrona, esta memoria accede a los datos en bloques enteros, con tiempos de acceso de hasta 45nanosegundos. Una EDO mejorada direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo. La EDO radica en que una serie de flip flop del tipo D que se colocan a la salida de la memoria para almacenar los datos en ellos hasta que el bus de datos queda libre y pueden trasladarse a la cpu, lo cual hace que los sistemas sean ms rpidos. Los datos en la memoria EDO fluyen con ms rapidez porque el tiempo de transicin de la seal CAS puede condensarse dando un mayor flujo de datos por unidad de tiempo. Se encuentran en SIMM de 72 contactos y en los primeros DIMM de 168 contactos, funcionando a 5 y 3,3 voltios.

4) MEMORIA BEDO-RAM o Burst Extended Data Output RAM Esta memoria lee los datos en rfagas, es decir que una vez que se accede a un dato de una posicin determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos,

reduciendo los tiempos de espera del procesador. Estas memorias as como la EDO-RAM poseen una limitacin ya que no pueden funcionar por encimas de los 66 MHz.

5) MEMORIA SDR SDRAM o Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM Es una memoria sncrona, con mdulos DIMM de 168 contactos o pines, adems de tener tiempos de acceso de entre 25 y 10 nanosegundos.Utilizadas en el Pentium II, el Pentium III, AMD K6, K7 AMD Athlon. Esta memoria es capaz de soportar las velocidades del bus a 100 y 133 MHz. Segn su frecuencia de trabajo se divide en: -PC66: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporizacin de 15 ns, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 533 MB/s. -PC100: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 100 MHz, temporizacin de 8 ns, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 800 MB/s. -PC133: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporizacin de 7,5 ns, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s. Se encuentran en los PENTIUM III.

6) MEMORIA DDR SDRAM o Double Data Rate SDRAM Es tambin una memoria sncrona que enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj, de tal manera que trabaja a doble velocidad que el bus del sistema sin necesidad de aumentar la frecuencia del reloj. La DDR utiliza los flancos de subida y bajada del reloj para duplicar su frecuencia efectiva hasta los DR400 con un bus de datos de 64 bits. Fue soportada por ciertos chipset Socket 7. Segn su frecuencia de trabajo se divide en: -PC1600 DDR200: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 100 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 1,6 GiB/s (de ah el nombre PC1600). Este tipo de memoria la utilizaron los Athlon XP de AMD, y los primeros Pentium 4. -PC2100 DDR266: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 133 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 2,1 GiB/s (de ah el nombre PC2100). -PC2700 DDR333: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 166 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 2,7 GiB/s (de ah el nombre PC2700). -PC3200 DDR400: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 200 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 3,2 GiB/s (de ah el nombre PC3200).

7) MEMORIA DDR2 SDRAM Estas memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR ya que permiten que los bferes de E/S trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, de esta manera permiten que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Cuentan con 240 contactos. Segn su frecuencia de trabajo se divide en: -PC2-4200 DDR2-533: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 266 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 4,26 GiB/s (de ah el nombre PC2-4200). -PC2-4800 DDR2-600: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 300 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 4,8 GiB/s (de ah el nombre PC2-4800). -PC2-5300 DDR2-667: Cuando la velocidad de bus de memoria es de333 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 5,3 GiB/s (de ah el nombre PC2-5300). -PC2-6400 DDR2-800: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 400 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 6,4 GiB/s (de ah el nombre PC2-6400).

8) MEMORIA DDR3 SDRAM Los DIMMS DDR3 tienen 240 contactos es fsicamente incompatible con la memoria de DDR2 ya que tiene una ubicacin diferente de la muesca. Proporcionara mejor rendimiento en cuanto la utilizacin de bajo voltaje. Segn su frecuencia de trabajo se divide en: -PC3-6400 DDR3-800: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 400 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 6,4 GiB/s (de ah el nombre PC3-6400). -PC3-8500 DDR3-1066: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 533 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 8,5 GiB/s (de ah el nombre PC3-8500). -PC3-10600 DDR3-1333: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 667 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 10,6 GiB/s (de ah el nombre PC3-10600). -PC3-12800 DDR3-1600: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 800 MHz de bus de memoria, ofreciendo tasas de transferencia de hasta 12,8 GiB/s (de ah el nombre PC3-12800). 9) MEMORIA RDRAM o Rambus DRAM Esta memoria fue lanzada al mercado por Intel en 1998. Estas memorias estn protegidas por un protocolo de la empresa Rambus que hace que su uso tenga un costo. Utilizado por el PlayStation 2. Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza rfagas de 2 ns y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz. Es ideal para las tarjetas grficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la tarjeta grfica y la memoria principal durante el acceso directo a memoria para el manejo de las texturas grficas. Se clasifica en: -Rambus PC600: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 266 MHz. Se caracteriza por utilizar dos canales en vez de uno, ofreciendo tasas de transferencia de 2,12 GiB/s, a 1,06 GIB/s por canal.

-Rambus PC700: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 356 MHz, ofreciendo tasas de transferencia de 2,84 GiB/s a 1,42 GiB/s por canal. -Rambus PC800: Cuando la velocidad de bus de memoria es de 400 MHz, ofreciendo tasas de transferencia de 3,2 GiB/s a 1,6 GiB/s por canal.

10) MEMORIA ESDRAM o Enhanced SDRAM Basada en los principios de la memoria cache. Esta memoria incluye una pequea memoria esttica en el interior del chip SDRAM para que los accesos a informacin sean ms rpidos. TIPOS DE MODULOS DE MEMORIA RAM 1) SIMM o Single In-line Memory Module Es la ms antigua, donde su tiempo de acceso es de 45 a 80 ns.Esta memoria es de 32Bits. Pero los procesadores ms modernos trabajan con datos de 64Bits por lo que se instalan dos bloques de memoria de 16Mg. Es un tipo de encapsulado que consiste en un circuito impreso que almacena chips de memorias. Estas memorias se insertan en la placa base, en un zcalo del mismo nombre o en la placa de memoria.Es llamado tambin mdulo de memoria de una sola lnea. El SIMM de 30 pines son un conjunto de chips, generalmente DIPs integrados a una tarjeta electrnica. Normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 8 bits.

El SIMM de 72 pines normalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 32 bits.

2) DIMM o Dual in Line Memory Module Es tambin llamado mdulo de memoria de doble lnea. Este mdulo generalmente trabaja con una capacidad para el almacenamiento y lectura de datos de 64 bits.

DIMMs - 168 contactos, con las memorias SDR SDRAM: PC66, PC100, PC133 DIMMs -184 contactos, con las memorias DDR SDRAM: DDR-200, DDR-266, DDR-333, DDR400, DDR-466, DDR-533, DDR-600 DIMMs 4 x mdulos 184 contactos: DDR400, DDR333, DDR266 , DDR SDRAM DIMMs -240 contactos DDR2 SDRAM: DDR 2-400, DDR 2-466, DDR 2-533, DDR 2-600, DDR 2-667, DDR 2-800, DDR 2-1.000, DDR 2-1.066, DDR 2-1.150, DDR 2-1.200

3) RIMM de 184 pines con tecnologa RDRAM Este tipo de mdulo de memoria trabaja con chips de memoria RDRAM, por lo que deben instalarse siempre de dos en dos y en mdulos especficos. Suelen tener una proteccin metlica que favorece la disipacin trmica. La arquitectura de esta basada en un bus de alta velocidad que opera a 400MHz, permitiendo la transferencia de Datos a una velocidad de 800MHz. El canal de dos bytes de ancho es usado para transferir los datos a 1,6Gb por segundo, esto es para mantener la alta integridad de la seal.