T02 Dispositivos D BJT PDF

DISPOSITIVOS
1- El Diodo
2 Transistor Bipolar
3 Transistor MOS
4 - Amplificador operacional
Dpto. Ing.Electrnica y Comunicaciones Universidad de Zaragoza
Dispositivos
1.- Diodos
1 - El Diodo
1.1 - Caractersticas elctricas
1.2 Modelo y caracterizacin del diodo
a) Modelo de gran seal y continua
b) Dinmica de la conmutacin
c) Modelo de pequea seal
1.3 El diodo zner
1.4- Otros tipos de diodos
1.1 - Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor

Nomenclatura y curva caracterstica
IAK = Is ( e qVAK / KT 1 )
Is: corriente de saturacin inversa

q: carga del electrn
K: constante de Boltzman
T: K
KT/q 25mV
iAK
vAK
iAK
Aplicando tensin inversa no hay

conduccin de corriente
VR
v AK
ruptura inversa
V=0,7V(Silicio)
0,3V (Germanio)
1,4V (GaAs)
Al aplicar tensin
directa en la unin
es posible la
circulacin de
corriente elctrica,
superada la
tensin umbral,
V
4
K iAK
1.2 - Modelos del diodo: a) Modelo de gran seal y continua
vAK
3 Aproximacin
2 Aproximacin
1 Aproximacin
iAK
iAK
i
1
AK
rd v AK
iAK
rd
v AK
vAK
vAK
ri M
0,7V
0,7V
Si VAK 0.7V
iAK>0A
Si VAK 0V
Si VAK 0.7V
0,7V
ON
Si 0 < VAK < 0.7V
0,7V
OFF
Si VAK < 0V
OFF
rd
iAK>0A
iAK>0A
ON
ON
iAK=0A
Si VAK < 0.7V

iAK=0A
OFF
Si VAK 0V
iAK=0A
iKA>0A
OFF
ri M
Resumen expresiones modelos diodos gran seal

Estado
Aplicacin
Expresiones
modelo
ON
CONDUCCIN
Conmutacin:
Interruptor
cerrado
VAK = V
(VAK = 0 / 0,7 v)
OFF
CORTE
Conmutacin:
Interruptor
abierto
IAK = 0 A
Expresiones comprobacin
IAK 0 A
VAK V
1.2. - Limitaciones del modelo del diodo gran seal
K iAK
iAK
Corriente mxima
Lmite trmico, seccin
del conductor
vAK
Tensin inversa mxima
Ruptura de la Unin por
avalancha
vAK
600 V / 6000 A
VR (Tensin inversa mxima)= 100V
IOMAX (AV)(Corriente directa mxima) =150mA
VF (Cada de Tensin directa)=1V
IR (Corriente inversa (a tensin dada)) = 25 nA
200 V / 60 A
VR (Tensin inversa mxima)= 1000V

IOMAX (AV)(Corriente directa mxima) =1A
VF (Cada de Tensin directa)=1V
IR (Corriente inversa (a tensin dada)) = 50 nA
7
1.2.b Dinmica de la Conmutacin del diodo

UE
iS
+
UE
R
iS
Baja frecuencia
iS
Alta frecuencia
trr = tiempo de recuperacin inversa
A alta frecuencia se aprecia un intervalo en

el cual el diodo conduce corriente inversa.
trr limita la velocidad

de conmutacin.
8
1.2.c - Modelos del diodo: Modelo de pequea seal (informativo)
- VAK variable con el tiempo
iAK
- Frecuencia alta
vAK
- Capacidades parsitas
POLARIZACIN DIRECTA
POLARIZACIN INVERSA
rd CD nF
ri MCT pF
rd
CD
rd, ri: resistencia equivalente

CD: capacidad de difusin
CT: capacidad de transicin
ri
CT
CD >> CT
1.3 - El diodo Zner: regulacin de tensin

Diodo especial que se recupera de una ruptura zner:
Tensin constante con corriente variable
Curva caracterstica del Diodo Zner
vAK
i AK
Tensin Zner
Mnimo de
corriente inversa
Modelo en gran seal

en zona zner
Lmite de potencia
mxima
IZmax= Pmax /Vz

Expresin bsica:
IZmin < IZ < IZmax= Pmax /Vz
vAK
i AK
Vz rz
Valor de Vz por fabricacin
10
Resumen expresiones modelos diodos gran seal

Estado
Aplicacin
Expresiones
modelo
ON
CONDUCCIN
Conmutacin:
Interruptor
cerrado
VAK = V
Expresiones comprobacin
IAK 0 A
(VAK = 0 / 0,7 v)
OFF
CORTE
Conmutacin:
Interruptor
abierto
IAK = 0 A
{-Vz } VAK V
(comparar con Vz slo si zner)
ZNER
Regula V
VAK = -Vz
IAK 0 A
11
1.4 Otros tipos de diodos

1.4.1 - El diodo LED: Light Emitting Diode
1.4.2 - El fotodiodo
1.4.3 - Clulas fotovoltaicas
1.4.4 - Diodo Schottky
1.4.1 - El diodo LED: Light Emitting Diode

Smbolo
K
Circuito polarizado en directa

i
AK
iON
IFmax
vON
iON
AK
Expresin bsica:
R = (V Von) / Ion
Curva caracterstica
decenas de mA
Punto de
polarizaci
n del LED
= vON
Cuando un electrn pasa de un nivel de energa superior a uno

inferior (se recombina con un hueco), emite un fotn cuya energa
equivale al salto de energa del electrn
La energa de la partcula-onda fotn define su longitud

de onda su color no se debe al plstico, sino al
material semiconductor
13
1.4.2 - El fotodiodo
Smbolo y conexin
Polarizado en inversa
Modelo
i
V
iL
R
iopt
Vout
vout RiL R f luz
Cuando un electrn recibe un cuanto de energa adecuado,

pasa de la banda de valencia a la de conduccin (generacin
e--h+)
Cuanta ms energa reciben los electrones de un

semiconductor, ms electrones saltan a la banda de
conduccin se hace ms conductor (en inversa).
Se usan en el tercer cuadrante.
Expresin bsica:
I = f(luz)
14
1.4.3 - Clulas fotovoltaicas (informativo)
i
VCA
V
Zona
uso
iCC
Cuando incide luz en una unin PN, la

caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.
El dispositivo puede usarse como generador.
Paneles de
clulas
fotovoltaicas
15
1.4.4 - Diodo Schottky

A NIVEL PRACTICO: CAMBIAN Vf, Ir, tr
id
IOmax
VR
iR
VF
Vd
BAL99LT1G
VR =
70 V
IOMAX (AV)= 100 mA
VF =
1V
IR =
2,4 uA
Precio = 0,04

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa
Dispositivos muy rpidos (capacidades

parsitas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin umbral
0,3 V).
Unin Metal-semiconductor N. Producindose

el llamado efecto schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Aplicaciones en electrnica digital y de
potencia
BAS70LT1G
VR =
70 V
IOMAX (AV)= 70 mA
VF =
410 mV
IR =
0,1 uA
Precio = 0,23

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa
16
1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos I (informativo)

DISPLAY 7 segmentos
Puente rectificador
Monofsico
LED RGB
Trifsico
Diodo de alta tensin

Pantallas
17
1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos II (informativo)

Comunicaciones por fibra ptica
Iluminacin
Detectores reflexin de objeto

Detectores
de humo
Objetivo
Sensores de
color
LED azul
LED
LED verde
LED rojo
Fotodiodo
Detectores de barrera
18
1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos III (informativo)
Lectores pticos
Comunicacin
inalmbrica
infrarroja
19
DISPOSITIVOS
2.- Transistores bipolares
2 Analoga hidrulica
Regulacin: FUENTE DE
CORRIENTE CONTROLADA
Conmutacin: On / Off
NPN: Colector
Colector
Base
Base
+
Emisor
Emisor
21
3.2.2 - Zona Activa: b) Cmo esperamos que sea el funcionamiento?
C
B
Podemos pensar en un
equivalente con 2
diodos entre E y C
La conduccin
entre C y E no
debera ser
posible
E
E
Pero por su proximidad

las uniones PN se
influyen entre si: uniones
acopladas
iR
FiF
iF
RiR
E
Aparece el efecto transistor:

La capacidad de conducir
corriente de la unin C-B es
proporcional a la corriente de
base ()
Las
corrientes en
las uniones
se afectan
mutuamente
(EbbersMoll).
Predomina la
corriente del
emisor
Ic = Ib
B
E
22
3.2.2 - Zona Activa: d) Modelo de gran seal
NPN:
VC
VB
VCE
Imponemos:
VBE = 0.7V
VCE 0.7V
VBE
VE
IB
VB
IC
VCE 0.7V
VBE = 0.7V
IE
PNP:
VE
VEB
VB
VEC
IE
Imponemos:
VEB = 0.7V
VEC 0.7V
VC
VC
VE
VE
VEB = 0.7V
IB
VB
VEC 0.7V
IC
VC
NPN-PNP
VBE = 0.7V IC = FIE F < 1; (F 0.995) factor de inyeccin
=Sentido real
VCE > 0.7V IC = FIB F 100 300; factor de amplificacin
23
3.2.3 - Zona de saturacin: a) Modelo de gran seal
NPN:
VC
VB
VCE
Imponemos:
VBE = 0.7V
VCE = 0.2V
VBE
IC
VE
IB
VB
VCE = 0.2V
VBE = 0.7V
IE
PNP:
VE
VEB
VB
VEC
IE
Imponemos:
VEB = 0.7V
IB
VC
=Sentido real
VE
VE
VEB = 0.7V
VEC = 0.2V
NPN-PNP
VC
VB
IC
VEC = 0.2V
VC
IC < FIB
VBE = 0.7V
IE = IB + IC
VCE = 0.1-0.2V (idealmente 0V)
24
3.2.4 - Zona activa inversa: modelo de gran seal
CLAVES:
Polarizacin inversa de B-E y polarizacin directa de B-C.

Equivalente a la zona activa cambiando emisor por colector.
Por construccin se dopa ms el emisor que el colector para obtener F
elevada.
Ese diseo provoca: R < 1 NO UTILIZADO
NPN-PNP
=Sentido real
VBC = 0.7V
IE = RIC
IE = RIB
25
Resumen expresiones modelos transistores BJT

Estado
Polarizacin
b-e
Polarizacin
b-c
Aplicacin
Expresiones
modelo
CORTE
Inversa
inversa
Conmutacin:
Interruptor
abierto
IB = IC = IE = 0 A VBE < 0.7V
ACTIVA
Directa
Inversa
Lineal:
amplifica,
regula
SATURACIN
Directa
Directa
Conmutacin:
Interruptor
cerrado
VBE = 0.7V
IC = FIB
VBE = 0.7V
VCE = 0.1-0.2V
Expresiones
comprobacin
VCE 0.7V
(descarto saturacin)
IB 0
(descarto corte)
IC < FIB
(idealmente 0V)
Condicin estricta
[VCE 0.7V]
26
3.3 - Configuraciones y curvas del BJT

3.3.1 - Configuraciones amplificadoras del BJT
3.3.2 - Curvas caractersticas del transistor bipolar
3.3.1 - Configuraciones amplificadoras del BJT
TERMINAL DE
ENTRADA
TERMINAL DE
SALIDA
CONFIGURACION
(TERMINAL COMUN)
EMISOR
COLECTOR
BASE COMUN
BASE
COLECTOR
EMISOR COMUN
BASE
EMISOR
COLECTOR COMUN
REGLAS:
La entrada siempre es la base si est libre
La salida siempre es el colector si est libre
Si un terminal est conectado a tensin continua, es el terminal comn
Un terminal puede ser comn sin estar conectado a tensin continua
28
3.3.2 - Curvas caractersticas del transistor bipolar
Curvas paramtricas de salida de la configuracin en Emisor Comn:

i
curvas
isoampricas:
para iB constante
iB4
iB3
iB crece
iB2
iB1
ACTIVA
DIRECTA
vCE
SATURACION (vCE 0.1-0.2V, vCE< 0.7V )
CORTE (iB=0)
29
6.1.1 - El transistor NPN como interruptor controlable
Interruptor controlable con NPN:
Modo ON:
Para vcontrol alta, el transistor NPN
conduce en modo saturacin
(VCE=0V): la resistencia de carga
RCarga recibe toda la tensin Vcc.
VCC
Modo OFF:
Para vcontrol baja, el transistor
NPN entra en corte (VCE=Vcc): la
resistencia de carga RCarga no
recibe tensin.
RCarga
vcontrol RB
vo
vcontrol
Vcc
vcontrol-ON
vo
Vcc
ON
OFF
OFF
ON
0V
Condicin de diseo:
RB < RCarga ( vControl-ON V) / ( VCC VCE-sat ) RCarga vControl-ON / VCC
30

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1.1 - Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor

Is: corriente de saturacin inversa

Aplicando tensin inversa no hay

1.2 - Modelos del diodo: a) Modelo de gran seal y continua

Si 0 < VAK < 0.7V

Si VAK < 0.7V

Resumen expresiones modelos diodos gran seal

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1.2. - Limitaciones del modelo del diodo gran seal

VR (Tensin inversa mxima)= 1000V

1.2.b Dinmica de la Conmutacin del diodo

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en

trr limita la velocidad

1.2.c - Modelos del diodo: Modelo de pequea seal (informativo)

- VAK variable con el tiempo

rd, ri: resistencia equivalente

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1.3 - El diodo Zner: regulacin de tensin

Modelo en gran seal

IZmax= Pmax /Vz

Resumen expresiones modelos diodos gran seal

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1.4 Otros tipos de diodos

1.4.1 - El diodo LED: Light Emitting Diode

Circuito polarizado en directa

Cuando un electrn pasa de un nivel de energa superior a uno

Dpto. Ing.Electrnica y Comunicaciones Universidad de Zaragoza

La energa de la partcula-onda fotn define su longitud

vout RiL R f luz

Cuando un electrn recibe un cuanto de energa adecuado,

Cuanta ms energa reciben los electrones de un

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1.4.3 - Clulas fotovoltaicas (informativo)

Cuando incide luz en una unin PN, la

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1.4.4 - Diodo Schottky

Tensin inversa mxima

Dpto. Ing.Electrnica y Comunicaciones Universidad de Zaragoza

Dispositivos muy rpidos (capacidades

Unin Metal-semiconductor N. Producindose

Tensin inversa mxima

1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos I (informativo)

Diodo de alta tensin

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1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos II (informativo)

Detectores reflexin de objeto

Dpto. Ing.Electrnica y Comunicaciones Universidad de Zaragoza

1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos III (informativo)

Dpto. Ing.Electrnica y Comunicaciones Universidad de Zaragoza

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3.2.2 - Zona Activa: b) Cmo esperamos que sea el funcionamiento?

Pero por su proximidad

Aparece el efecto transistor:

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3.2.2 - Zona Activa: d) Modelo de gran seal

VBE = 0.7V IC = FIE F < 1; (F 0.995) factor de inyeccin