INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA

MECANICA Y ELECTRICA UNIDAD “ZACATENCO”

Nombre: Vázquez Salvador Jahir

Grupo: 5CM5
Profesor: Reyes Aquino José
Dispositivos

PRACTICA 6
“TRANSISTOR BIPOLAR”

OBJETIVOS:
1. Medir los voltajes y corrientes (punto de operación) del circuito de polarización
independientemente de la beta para el transistor bipolar y comparar estos valores con los
calculados teóricamente. Observar, medir y reportar como se modifica el punto de
operación cuando se usan transistores de diferente beta.
2. Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de
operación, corte, activa directa y saturación. Medir los voltajes y corrientes (punto de
operación) en cada una de estas regiones.
3. Observar el comportamiento de los circuitos reguladores de corriente y voltaje con
transistor bipolar. Medir y reportar los voltajes y las corrientes a la salida y obtener los
rangos de variación de la resistencia de carga (RL), en que se conserva la regulación, tanto
para el regulador de corriente como para el de voltaje.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material semiconductor. En la
Figura 1 se muestra una representación física de la estructura básica de dos tipos de
transistor bipolar:
NPN y PNP, en dicha figura también se ilustran sus respectivos símbolos eléctricos. El
transistor bipolar NPN contiene una delgada región p entre dos regiones n. Mientras que el
transistor bipolar PNP contiene una delgada región n entre dos regiones p. La capa
intermedia de material semiconductor se conoce como región de la base, mientras que las
capas externas conforman las regiones de colector y de emisor. Estas están asociadas a las
terminales de base, colector y emisor respectivamente.
Operación en la zona de corte. En esta zona existe una muy pequeña cantidad de corriente
circulando del emisor al colector, comportándose el transistor de manera análoga a un
circuito abierto. La característica que define la zona de corte es que ambas uniones, tanto la
unión colector-base como la unión base-emisor, se encuentran polarizadas inversamente.
Operación en la zona de saturación. En la zona de saturación circula una gran cantidad de
corriente desde el colector al emisor y se tiene solo una pequeña caída de voltaje entre estas
terminales. El comportamiento del transistor es análogo al de un interruptor cerrado. Esta
zona se caracteriza porque las uniones colector-base y base-emisor se encuentran
polarizadas directamente.

Operación en la región activa. La región activa del transistor bipolar es la zona que se
utiliza para usar el dispositivo como amplificador. La característica que define a la región
activa es que la unión colector-base esta polarizada inversamente, mientras que la unión
base-emisor se encuentra polarizada en forma directa.
Características de Voltaje contra Corriente Para describir el comportamiento de los
transistores bipolares, se requiere de dos conjuntos de características, que dependen a su
vez de la configuración usada. Una de ellas describe la característica de voltaje contra
corriente de entrada, y la otra, la característica de voltaje contra corriente de salida.
Configuración de base común. En esta configuración, la terminal de la base es común a los
lados de entrada (Emisor) y salida (Colector), y usualmente se conecta a un potencial de
tierra (o se encuentra más cercana a este potencial). Esta configuración se ilustra en la
Figura 2. La fuente de voltaje VBB brinda polarización directa a la unión B-E y controla la
corriente del emisor IE.
Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se
toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en
casi nada a los circuitos hechos con transistores.
Material:
• Multímetro analógico y/o digital
• Fuente de voltaje C.D. (variable)
• 2 Transistores de silicio NPN TTP41 o
• 2 Diodos Zener de 5.6V
• 1 Diodo led rojo
• 4 Transistores (le silicio NPN BC547
• 4 Resistencias de 1 KSZ a 0.5 W
• 1 Resistencia dr. 100 KS2 a 0.5 W
• 3 Resistencias de 2.2 KS>. a 0.5 W
• 1 Resistencia de 47 KS2 a 0.5 W
• 2 Resistencias (le 4.7 KSZ a 0.5 W
• 1 Resistencia de 3.3 KSZ a 0.5 W
• 1 Resistencia de 820SZ a 0.5 W
• 1 Resistencia de 10 KSZ a 0.5 W
• 4 Resistencias de 100 Q a 2 W
• 2 Resistencias de 220 SZ a 2 W
• 2 Resistencias de 560 S2 a 2 W
• 1 Resistencia de 56 52 a 2 W
• 1 Resistencia de 10 SZ a 2 `, `'
• 1 Resistencia de 330 12 a 2 W
• 1 Resistencia de 150 Q a 2 W
• 2 potenciómetros de 10 KΩ a 2W
• Una pinza de punta
• Una pinza de corte
• 6 cables caimán - caimán de 50cm.
• 6 cables caimán - banana de 50cm.
• 6 cables banana - banana de 50cm.
• 4 cables coaxiales que tengan en un extremo
caimanes
• Tablilla cíe conexiones (protoboard)
Experimentos
1. Es requisito que para antes de realizar la práctica el alumno presente por escrito y en
forma concisa y breve los siguientes puntos:
a) El análisis
b) El funcionamiento
c) La operación
d) El comportamiento matemático de cada uno de los circuitos propuestos.
2. Medir los voltajes y corrientes (punto de operación) del circuito de polarización con
divisor de voltaje independientemente de su beta para el transistor bipolar y comparar estos
valores con los calculados teóricamente. Observar, medir y reportar como se modifica el
punto (le operación cuando se usan transistores (le diferente beta.
Armar el circuito de polarización conocida como circuito de polarización
independientemente de la beta, el cual se muestra en la figura 1, medir los valores de
voltaje y corriente que se solicitan en la tabla 1 y compararlos con los valores calculados
teóricamente. (el alumno antes de realizar esta práctica deberá haber calculado los valores
 de voltaje y corriente solicitados y los resultados deberán anotarse en la columna
correspondiente de la tabla 1).
Estas mediciones se realizarán con dos transistores BC547 con el fin (le comparar el punto
de operación en cada caso y comprobar si efectivamente este circuito depende o no de valor
de la beta que tenga el transistor (en los transistores bipolares aun teniendo el mismo
número de fabricación. el valor de la beta no siempre es el mismo, sino que varía de
transistor a transistor. por esta razón en muchas aplicaciones es necesario trabajar con
circuitos de polarización que sean independientes de la beta, como es el caso que nos
atañe).
Colocar el transistor 1 (con beta 1) y realizar las mediciones indicadas, luego quitar éste y
colocar el transistor 2 (con beta 2) y repetir las mediciones, llenar la tabla con estos valores.

Figura 1 circuito de polarización con divisor de voltaje independiente de la beta.

Parámetro a medir Valor calculado Valor medido para el Valor medido para el
teóricamente transistor 1 transistor 2
Vce(V) 0.7 9.07 14.77
Vbe(V) 0.7 0.62 0.73
Vce(V) 2.49 8.27 14.45
Ib(uA) 8.55uA 297uA 0.143x10-4
Ic(uA) 1.56mA 3.2mA 14.8mA
Ie(uA) 1.45mA 3.6mA 14.8mA
BETA 180 123 105
 Para el cálculo teórico, use el valor de la beta propuesto en el circuito de la figura 1
(β=180). Con los valores medidos de corriente y voltaje en el laboratorio, determine el
valor real de la beta para cada transistor.
3. Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de
operación, corte, activa directa y saturación. Medir los voltajes y corrientes (punto de
operación) en cada una de estas regiones.
Armar el circuito de la figura 2 y variar el voltaje de la fuente V1313, para llevar al
transistor a las diferentes regiones de operación (corte. activa directa y saturación), medir
los valores de voltaje y corriente (punto de operación) para las tres regiones de trabajo,
llenar la tabla 2, en la que se han indicado los valores aproximados de la corriente de
colector que se debe tener en la región de corte y el voltaje de colector – emisor para las
regiones de saturación y activa directa.

Figura 2 Circuito propuesto para llevar al transistor bipolar a trabajar en sus diferentes
regiones de operación.
El diodo LED se usa para observar visualmente estas regiones (el LED estará apagado
cuando el transistor este en la región de corte, el LET) presentará poca intensidad luminosa
en la región activa directa y mayor intensidad luminosa cuando se encuentre en la región de
saturación.

Región de Vce(V) Vbe(V) Vcb(V) Ib(uA) Ic(uA)

operación

Corte 97.4mV 0.867 0.588 0.014mA 10uA

Activa Directa 5V 0.77 16.7 0.205mA 13.66mA

Saturación 0.2V 0.75 0.54 0.033mA 1.67mA

CUESTIONARIO
1. Analizar y obtener las ecuaciones del punto de operación para el circuito de
polarización por retroalimentación de colector mostrado en la figura 3.

Figura 3 Circuito de polarización por retroalimentación de voltaje para el transistor

bipolar.

2. Analizar y obtener las ecuaciones del punto de operación para el

circuito de polarización fija de emisor común mostrado en la figura 4

Figura 4 Circuito de polarización fija de emisor común para el transistor bipolar.

3. Haga un análisis comparativo de los puntos de operación para los circuitos de
polarización independiente de la beta ¿Cuál de ellos es más usado y por qué?
Los circuitos de polarización independiente de la beta son utilizados para establecer un
punto de operación estable y predecible en los transistores bipolares, independientemente
de las variaciones de la beta del transistor. Hay dos enfoques principales para lograr esto: el
circuito de polarización de emisor y el circuito de polarización de divisor de voltaje.

Circuito de polarización de emisor:

 En este circuito, el transistor se polariza conectando una resistencia entre el emisor

y la base, lo que establece un voltaje de polarización constante en la base.
 La corriente de base se establece a través de esta resistencia y se controla mediante
la relación entre la resistencia de emisor (RE) y la resistencia de base (RB).
 Este circuito es relativamente simple y económico de implementar.
 Sin embargo, es más sensible a las variaciones de temperatura y a las fluctuaciones
de voltaje de la fuente de alimentación.
Circuito de polarización de divisor de voltaje:

 En este enfoque, se utiliza un divisor de voltaje compuesto por dos resistencias

conectadas entre la fuente de alimentación y el transistor.
 La corriente de base se establece por el voltaje de polarización aplicado a la base,
que es una fracción del voltaje de alimentación determinada por la relación entre las
resistencias del divisor.
 Este circuito ofrece una estabilidad relativamente mejor en comparación con el
circuito de polarización de emisor, ya que es menos sensible a las variaciones de
temperatura y a las fluctuaciones de la fuente de alimentación.
 Sin embargo, puede requerir componentes adicionales y una mayor complejidad en
la configuración.
 El circuito de polarización de emisor es más comúnmente utilizado en aplicaciones
donde la simplicidad y el costo son consideraciones importantes. Por otro lado, el
circuito de polarización de divisor de voltaje se prefiere en aplicaciones donde la
estabilidad del punto de operación es crítica y se pueden tolerar mayores costos y
complejidades.
La elección entre ambos depende de las necesidades específicas de la aplicación,
considerando factores como el costo, la estabilidad requerida, el espacio disponible y la
tolerancia a las fluctuaciones ambientales. En general, el circuito de polarización de emisor
es más popular en aplicaciones donde la simplicidad es prioritaria, mientras que el circuito
de polarización de divisor de voltaje se utiliza en aplicaciones que requieren una mayor
estabilidad del punto de operación.
4. Cuando la corriente de base es cero, ¿Cómo es la corriente de colector del transistor
bipolar?
De la ecuación: vemos que el hFE es directamente proporcional a Ic, pero inversamente a la
IB, por lo tanto, si la corriente de base es cero entonces la corriente del colector se hace
MAYOR.
5. Dibuje la recta de carga en el plano VCE - IC y ubique los puntos de operación de corte,
saturación y activa directa para el circuito de la figura 2, use los datos de la tabla 2

CONCLUSIONES
En conclusión, la polarización adecuada del transistor bipolar es fundamental para
garantizar su correcto funcionamiento y óptimo desempeño en circuitos electrónicos. Un
mal diseño de la polarización puede llevar a distorsiones en la señal amplificada, consumo
excesivo de energía o incluso daños en el dispositivo. Por lo tanto, es importante entender
los principios de la polarización y aplicarlos correctamente en el diseño de circuitos.
En esta práctica se nos mostró que transistor es el más utilizado, también se mostro el
funcionamiento de las regiones de operación del transistor como fue la de corte, activa
directa y saturación y su influencia que tiene la beta en los transistores.
BIBLIOGRAFIA.
Transistor Bipolar.
Página: http://webs.uvig http://webs.uvigo.es/mdgomez o.es/mdgomez/DEI/Guias/tema5.pd
/DEI/Guias/tema5.pdf..
Página: http://www.unic http://www.unicrom.com/Tut_ rom.com/Tut_modos_opera
modos_operacion_transistor cion_transistor_bipolar.asp _bipolar.asp