Dispositivos de Disparo

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INDICE
1.1.1.2.1.3.1.4.1.5.-
INTRODUCCIN DIAC: ESTRUCTURA Y CARACTERSTICAS. CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO (SUS). CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS). TRANSISTOR UNIUNIN (UJT).
1.5.1.- Parmetros del UJT. 1.5.2.- Funcionamiento del UJT. 1.6.TRANSISTOR UNIUNIN PROGRAMABLE (PUT).
1.6.1.- Parmetros del put. 1.6.2.- Funcionamiento del put.
1.1 INTRODUCCIN
A ciertos niveles, para disparar el tiristor y el triac se necesitan dispositivos intermedios entre la seal de disparo y la puerta. Para estudiarlos utilizaremos: VS = Tensin de disparo. VH = Tensin de mantenimiento. VR = Tensin inversa. V0 = Tensin de pico de los impulsos. IH = Corriente de mantenimiento. IS = Corriente en el momento del disparo.
1.2 DIAC: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS

Diac (Diode Alternative Current). En espaol: Diodo de Corriente Alterna, dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control (Fig.1.a).
Su estructura es la representada en la figura 1.b. En la curva caracterstica tensin-corriente (Fig. 1.c) se observa que: V (+ ) < VS el elemento se comporta como un circuito abierto. V (+ ) > VS el elemento se comporta como un cortocircuito. Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.
Fig.1.- a) Smbolo del diac b) Estructura c) Curva caracterstica.
1.3 CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO (SUS)

SUS (Silicon Unilateral Switch). Interruptor Unilateral de Silicio, en espaol: combinacin de un tirirstor con puerta andica y un diodo Zener entre puerta y ctodo. Tiene una terminal de compuerta que puede alterar el comportamiento bsico. Se puede disparar a un voltaje de A a K muy bajo de aproximadamente de 1V. En la figura 2 se representa el smbolo, circuito equivalente y la curva caracterstica. Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parmetro es V S 6 y 10 V. Se dispara a una tensin fija, V zener, y su corriente IS est muy cercana a IH. Sincronizacin mediante impulsos en puerta del SUS.
Fig.2.- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un SUS.
1.4 CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS)

SBS (Silicon Bilateral Switch). Interruptor Bilateral de Silicio, en espaol: de respuesta equivalente a la de un diac, equivale a dos SUS conectados en antiparalelo. En la figura 3 se representa el smbolo, circuito equivalente y la curva caracterstica. Se usan normalmente para el disparo de triacs. Su principal parmetro es V S (entre 6 y 10 V) en ambos sentidos. Especificaciones idnticas a las del SUS a excepcin de V R que pierde todo significado.
Fig.3.- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un SBS.
1.5 TRANSISTOR UNIUNIN (UJT)

1.5.1 PARMETROS DEL UJT UJT (Uni-Juntion Transistor): transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 K) tipo N con tres terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unin NP). En la figura 4 se representa el smbolo, estructura y curva caracterstica.
Fig.4.- Smbolo, estructura, y curva caracterstica de un UJT.
Fig.5.- Circuito equivalente del UJT. 1.5.2 FUNCIONAMIENTO DEL UJT El punto de funcionamiento viene determinado por las caractersticas del circuito exterior. El funcionamiento del UJT se basa en el control de la resistencia r B1B2 mediante la tensin aplicada al emisor. Si el emisor no est conectado VE < VP Diodo polarizado inversamente no conduce IE = 0.
Si VE VP Diodo polarizado directamente conduce aumenta IE. Cuando IP < IE < IV entramos en una zona de resistencia negativa donde rBB varia en funcin de IE. A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente. Se suele usar para el disparo de tiristores o en el diseo de osciladores de relajacin.
1.6 TRANSISTOR UNIUNIN PROGRAMABLE (PUT)

1.6.1 PARMETROS DEL PUT PUT (Programable Uni-Juntion Transistor): de caractersticas idnticas al UJT, puede ajustar los valores de , VP e IV mediante un circuito de polarizacin externo.
Su constitucin y funcionamiento es similar a las de un tiristor con puerta de nodo (Fig. 6). Tiene tres terminales: ctodo K, nodo A y puerta de nodo GA.
Fig.6.- Montaje y circuito equivalente de un PUT. 1.6.2 FUNCIONAMIENTO DEL PUT Si VA < VGA diodo A-GA se polariza inversamente solo circula corriente de fugas. Si VA > VGA diodo A-GA conduce y tiene una caracterstica similar a la del UJT (Fig. 7).
Fig.7.- Curva caracterstica del PUT. La variacin de IP e IV dependen de R1 y R2 en el divisor de tensin VGA, es decir de RG (Fig. 6).
El voltaje de valle VV es el de encendido del PUT ( 1 V). Los circuitos de la figura 8 permiten la programacin del PUT.
Fig.8.- Circuitos de programacin de un PUT.

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1.6.1.- Parmetros del put. 1.6.2.- Funcionamiento del put.

1.2 DIAC: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS

Fig.1.- a) Smbolo del diac b) Estructura c) Curva caracterstica.

1.3 CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO (SUS)

Fig.2.- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un SUS.

1.4 CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS)

Fig.3.- Smbolo, circuito equivalente, y curva caracterstica de un SBS.

1.5 TRANSISTOR UNIUNIN (UJT)

Fig.4.- Smbolo, estructura, y curva caracterstica de un UJT.

1.6 TRANSISTOR UNIUNIN PROGRAMABLE (PUT)

Fig.8.- Circuitos de programacin de un PUT.

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