Transistor de Unijuntura (UJT).

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo

para SCR y TRIACs.
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como
se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est

compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos.
Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy
pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos
bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce.
Aplicaciones del UJT
Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en diente de
sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de
TRIACS y SCR.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

SCR - Silicon Controled Rectifier

El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo
semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal.
El smbolo y estructura del SCR se muestran en la
figura.
Analizando los diagramas:
A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo
Funcionamiento bsico del SCR
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente
del SCR para comprender su funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen
dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector
de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa
ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del

SCR.

TRIAC. Control de potencia en corriente alterna

El Triac es un dispositivo semiconductor que pertenece a la familia de los dispositivos
de control: los tiristores. El triac es en esencia la conexin de dos tiristores en paralelo
pero conectados en sentido opuesto y compartiendo la
misma compuerta. (ver imagen).
A1: Anodo 1, A2: Anodo 2, G: Compuerta
El triac slo se utiliza en corriente alterna y al igual que
el tiristor, se dispara por la compuerta. Como el triac
funciona en corriente alterna, habr una parte de la onda
que ser positiva y otra negativa.
Funcionamiento del Triac
La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y cuando
haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente
circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia abajo), de igual
manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y cuando
haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la corriente
circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia arriba)

Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla (la puerta o
compuerta).
Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta patilla y as,
controlar el tiempo que cada tiristor estar en conduccin. Recordar que un tiristor slo
conduce cuando ha sido disparada (activada) la compuerta y entre sus terminales hay
un voltaje positivo de un valor mnimo para cada tiristor)
Entonces, si se controla el tiempo que cada tiristor est en conduccin, se puede
controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente la potencia que
consume.
Ejemplo: Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas
incandescentes (circuito de control de fase).
Donde:
- Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.)
- L: lmpara
- P: potencimetro

- C: condensador (capacitor)
- R: Resistor
- T: Triac
- A2: Anodo 2 del Triac
- A3: Anodo 3 del Triac
- G: Gate, puerta o compuerta del Triac
El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando
continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac)
y el de corte (cuando la corriente no circula)
Si se vara el potencimetro, se vara el tiempo de carga de un capacitor causando que
se incremente o reduzca la diferencia de fase de la tensin de alimentacin y la que se
aplica a la compuerta

Notas:
- La diferencia de fase o la fase entre dos seales u ondas se define como el ngulo
(diferencia de tiempo) que existe entre los dos orgenes de las mismas.
- En este documento se utiliza el trmino tiristor como sinnimo de SCR.

DIAC (Diode Alternative Current)

Diodo de disparo bidireccional
DIAC: Control de potencia en corriente alterna (AC)
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar
TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales:
MT1 y MT2. Ver el diagrama.
El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en
formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del
zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino
que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de
disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en
conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se
utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.
La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando:

- +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito
abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra (ver grafico anterior)
- Tensin de recuperacin

- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de

0.5 a 1 watt.)
BCT
Es un tiristor bidireccional controlado por fase. Es un concepto nuevo para control por
fase con alta potencia, es un dispositivo nico que combina las ventajas de tener dos
tiristores en un encapsulado permitiendo disear equipos mas compactos simplificando
el sistema de enfriamiento y aumentando la fiabilidad en el sistema.
El comportamiento elctrico de un BCT corresponde al de dos tiristores en anti paralelo
integrados en una oblea de silicio.
Un BCT tiene dos compuertas: una para encender e iniciar el flujo de corriente en
sentido directo y otra para corriente en sentido inverso. Este tiristor enciende con un
pulso de corriente a una de sus compuertas. Se desactiva si la corriente andica baja el
valor de la corriente de deteccin.
LASCR
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada
con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la
corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de
compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a
partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas
capacidades de di/dt y dv/dt).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo,
transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica
o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre
la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de
potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La
especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con
una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico es 250 A/m s y el
dv/dt puede ser tan alto como 2000v/m s.
RTC
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs
de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga
inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El
diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo de las condiciones
de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso
puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del
circuito dentro del dispositivo.

Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito;

puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como
se muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico
(ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000v y la especificacin de
corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40v.
Dado que para un dispositivo determinado est preestablecida la relacin entre la
corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones
se limitarn a diseos de circuitos especficos.

Figura 6. Tiristor de conduccin inversa.

GTO
Tiristor desactivado por compuerta (GTO). Son semiconductores discretos que
actan como interruptores completamente controlables, los cuales pueden ser
encendidos y apagados en cualquier momento con una seal de compuerta positiva o
negativa respectivamente. Estos componentes estn optimizados para tener muy bajas
prdidas de conduccin y diseados para trabajar en las mas demandantes
aplicaciones industriales. Estos componentes son altamente utilizados en
Convertidores de Alto Voltaje y Alta Potencia para aplicaciones de baja y media
frecuencia.

Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para un encendido que el
SCR. Para aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden
de los 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente
negativa entre 20 y 30 microsegundos de duracin. La magnitud de la pulsacin de la
corriente negativa debe ser de 1/4 a 1/6 de la corriente que pasa por el aparato.

FET-CTH
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se
muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje
suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el
tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede
desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un
disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la
seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de
potencia.

Figura 6. Estructura FET-CTH.

Tiristores de induccin esttica (SITH).

Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta,
como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su
compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia,
el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una baja cada de
potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y
di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La especificacin de voltaje
puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es
extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones
en el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus
caractersticas.

MCT
Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor
regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito
equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo correspondiente en la (a).
La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor
Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p
M1 y un MOSFET de canal n M2.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es
menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes
mayores que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la
destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser
conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son
crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho
del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la
compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y

pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del

perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.

Figura 7. Estructura MCT.

Un MCT tiene:
1. Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;
2. Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado
rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
3. Bajas perdidas de conmutacin;
4. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
5. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin
de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un
transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de
evitar ambigedad de estado.
IGCT
Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada es un dispositivo semiconductor empleado
en electrnica de potencia para conmutar corriente elctrica en equipos industriales. Es
la evolucin del Tiristor GTO (del ingls Gate Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es
un interruptor controlable, permitiendo adems de activarlo, tambin desactivarlo desde
el terminal de control Puerta o G (del ingls Gate). La electrnica de control de la
puerta est integrada en el propio tiristor.
es, en principio, un tiristor de apagado (GTO) con altos parmetros dinmicos en el
encendido y el modo de desvo. Apagado la velocidad del proceso Es sobre todo un
factor por el cual GTO y los dispositivos IGCT se diferencian entre s otros.
El dispositivo est compuesto IGCT de dos partes elementales, GCT tiristor estructura
que se coloca en un caso de disco similar a la GTO dispositivo y una unidad de puerta
a la quela caja del disco con TCG se adjunta lo ms ajustado posible. los mismos viene
el nombre de Ingls de este nuevo tipo de dispositivo que se deriva de el hecho de que

la unidad de la puerta es, literalmente, integrado con el tiristor GCT. Es as porque la

tasa de aumento de puerta de desvo actual debe ser muy altopara la funcin a causa
de la GCT y por lo tanto autoinduccin (inductancia espurio) de la puerta conducir la
unidad como debe ser minimizado.

ETO
El Emisor Apagar Tiristor (ETO) es un tipo de tiristor que utiliza un MOSFET para
encender y apagar. Combina las ventajas de tanto el GTO y MOSFET. Tiene dos
puertas -. Una puerta normal para encender y otro con un MOSFET serie para apagar
Un ETO est activado por la aplicacin de tensiones positivas para puertas , puerta 1 y
la puerta 2. Cuando se aplica un voltaje positivo a la puerta 2, se convierte en el
MOSFET que est conectado en serie con el ctodo terminal de la PNPN tiristor
estructura. La tensin positiva aplicada a la puerta 1 se apaga el MOSFET conectado al
terminal de puerta del tiristor.