Practica 2

Diodos rectificadores
OBJETIVOS:
1.- Identificar el comportamiento rectificante en un diodo y el comportamiento hmico
en un resistor.
2.- Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N) en un diodo rectificador.
3.- Obtener y comparar las curvas caractersticas (V-1) de diodos rectificadores de
silicio y germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje del umbral y calcular
las resistencias esttica y dinmica en la regin directa de conduccin, para un punto
de operacin Q (Vp,Ip) arbitraria.
4.-Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caracterstica V-1,
en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando
vara la temperatura.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
Conceptos bsicos
El funcionamiento de este diodo, a grandes rasgos es la siguiente:
En la zona de directa se puede considerar como un generador de tensin continua,
tensin de codo (0.5-0.7 V para el silicio y 0.2-0.4 V para el germanio). Cuando se
polariza en inversa se puede considerar como un circuito abierto. Cuando se alcanza
la tensin de inversa de disrupcin (zona inversa) se produce un aumento drstico en
la corriente que puede llegar a destruir
el dispositivo.
Este diodo tiene un amplio rango de aplicaciones: circuitos rectificadores, limitadores,
fijadores de nivel, proteccin contra cortocircuitos, demoduladores, mezcladores,
osciladores, bloque y bypass en instalaciones fotovoltaicas, etc.

Cuando usamos un diodo en un circuito se debe tener en cuenta las siguientes

consideraciones (a partir de las hojas caractersticas suministradas por el fabricante):

1.- La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (VRRR mx. o

VR mx., respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima
que se va a soportar.
2.- La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente,
repetitiva o no (IFRM mx. e IF mx. respectivamente). He de ser mayor (del orden
del doble) que la mxima que este va a soportar.
3.- La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser
mayor (del orden del doble) que la mxima que este va soportar.

MATERIAL REQUERIDO.
Osciloscopio de doble trazo
Generador de seales

Multimetro analgico y/o digital.

Una pinza de punta.
Una pinza de corte.
6 cables caimn-caimn de 50 cm.
6 cables caimn-banana de 50 cm.
6 cables banana-banana de 50 cm.
4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin bnc y en el otro caimanes.
Tablilla de conexiones (protoboard).
2 diodos de silicio 1N4004 o similar.
1 diodos de germanio 0A81 o similar.
2 resistores de 1k ohm a 0.5 watts.
1 Encendedor
1 lupa.
EXPERIMENTOS.
Identificar el comportamiento rectificante de un diodo.
Armar el circuito mostrado en la figura. Colocar primero el diodo rectificador y
observar el comportamiento de este elemento en el osciloscopio (en el modo XY)
y dibujar la grafica que se obtiene.

V = 3.6 V F = 779.7 Hz.

Elemento bajo prueba | Resistencia medida entre terminales T1(+) y T2(-). |
Resistencia medida entre las terminales T1(-) y T2(+) |
Dodo (comportamiento rectificante) | 1.5 M | L |
Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin P) en un diodo rectificador.
Para la identificacin de las terminales de un diodo rectificador, se pueden emplear
diferentes mtodos, se sugiere que se haga usando un hmetro analgico y se llene
la tabla 2.
Medicin de resistencia en un diodo de silicio y uno de germanio polarizado directa e
inversamente usando la pila interna del hmetro.
Dodo | Resistencia medida entre las terminales A(+) y K(-). | Resistencia medida
entre las terminales A-) y K(+) |
De Silicio 1N4004 | 12 | 1K |
De Germanio OA81 | | |
Mediante las mediciones reportadas en la tabla 2.1 diga, cul de las terminales (T1,
T2) corresponde al ctodo y cual al nodo?
T1_=_nodo_ y_T2_=_Ctodo.
En la figura 5, dibuje con detalle la forma fsica y las indicaciones (con letra, nmero,

rayas, etc.) de cada uno de los diodos, indicando cual de las terminales es el nodo y
el ctodo.
Diodo de silicio
Diodo de Germanio
Obtener y comparar la curva caracterstica (V-1) de un diodo de silicio y uno de
germanio. En cada caso determinar el voltaje de umbral y calcular la resistencia
esttica y dinmica en la regin directa de conduccin para un punto de operacin
Q(Vd, Id) arbitrario.
Armar el circuito de la figura 2.4 colocar las terminales de osciloscopio como se
muestra (usndolo en su modo XY) y obtener la curva caracterstica V-1, de los diodos
e silicio y germanio, reporta ambas graficas en la figura 7 y llenar la tabla 3 con los
datos solicitados.
V=6V
F=685 Hz
V=5V
F=685 Hz
Diodo bajo prueba | Voltaje de umbral medido en (V) | Voltaje mximo medido en la
curva en (V) | Corriente mxima medida en la curva en (mA) |
De Silicio 1N4004 | 4.2 | 6 | 5.0 |
De Germanio OA81 | 2 | 5 | 5.5 |
Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caracterstica, en el
voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando
aumenta la temperatura ambiente.

Para el diodo de silicio aumente la temperatura ambiente acercando el cerillo

encendido el tiempo que sea necesario para que observe como la curva caracterstica
del dispositivo se modifica al grado de que el diodo se comporta como una resistencia
de algunos cuantos ohm (al aumentar la temperatura el voltaje de umbral disminuye y
la corriente de saturacin inversa crece, si este aumento de temperatura es
considerable puede hacer que el diodo se comporte casi como un corto circuito).
Despus de observar esto, retirar el cerillo encendido y esperar que el diodo recupere
su caracterstica normal. Puede suceder que el diodo ya no se recupere. esto
significa que ha quedado daado definitivamente, en el caso de que si se recupere, es
preferible ya no utilizarlo en otras aplicaciones, debido a que en la mayora de los
casos en que se presentan estos calentamientos excesivos el dispositivo queda con
algunas alteraciones que pueden dar problemas en el momento de su aplicacin en
otro circuito.
Diodo de silicio al calentarlo por 10 segundos
Diodo de germanio al calentarlo por 3 segundos
CUESTIONARIO.
1.-Para el circuito de la figura 1 Cul de los dos elementos es el que presenta el
comportamiento rectificante? Por qu?
El elemento que rectifica es el diodo, y el que presenta el comportamiento resistivo
es el resistor. Esto se debe a que el diodo est fabricado de tal forma que cuando se
le polariza de manera directa, se comporta como un conductor con un pequeo
voltaje de umbral para sta conduccin y cuando lo polarizamos de manera inversa y
no rebasamos el voltaje inverso pico, ste se comportar como un aislante. (De ah el
nombre de semiconductor). Cuando se le aplica un voltaje a un resistor, este siempre
presentar una oposicin al paso de la corriente independientemente del sentido de
circulacin de la misma a travs de este elemento de circuito, debido a que est
fabricado con carbn con el nico

Objetivo de oponerse a la circulacin de corriente en funcin del grado de

concentracin del mismo sin afectar, como ya se mencion, el sentido de circulacin
de la corriente.
3.-Establezca un mtodo general para identificar un diodo (comportamiento
rectificante) de una resistencia (comportamiento resistivo), usando un hmetro.
R.-Para poder identificar en nodo y el ctodo de un diodo utilizando un hmetro,
bastar con poner en contacto las terminales del diodo con las puntas del hmetro y
observar la lectura en la cartula; si presenta una resistencia en el orden de algunos
mega ohm, ser porque lo polarizamos directamente y podremos as relacionar el
nodo y el ctodo. El NODO corresponder a la terminal que est conectada en
nuestro instrumento de medicin en la entrada de ohm (), y el CTODO ser el que
est conectado a la punta de nuestro hmetro en la entrada comn (COM).
Si conectamos el diodo a nuestro medidor con las puntas invertidas, entonces nos
mostrar una lectura con una resistencia infinita, de sta forma invirtiendo la lgica
anterior, tambin podremos saber cules son el nodo y el ctodo.
4.-Investigue de que otra forma se puede identificar el nodo y el ctodo de un diodo
usando los multmetros digitales, explique.
R.-En los multmetros digitales actuales (FLUKE, PROAM, BK PRESICION, Y-F, etc.)
es comn encontrar dentro de sus funciones una que nos permite conocer la cantidad
de voltaje que consume una unin P-N, a sta funcin se le conoce
Como probador de diodos. Cuando conectamos entre las terminales de nuestro
multmetro un diodo, si la punta roja la ponemos con el nodo y la punta negra la
unimos al ctodo, la pantalla nos estar indicando la cada de voltaje en la unin P-N
en su forma de polarizacin directa, esto es un voltaje aproximado a .7v para los
diodos fabricados con Si y .3V para los de Ge. (En la realidad pocas veces se
encuentra un semiconductor que presente una cada de voltaje cercana a su valor
terico, generalmente se tiene una cada de voltaje del orden de .55 V para el S y .25
V para el Ge.). Si ahora conectamos nuestro diodo haciendo coincidir la terminal roja
de nuestro multmetro con el ctodo y la terminal negra con el nodo, la pantalla se
mostrar sin cambio con respecto de tenerlo sin conectarle ninguna terminal, debido a
que la resistencia que estar presentando nuestro diodo es infinita y por lo tanto la
cada de voltaje entre las terminales no cambia al conectar o no nuestro elemento.
5.-Cuando se polariza directamente un diodo con un voltaje menor al voltaje de
umbral, de qu orden espera medir el valor de la resistencia equivalente que
presenta el diodo?
R.-Las condiciones que plantea la pregunta no permiten conocer el valor hmico de la
unin P-N, debido a que un hmetro generalmente es alimentado con una batera de
por lo menos 3V, voltaje suficiente de ruptura para hacer entrar en conduccin en
polarizacin directa a cualquier diodo. Pero si analizamos la
Condicin planteada podemos deducir que si el voltaje de umbral no es rebasado por
el voltaje de polarizacin de nuestro diodo, aunque la polarizacin de ste se haga de
manera directa el diodo no entrar en conduccin y por lo tanto presentar una

resistencia infinita.
6.-Determine el valor de la resistencia esttica en la regin directa de conduccin
(para le punto de operacin con corriente de 2mA) tanto para el diodo de silicio como
para el germanio, indique cul de los dos presenta mayor resistencia esttica? (usar
los resultados de la figura 2.4).
R.-La resistencia esttica de un diodo se define como: La oposicin al flujo de
corriente que presenta un diodo cuando se le aplica un valor determinado de voltaje
Es evidente que el Silicio tiene una mayor resistencia esttica que el Germanio, Este
resultado no sorprende ya que es sabido que los diodos de Germanio entran en
conduccin con menos voltaje que los de Silicio.
7.-Determinar el valor de la resistencia dinmica en la regin directa de conduccin
(para el punto de la grafica en que la corriente es de 2 mA), tanto para el diodo de
silicio como para el germanio y diga cul de ellas es mayor? Usar los resultados de
la figura 2.3
R.-La resistencia dinmica de un diodo, la podemos calcular de la grfica de su curva
caracterstica estableciendo un punto de referencia (llamado Q) para la corriente,
despus trazamos una recta tangente al punto Q y definimos dos puntos equidistantes
de la misma magnitud que la
De la corriente del punto Q, despus localizamos los puntos de interseccin para el
voltaje en stos valores de corrientes y a ellos se le llamarn y , con stos
obtendremos la cantidad de voltaje y corriente implicada en la resistencia dinmica,
obteniendo finalmente la resistencia dinmica.
8.- Qu parmetro se debera de modificar en el circuito de la figura 2.3 para poder
observar el voltaje de ruptura de los diodos rectificadores?
R.-Si ponemos en nuestro circuito de la figura una fuente de voltaje con amplitud
variable desde 0V hasta 10V, y observamos en el osciloscopio las grficas generadas,
podremos ver cmo crece la curva de conduccin de los diodos conforme vamos
aumentando la amplitud del voltaje de entrada
9.- Cmo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de un diodo
rectificador?
R.-A medida que se incrementa la temperatura del diodo rectificador 1N4004, el
voltaje de umbral se va acercando a cero, por lo que se dice que el coeficiente de
temperatura afecta de manera significativa al este voltaje
10.-Como es el coeficiente de temperatura de la corriente de la figura de un diodo
rectificador?
R.-Para el caso de los diodos de Si, la corriente de fuga ser ms estable con el
incremento de la temperatura que para los diodos de Germanio.

11.-Explique a que se debe la vibracin, en la corriente de fuga de un diodo

rectificador cuando se eleva la temperatura.
R.-Cuando se incrementa la temperatura en el cuerpo del diodo
rectificador, los electrones de los materiales N y P comenzarn a liberarse
desmesuradamente de su estructura molecular a causa del exceso de energa que
estn absorbiendo del calor, provocando esto una conduccin en la polarizacin
directa e inversa; Es a esto que se debe el comportamiento de un diodo rectificador
como resistor cuando se aumenta la temperatura en su cuerpo.
CONCLUSIONES.
El desarrollo de sta prctica fue muy interesante y productivo, ya que me permiti
conocer de una manera terica-practica el porqu del comportamiento de los diodos
en los diferentes sistemas electrnicos que lo utilizan. Anterior a ste trabajo, me era
desconocido como afectaba directamente el calor a los diodos, pensaba en muchas
posibilidades pero no saba a ciencia cierta qu era lo que realmente ocurra cuando
por un exceso en la demanda de la corriente, el diodo se pona en corto daando a
todo el sistema. Tambin pude observar cmo es que los pulsos negativos que no
debera de conducir durante la polarizacin inversa del diodo, pasan por ste como si
fuera un conductor y daan as por ejemplo el capacitor de filtraje de una fuente y por
consecuencia los sistemas conectados a sta fuente.
Cabe destacar la importancia de un buen diseo en las fuentes de alimentacin para
evitar que tengamos un consumo no apropiado por los diodos de nuestra fuente y
por esta causa se pongan en corto y originen los problemas ya mencionados
BIBLIOGRAFIA.
Electrnica de potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones;
Muhammad H. Rashid,Muhammad H. Rasid Virgilio Gonzlez y Pozo Agustn Surez
Fernndez