UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS “ESPE”

DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA FUNDAMENTAL

SEGUNDA UNIDAD

ING. NANCY IVETT PAREDES TERAN

NRC: 5519

FUENTE REGULADA LINEAL DC BIPOLAR 

 Aulestia Ariel
 Cuaspa Eliana
 Illapa Oscar
 Jacome Jennifer
 Jaramillo Jean

Fecha: Jueves 08 de Julio de 2021

UNIDAD N° 2
1. TEMA DE LA PRÁCTICA: CIRCUITO AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIÓN
EMISOR COMÚN Y APLICACIONES BÁSICAS DE UN TRASISTOR
2. OBJETIVOS
2.1 Objetivo general
 Diseñar y analizar el funcionamiento y aplicaciones de un transistor
2.1.1 Objetivos específicos
 Identificar los terminales de un transistor BJT
 Diseñar un amplificador de Emisor Común
 Analizar el comportamiento del diseño realizado.
 Diseñar aplicaciones de un transistor
INTRODUCCIÓN
En una configuración Emisor Común permite amplificar corriente y voltaje.

ACTIVIDADES POR DESARROLLAR

Consultar:
 Como identificar los terminales del transistor BJT con un multímetro.

El transistor es un componente esencial en cualquier circuito electrónico activo; saber si

funciona o no, marcara la diferencia entre reparar un electrodoméstico, montar un práctico
y útil proyecto electrónico.

“Tabla 1. Medidas de resistencia que se dan en cada caso para los dos tipos de transistores”.
Con este sencillo paso, podemos averiguar cuál de los terminales corresponde al emisor y cuál al
colector. Teniendo en cuenta que la resistencia y tensión de barrera de la unión base-colector es
algo menor que la correspondiente a la unión base-emisor.
Para apreciar esto mejor, es recomendable utilizar un polímetro digital para medir la tensión de
barrera.
Comprobación:
Para comprobar si un transistor está en buen estado podemos utilizar el óhmetro. Con él
verificamos la resistencia entre los terminales del transistor con las diferentes posibilidades de
polarización, teniendo en cuenta que:
Con cualquier polaridad, la resistencia obtenida al aplicar el óhmetro entre colector y el emisor es
siempre muy alta para un transistor en buen estado.
2) Al polarizar directamente cualquiera de las uniones base-colector y base-emisor la
resistencia obtenida para un transistor en buen estado debe ser baja.
Por otro lado, los polímetros digitales suelen ir equipados con un dispositivo, llamado
transistómetro, para poder conectar el transistor y así poder determinar su ganancia. Para ello
dispone de dos filas de tres conexiones, una para transistores PNP y otra para NPN, tal como se
muestra en la ilustración.

Figura 1.- transistor PNP

Figura 2.- transistor NPN

Con este dispositivo podemos medir la ganancia de un transistor una vez conectado según su tipo
y orden de terminales correcto en el lugar que le corresponde del transistómetro. Así mismo
aprovechando el transiómetro podemos verificar el estado de un transistor, ya que si el mismo
está en buen estado tendrá que medirse una ganancia aceptable. Con este sistema también es
posible comprobar la disposición de los terminales del transistor, ya que éste no se conecta
adecuadamente al transistómetro no se mide ganancia alguna.
Otra aplicación del transiómetro es la de emparejar transistores con la misma ganancia uno que el
otro en las etapas de amplificación, para que las dos etapas den la misma ganancia..
Otro tipo de comprobación llamado "Método del dedo" consiste en polarizar directamente con el
polimetro la unión C-E.

Figura 3.- Método del dedo para identificar un transistor

A continuación hacemos puente con el dedo entre C y B para que el transistor conduzca cuando
le llegue positivo a la base en el caso de un transistor NPN y negativo en el caso de un PNP.

Figura 4.- Método del dedo para identificar un transistor

 Recta de carga estática de un transistor BJT

A la RCE la podemos definir como el lugar geométrico de los infinitos puntos de polarización
impuestos por el circuito externo al transistor. Esto significa que una vez que quedaron
definidos los valores de VCC, RC y RE, el punto Q de trabajo no se va a mover de esa recta.
Puede modificarse RB o VBB e incluso puede cambiarse el TBJ por otro con un β distinto, y
se tendrá otra corriente de colector IC y otra tensión colector emisor VCE, las cuales, sin
embargo, seguirán siendo las coordenadas de un punto de la RCE.
La RCE nos permite visualizar en qué zona está trabajando el transistor.
En el caso de encontrarse el punto de polarización en las cercanías de la ordenada al origen, el
transistor tendrá la máxima corriente de colector y la mínima tensión del colector emisor.
Decimos que el transistor se encuentra saturado.
En el caso de encontrarse el punto de polarización en las cercanías de la abscisa al origen, el
transistor tendrá la mínima corriente de colector y la máxima tensión del colector emisor.
Decimos que el transistor se encuentra cortado.

Figura5.-Recta de Carga estática

 Curva de disipación máxima de un transistor BJT

Un transistor de unión polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus terminales que le
hacen disipar energía.
Esta potencia de disipación se puede obtener aplicando la definición de potencia absorbida
por un elemento triterminal, que, en caso del transistor, se expresa como:
PC =I B V BE+ I C V CE

Debido a que generalmente la I B < I C y laV BE <V CE, el primer término de esta ecuación es
despreciable frente al segundo, resultando que
PC ≈ I c V CE
“Esta ecuación representa a una hipérbola en el plano (VCE, IC) de las curvas características
del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de disipación máxima de un
transistor; como ejemplo, el BC 547 tiene una PCMAX =500 mW .
En la figura 1.8.b se representa la hipérbola de potencia máxima de un transistor. Es preciso
que el punto del trabajo Q esté por debajo de esa curva ya que sino el transistor se dañaría por
efecto Joule.”[ CITATION Rob03 \l 12298 ]

Figura 6.- Curva de disipación máxima de un transistor“[ CITATION Txe06 \l 1033 ]”

 Regiones de operación de un Transistor BJT.

La región activa directa.

Esta región es la que corresponde a una polarización directa de la juntura emisor-base. Es
la región de operación normal del transistor para amplificación. En esta región la corriente
de colector es proporcional a la corriente de base. Se cumple que IC = β IB, β es conocido
como la ganancia del transistor

Región activa inversa.

Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base y a una polarización
directa de la unión colector-base. Esta región es de uso muy poco frecuente.

Región de corte
Aquí se trata de polarización inversa de ambas junturas. La operación en esta región
corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo de apagado. El transistor actúa
como un interruptor abierto ( IC=0). En este caso las dos uniones están polarizadas en
inversa, las uniones BE y BC . De esta forma no hay portadores de carga móviles, no
puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios si
pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a corrientes muy
bajas. Entonces, un transistor en corte equivale prácticamente a un circuito abierto.
 Región de saturación
Implica polarización directa de ambas uniones. La operación en esta región corresponde a
aplicaciones de conmutación en el modo encendido. El transistor actúa como un
interruptor cerrado. (VCE=0)

Figura 7.- Regiones de operación de un transistor

 Principales características de un amplificador Emisor Común.

La señal se inyecta a la base a través de Ci y se recibe amplificada del colector vía Co . El emisor,
conectado dinámicamente a tierra a través de ce, actúa como elemento común a los circuitos de
entrada y de salida. Observe que en este modo de conexión, las señales de entrada y de salida siempre
están en oposición de fase.
Nuevamente, Ci y Co actúan como condensadores de acoplamiento y ce como condensador de deriva.
Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizar adecuadamente el transistor y fijan su punto de trabajo.
Note que este circuito, como el anterior, utiliza la estrategia de polarización universal o por divisor de
voltaje.

La impedancia de entrada de este montaje es del orden de 20 W a 5 kW . y la impedancia de salida del

orden de 50 W a 50 k Ohm ,.El circuito proporciona simultáneamente ganancia de corriente y de
voltaje. La ganancia de potencia puede llegar a ser relativamente alta, del orden de 10.000.
Típicamente, la ganancia de corriente es del orden de 50.
CARACTERISTICAS:

 Av :Ganancia alta de voltaje .

 Ai :Ganancia alta de corriente .
 Zin : Impedanciasde entrada grande .
 Zo: Impedancia de salida grande .
La salida está desfasada 180 ° con respectoa la señal de entrada . ( es invertida )
Noinversión de la señal de corriente en la salida .
 Figura 8.- Amplificador emisor común

 A qué se debe el desfase entre la señal de voltaje de entrada y la señal del voltaje de
salida en la Configuración Emisor Común.

No es del todo correcto, el desfase dependen de la configuración del transistor en el circuito.

Por ejemplo, en la configuración de emisor común que puedes ver a continuación sí que se
produce un desfase de 180º

Figure 9.- Emisor Común.

En el Emisor Común se debe manipular las corrientes del transistor para lograr un
aumento de tensión (o de amplitud en la onda) con relación a la que entra por la base y se
gana corriente a iguales condiciones. Esa es la amplitud y su salida va en contrafase.
 La señal se invierte debido a las cargas. El signo negativo de ganancia revela que ocurre
un desfasamiento de 180 ° entre las señales de entrada y salida. Es el resultado de que βIb
establezca una corriente a través de 𝑅𝑐 la cual producirá un voltaje a través de 𝑅𝑐, lo
opuesto por 𝑉0. Características de entrada y de salida de la configuración Emisor común.
R ´=R 1∗R 2/R 1+ R 2
Zi=R ´ ∨¿ βre
Zo=RC ∨¿ ro
Av=−Rc∨¿ ro/r e
( Malvino∧Bates , 2007).

 Curva Características de entrada y Curva característica de salida de la

configuración Emisor común.
Se dice característica de entrada la curva que expresa la tendencia de la corriente de base
IB en función de la tensión de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al
transistor
NPN

Vemos cómo la característica de entrada corresponde a la de un diodo, de hecho, entre la

base y el emisor, el transistor se comporta como un diodo; vemos, de hecho, que la
corriente de base es cero, cuando la VBE es menor que la tensión de umbral, que en
nuestro caso coincide aproximadamente con 0,6 V, sobrepasada la tensión de umbral la
corriente de base aumenta rápidamente.
Se dice características de salida las que expresan la corriente de colector IC como una
función de la tensión VCE, mientras que manteniendo constante la IB.

Figure10.- Curva característica de entrada y de salida de un emisor común.

Observamos que hay diferentes características de salida, cada obtenida para un valor
predeterminado de la corriente de la base IB; de hecho, la primera característica, a partir de la
parte inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es decir, el mantenimiento de un IB constante
con el aumento de VCE, al principio la IC es cero; luego aumenta linealmente y rápidamente a la
rodilla; allá de la rodilla, la IC permanece prácticamente constante, incluso si se aumenta la VCE.
(Gray and Meyer, 2020)

Procedimiento
1.- Para un amplificador en la configuración Emisor Común, realice las siguientes actividades:
• Diseñar un circuito de polarización fija con un β=100, Vcc=10V, Rb= 220kΩ, Rc= 1kΩ y VEE= 3V

Figure 10 .- Diseño del circuito

(Stefania Mosquera,2021)

LVK Malla 1(Malla de la base )

−V BB+ Rb∗Ib+V BE=0

−3+(220 K Ω)∗Ib +0,7=0

3−0,7 2,3
I B= I B=
220 K Ω 220 K Ω
I B=10,45 μ Α

I C =β∗I B

I C =( 100 )∗(10,45 μA)

I C =1,045 mA
 LVK Malla 2(Malla del colector )
−V CC + Rc∗Ic+V CE =0

−10+(1 K Ω)∗I +0,7=0

V CE =8,954 V

Cálculos de volt a jes

V RB=I B∗R B

V RB=( 10,45 μ Α )∗( 220 K Ω )

V RB=2,3 V

V E=0 V

V C =V CC−I C R C

V C =10−( 1,045 mA∗1000 )

V C =8,955V

V B =V BB −RB∗I B

V B =3−( 220 K Ω∗10,45 μA )

V B =0,7 V

V BE =V B −V E

V BE =0,7−0 →V BE=0,7 V

V CE =V C −V E

V CE =8,955−0 →V CE =8,955 V

V BC =V B −V C

V BC =0,7 V −8,95 V

V BC =−8,25 V

 Calcule el punto de operación del transistor .

V CE =V C −V E

V CE =8,955−0

V CE =8,955 V
I C =β∗I B

I C =( 100 )∗(10,45 μA)

I C =1,045 mA

Q=( V CE , I C )

Q=(8,955 ; 1,045)

 Verifique el punto Qde funcionamiento deltransistor .

Extremo Superior Región de Saturación V CE =0

−V CC + Rc∗Ic+V CE =0

−10+1 k Ω∗Ic+ 0=0

V CC
I C (sat )=
RC
10
I C (sat )=
1000

I C(sat) =10 mA

Extremo Inferior → Región de Corte I C =0

−V CC + Rc∗Ic+V CE =0

−10+1 k Ω∗( 0 ) +V CE =0

V CE =V CC

V CE(corte) =10V

Ic
 (8.955; 1.045)

Figure 21.-Recta de la carga graficada en geogebra “(Stefania Mosquera,2021)

10mA

Q
1,045mA
Vce
8,95V 10V

 Realizar el cuadro con los resultados obtenidos.

IB IC VCE VRB

10,45 μ Α 1,045 m Α 8,954 V 2,3 V

10,313 μ Α 1,14 mA 7,699 V 2,31 V

VC VE VB VBE VCE
8,955 V 0V 0,7 V 0,7 V 8,955 V
7,699 V 0V 0,73 V 0,7 V 7,699 V

SIMULADO CALCULADO %ERROR

Ib 10,65uA 10,45 uA 1.878%
Ic 1,14mA 1,045 mA 8.33%
Vce 8.85 V 8,955 V 1,12%
Vbe 0,7 V 0,7 V 0%
Simulación

Figure 12.- Simulacion del circito(Stefania Mosquera,2021)

V CE =8,85 V I C =1,14 mA I B=10,64 uA

Preguntas:
• Grafique la recta de carga estática y la curva de potencia máxima del transistor utilizado.

Ic
10mA

Q
 1,045mA

Vce
8,95V 10V

• ¿Con que valor de β está trabajando el transistor?

Utilizamos el transistor 2N3904 con una beta modificado de 100.

El valor de beta trabajado en el transistor de 100 ya que es el valor de ganancia, si los valores de
Beta baja, el valor de VCE van aumentado al valor del voltaje de punto de corte.

• ¿Qué quiere decir el término saturación en un transistor?

La saturación de un transistor permite la circulación de corriente colector, emisor y el transistor
cuando la base es alta comportándose como un interruptor cerrado.
• ¿Definir que es el término corte-saturación?
El termino corte saturación responde en el circuito que pueda pasar de corte a saturación según la
cantidad de corriente que reciba por su base. (Ramírez, 2010)

2.- Obtener los puntos anteriormente descritos con una polarización de divisor de voltaje con β=100,
Vcc=10V, R1=39kΩ, R2=3.9kΩ, Rc= 10kΩ y RE= 1.2kΩ

Figure 33.- Diseño del circuito ”(Alisson Cadena)”

Simplificar el circuito de la unión mediante el equivalente de Thevenin

 R 1∗R 2
RTH =
R 1+ R 2
(39 k Ω)(3.9 k Ω)
RTH =
39 k Ω+3.9 k Ω
R B=RTH =3.54 k Ω

3.9 k Ω
V TH = (10 V )
39 k Ω+3.9 k Ω
V BB =V TH =0.9090V

Con la ley de voltajes de krinfchon por el método encontramos Ib

V BB −I B∗R B−R E ( I B + I C )=0

Sabiendo que Ic es:

I C =( β+1) I B

Reemplazamos en la ecuación Ic despejamos Ib para encontrar su valor

V BB −I B∗R B−R E ( I B + I C )=0

V BB−V BE
I B=
RTH +(β +1) R E

0.90 v −0.7 v
I B=
3.54 k Ω+ (100+ 1 ) 1.2 k Ω
I B=0.0016 uA

Suponiendo que el transistor esta activo directamente entonces Ic es:

I C =β∗I B

I C =(100)(0.0016 uA )
I C =0.16 mA
Tambien calculamos Ie para obtener el valor sabiendo que
I E =I C + I B

I E =0.16 mA +0.0016 uA

I E =0.16 mA

Tambien el Ie se puede calcular por la siguiente formula

Ve V −V
I E = ℜ = BB ℜ BE

0.90 v−0.7 v
I E=
1.2
I E =0.16 mA

Encontramos Vce
V CE =V CC −I C (R C + RE )

V CE =10−(0.16 mA )(10 K Ω+1,2 K Ω)

V CE =8,208 V

• Calcule el punto de operación del transistor.

Vcc=10 V

Vcc 10 V
= =1 mA
Rc 10 k Ω

IcQ=0,16 mA

VCEQ=8,208V
• Verifique el punto Q de funcionamiento del transistor.

1mA

IcQ Q
0.16 mA
• Realizar el cuadro con los resultados obtenidos. 8,208V 10V

SIMULADO CALCULADO ERROR

Ib 0,00148 mA 0,0016 uA 0,075
Ic 0,147 mA 0,16 mA 0,092
Vce 8,522 V 8,208V 0,038
Vbe 0,7 V 0,7 V 0

SIMULACIONES

Figure 44.- Simulacion del circuito “(Alisson

Cadena)”

Preguntas:
• Grafique la recta de carga estática y la curva de potencia máxima del transistor utilizado.
PC =( IC ) ( VCE )
PC =( 0,16 mA ) ( 8,208V )
PC =1,31mW
 1mA
Curva de potencia maxima

IcQ Q
0.16 mA

8,208V 10V

• ¿En qué región de operación está trabajando el Transistor?

El transistor funciona de manera normal en la región activa ya que es donde la corriente de
colector es constante, y el diodo del emisor está polarizado en directa mientras que el diodo de
colector está polarizado en inversa

• ¿Con que valor de β está trabajando el transistor?

El valor de beta utilizado en estos circuitos es 100 que es el valor de ganancia, si los valores de
Beta baja, el valor de VCE van aumentados al valor del voltaje de punto de corte.

• ¿Qué quiere decir el término saturación en un transistor?

El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite
la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera
un interruptor cerrado. (Huircan,2011)

• ¿Definir que es el término corte-saturación?

Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se dice
entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara de un interruptor abierto. El
transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite la
circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un
interruptor cerrado.( Vardalas,2003)

3.- Realizar una tabla para comparar corrientes y voltajes en los dos circuitos trabajando
con un β=50 y concluir sobre la estabilidad de los sistemas
B=100 B=50
Ib 10,4uA 10,73 uA
Ic 1,045 mA 0,58 mA
Ie 1,0554 mA 0,59 V

2.- Diseñar dos aplicaciones de un transistor

2.1.-Diseñar un interruptor de encendido-apagado
• Calcular los valores de la red
• Simular el circuito diseñado
• Explicar el funcionamiento

Al trabajar con un transistor npn, conocemos que tiene una región de corte y una saturación,
respectivamente nuestro transistor se comportara como un interruptor abierto y uno cerrado.
Para que se encuentre en la región de corte el voltaje V BE < 0.6[ V ].

Para que se encuentre en la región de saturación el voltaje V BE > 0.7[V ].

Teniendo esto claro diseñamos un circuito de ejemplo:
Los datos que tenemos son:
V CC =12 [ V ]

RC =1k [ Ω ]

En este caso V BB vamos a hacer que varíe para que el transistor funcione como interruptor,
entonces como necesitamos un valor menor que 0.6 [V] para que este abierto y un valor mayor
que 0.7 [V] para que esté cerrado V BB =0.2 [ V ] y V BB =0.8 [ V ]

Caso de interruptor abierto:

V BB =0.2 [ V ]

V BE =0.2[V ]

I B=0[ A ]
Como es un circuito abierto la malla donde encontramos la fuente de 12 [V] y la resistencia de 1k
ohm.
V CE =12 [ V ]

I C =0 [ A ]
IE ≈ IC

V Rc=R c I c =0[ V ]

Caso interruptor cerrado:

V BB =0.8 [ V ]

V BE =0.8 [ V ]

I B=0 [ V ]

Como es un circuito cerrado la malla donde encontramos la fuente de 12 [V] y la resistencia de

1k ohm.
−12+ I c RC +V CE =0

Como
V CE ≈ 0 [ V ]

Entonces
IcRc=12
12
Ic= =12 m [ A ]
1000
IE ≈ IC

Simulaciones:
Interruptor abierto
Interruptor abierto:
2.2.- Diseñar una compuerta lógica OR y AND
Compuerta OR
El funcionamiento de este dispositivo hace referencia a una suma de números binarios y es
bastante sencillo de comprender, ya que esta compuerta se activa con tan solo tener una señal alta
en cualquiera de sus entradas esta funcionalidad se basa en que, para obtener un 1 lógico de
salida, cualquiera de las señales de entrada debe de ser un 1 lógico.

Fig.2.2 Compuerta OR

Diseño:
Partiremos de un circuito ya propuesto y analizaremos si cumple con la algebra booleana de la
compuerta OR.
 Explicar el funcionamiento
Con los interruptores controlamos los valores de 0-1 de las entradas A-B cuando el interruptor
permanece cerrado se lo tomara como un 0 mientras que si se mantiene abierto se tomara como
un 1, analizando los cuatro casos posibles de nuestro circuito, el circuito cumple con la algebra
booleana (tabla de verdad) de la compuerta OR.
 Tabla2: Tabla de verdad de la compuerta OR.

Como observamos en la Figura 2.1 Si ambos interruptores (S1 y S2) permanecen abiertos la
corriente proveniente de la fuente (V1), circulara por los transistores pasando por su colector,
base y saliendo por el emisor cayendo en el Diodo Led.

Figura 2.1: Circuito Propuesto.

En la Figura 2.2 Si ambos interruptores (S1 y S2) permanecen cerrados y la que corriente
proveniente de la fuente (V1) circulara por los cables cerrados que se produjo por activar los
interruptores, lo que hace que el diodo no tenga una corriente que cruce por el mismo.
Figura 2.2: Circuito Propuesto con interruptores cerrados.

En la Figura 2.3 Si el interruptor S1 permanecen abierto mientras que el interruptor S2 cerrado la

que corriente proveniente de la fuente (V1) circulara por el cable cerrado que se produjo por
activar lo interruptor S2, mientras que el resto de la corriente circulara por el transistor Q1
entrando por su colector, base y saliendo por su emisor cayendo en el Diodo Led.

Figura 2.3: Circuito Propuesto con interruptor 1 abierto e interruptor 2 cerrado.

En la Figura 2.4 Si el interruptor S2 permanecen abierto mientras que el interruptor S1 cerrado la

que corriente proveniente de la fuente (V1) circulara por el cable cerrado que se produjo por
activar lo interruptor S1, mientras que el resto de la corriente circulara por el transistor Q2
entrando por su colector, base y saliendo por su emisor cayendo en el Diodo Led.
Figura 2.4: Circuito Propuesto con interruptor 2 abierto e interruptor 1 cerrado.

 Resolución del ejercicio

Para comenzar con el diseño de nuestro circuito partiremos de la hoja de especificaciones del
fabricante del transistor 2N3904.

Figura 2.6: Datasheet transistor 2N3904.

Tomaremos de la hoja de especificaciones los siguientes datos de saturación:

V CE(sat) =0.3[V ]
V BE (sat) =0.95[V ]
I C =50[mA ]
I B=5[mA ]

Para el circuito con solo realizar el análisis de 1 de los transistores bastara, ya que uno no carga al
otro y deben de ser iguales para que la puerta lógica pueda funcionar correctamente.
 330Ω
47kΩ 5V

R1 R2

V1

Q1
2N3904

LED1

Figura 2.7:Análisis de un solo transistor.

Figura 2.8:Tabla de tensión umbral de los diodos led.

 Calcular los valores de la red

Para calcular R1 y R2 usaremos ley de ohm, es decir el voltaje presente en sus terminales sobre la
corriente que atraviesa la resistencia:

V cc −V B V −V C
R 1= R2 = cc
IB IC

El voltaje Vcc es de fuente el cual tendrá el valor de:

V cc=5 [ V ]

El voltaje en la base se denota como:

V B =V BE (sat) +V Diodo− Led
V B =0.95 [ V ] +1.8 [V ]
V B =2.75[V ]

Por ende, la R1:

V cc −V B
R 1=
IB

5 [ V ] −2.75[V ]
R 1=
5 [mA ]
R1=450[Ω]

Sabiendo que 450 [Ω] no es un valor comercial de resistencia escogeremos una cercana de la
tabla de comercial.

Figura 2.9:Tabla de valores comerciales de resistencias.

Usaremos la resistencia de 390[Ω] para asegurar la saturación de nuestro transistor.

El voltaje en el colector se denota como:
V C =V CE(sat) +V Diodo −Led

V C =0.3 [ V ] +1.8[V ]
V c =2.1 [V ]

Por ende, la R2:

V cc−V C
R 2=
IC

5 [ V ] −2.1[V ]
R 2=
50 [mA ]
R1=58 [Ω]
Sabiendo que 58 [Ω] no es un valor comercial de resistencia escogeremos una cercana de la tabla
de comercial.Usaremos la resistencia de 56[Ω] para asegurar la saturación de nuestro transistor.

 Simulación del ejercicio

Verificar el funcionamiento de la compuerta con ayuda del osciloscopio.

A B
0 0
A B
0 1
A B
1 0

A B
1 1
Comprobamos el Voltaje colector- emisor del transistor en cada combinación de las
entradas a la compuerta.
A B
0 0
A B
0 1

A B
1 0
A B
1 1
Comprobamos la corriente de colector del transistor en cada combinación de las entradas a
la compuerta.
A B
0 0
A B
0 1

A B
1 0
A B
1 1
 1.1. Realice una tabla con los valores obtenidos.
Medida Teórica Simulada
VCE [V] 0.3 0.140
VBE [V] 0.95
IC[mA] 50 53.1
IE[mA] 5
VCC [V] 5
VB [V] 2.75
R1 390
R2 56
[0 0] VLED1 [mV] 691.868
[1 0] VLED1 [V] 1.882
[0 1] VLED1 [V] 1.882
[1 1] VLED1 [V] 1.917
VOLTAJE COLECTOR EMISOR DE LOS TRANSISTORES

Configuración Q1 Q2
0 0 4.250 [V] 4.250 [V]
0 1 3.118 [V] 140.974 [mV]
1 0 140.974 [mV] 3.118 [V]
1 1 140.286 [mV] 140.286 [mV]
CORRIENTE DE COLECTOR DE LOS TRANSISTORES

Configuración Q1 Q2
0 0 0 [A] 0 [A]
0 1 0 [A] 56.13 [mA]
1 0 56.13 [mA] 0 [A]
1 1 52.54 [mA] 52.54 [mA]

Compuerta lógica AND

 Explicar el funcionamiento
La compuerta lógica denominada AND, como su nombre lo indica en inglés, significa: “Y”. Por
lo que su función lógica sería tomar dos o más señales de entrada y aplicarle la función
matemática de multiplicación para obtener una señal de salida en función de la operación “Y”. Su
funcionalidad se basa en que, para obtener un 1 lógico de salida, todas las señales de entrada
deben de ser un 1 lógico, en el momento que una de todas las señales de entrada sea un 0 lógico,
su resultado será un 0. Prácticamente como una multiplicación matemática, donde cualquier
número multiplicado por 0 será 0.
 Fig.1 Compuerta AND

Diseño:
Partiremos de un circuito ya propuesto y analizaremos si cumple con la algebra booleana de la
compuerta AND.

 Calcular los valores de la red

VR 1=1,988 V
VR 2=2,019
1,988 V
Ib 1=
330 Ω
Ib 1=6,05 mA

2,019 V
Ib 2=
330 Ω
Ib 2=6,118 mA
Ic 1=( β )( Ib 1 )

Ic1=8,172 mA
Ic 2=14,22 mA
Simulación:

A B
1 1
A B
0 0
 A B
0 1

RESULTADOS OBTENIDOS:
 Los alumnos diseñan un circuito amplificador en baja frecuencia a partir de
conocimientos previos dados en clase como parte de las aplicaciones de transistores.
 Los alumnos implementan el diseño del circuito pedido y verifican el funcionamiento del
mismo.

CONCLUSIONES:
 Para hacer el análisis matemático de este tipo de transistores se puede hacer por medio del
teorema de Kirchhoff. Esto por medio de mallas.

 El voltaje de funcionamiento ideal del transistor BJT es 0.7 voltios, es más bajo que esto
el transistor estará en estado de corte, si es este es 0.7 voltios el transistor estará en estado
de amplificación y si es mayor a 0.7 voltios el transistor estará en estado de saturación y
su funcionamiento no será calculable.

 El manejar las diferentes curvas que encontramos al trabajar con un transistor hace que
entendamos más en funcionamiento, ver cómo se comportan sus diferentes regiones e
incluso trabajar con su punto Q de Operaciones.
 El transistor típicamente trabaja en las zonas activa, corte y saturación.

 Si deseamos diseñar un sencillo circuito de amplificación con un transistor debemos

hacerlo operar en la región activa.

 La compuerta lógica OR permite que con cualquiera de sus entradas que esté en estado
binario 1, su salida pasará a un estado 1 también. No es necesario que todas sus entradas
estén accionadas para conseguir un estado 1 a la salida. Para lograr un estado 0 a la salida,
todas sus entradas deben estar en el mismo valor de 0.

RECOMENDACIONES:
 Antes de realizar las conexiones con un transistor verificar el datasheet del mismo o
verificar con la ayuda del multímetro los terminales del mismo para así evitar dañar al
transistor.

 Poner resistencias altas para evitar el excesivo paso de corriente, de ahí ir verificando y
variando el valor de resistencias para obtener el 1Lógico deseado.
  Debemos conocer como conectar bien cada terminal del transistor o de manera contraria
vamos a obtener datos erróneos que no coincidirán con los datos calculados.

 Tener en cuenta el parámetro de la temperatura siempre al trabajar con un transistor

puesto que esta hace que es se dañe, o incluso hará que los valores difieran con los reales,
ya que hará que funcione de manera incorrecta este mismo.

BIBLIOGRAFÍA:
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