Practica Dispositivos

Instituto Politécnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica Unidad

Zacatenco
Carrera: Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica
Dispositivos
Equipo: Damián Gutiérrez Belén

Estrada González Brenda Berenice
Pérez González Guadalupe
Profesora: Velázquez García Juana
Práctica 1 Diodos Rectificadores
Grupo:5CM9
Diodos Rectificadores
Objetivos: El alumno deberá:

1.1.- Identificar el comportamiento beatificante de un diodo y el
comportamiento óhmico en un resistor.
1.2.- Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (región N) en un diodo
rectificador.
1.3.- Obtener y comparar las curvas características (V-I), de diodos
rectificadores de silicio y germanio. En cada caso, determinar el valor del
voltaje de umbral y calcular las resistencias estática y dinámica en la región
directa de conducción, para un punto de operación Q (V D, I D ) arbitrario.
1.4.- Observar y reportar las variaciones que presentan las curvas
características V-I, en el voltaje del umbral y en la corriente de fuga de los
diodos rectificadores cuando varia la temperatura.
1.5.- Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los
datos, graficas y mediciones llevadas a cabo durante la realización de esta
práctica.
Equipo proporcionado por el Material requerido que debe traer el alumno

laboratorio
Osciloscopio de doble trazo Dos diodos de silicio 1N4004 o equivalente
Generador de señales Un diodo de germanio OASI o equivalente
Multímetro analógico y/o digital Resistores de 1kΩ , a 0.5 W
Una pinza de punta, una pinza de corte y un
desarmador.
Cables: 6 caiman-caiman, 6 caimán-banana, 8
banana-banana.
Tablilla de conexiones (Protoboard).
4 cables coaxiales que tengan en un extremo
terminación BNC y el otro caimán.
Una lupa de las usadas para lectura, opcional.
Para el desarrollo experimental de esta práctica y la obtención de los objetivos

de la misma, será requisito indispensable que el alumno presente por escrito,
en forma concisa y breve los siguientes puntos:
*Símbolo y esquema de típico de uniones (para el caso de los diodos), modelo
matemático, modelo gráfico (curva característica V-I), comportamiento
rectificante, comportamiento resistivo, principales parámetros, su definición y
bibliografía.
Diodo
es un componente discreto que permite la
circulación de corriente entre sus terminales
en un determinado sentido, mientras que la
bloquea en el sentido contrario. Se muestran
el símbolo y la curva característica tensión-
intensidad del funcionamiento del diodo
ideal. El sentido permitido para la corriente
es de ánodo (a) a cátodo (k).
Para diodos convencionales.

Esquema típico de uniones del diodo
Diodos de "Unión Semiconductor-Semiconductor": son los más conocidos
(comúnmente llamados "diodos rectificadores"), constituidos por la unión de
un semiconductor dopado tipo-n con un semiconductor del mismo material,
pero tipo-p (diodos de "unión n-p");
Diodos de "Barrera Schottky Metal-Semiconductor" o "Diodos Schottky": son

los primeros que existieron (llamados "diodos de señal"), constituidos por un
metal y un semiconductor dopado tipo-p. Estos 2 materiales suelen estar
ligados mediante un contacto puntual o por una unión física, como por
ejemplo mediante difusión.
Modelo matemático del Diodo
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y
la diferencia de potencial es:
Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
IS es la corriente de saturación (aproximadamente 10-12 A)
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del
diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2
(para el silicio).
Comportamiento rectificador del Diodo
Son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal,
como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua.

a) Gráfica del elemento rectificante (diodo)
Comportamiento resistivo del Diodo

b) Gráfica del elemento óhmico
Principales parámetros del diodo

La resistencia en el punto o región de operación, de bloqueo (polarización
inversa), de conducción, tiempo de recuperación inverso, tiempo de
recuperación directo, etc.
* Identificar el comportamiento rectificador de un diodo

Armar el circuito mostrado en la figura 1, colocar el diodo rectificador y
observar el comportamiento de este elemento en el osciloscopio (en modo
XY) en la figura 2.a dibujar la gráfica que se obtiene
Figura 1. Circuito propuesto para observar el comportamiento rectificador de un diodo. El voltaje pico de la señal de
excitación puede elegirse entre 5 y 15 V y la frecuencia entre 60 y 1kHz
Figura 2. Gráfica (características eléctricas) que muestra el comportamiento rectificador de un diodo
Figura 2 gráfica que se obtiene en el osciloscopio para el circuito de la figura

1.a, donde “V” es el voltaje en el elemento bajo prueba medido en el canal 1
del osciloscopio (canal X), e “I” es la corriente que circula en el elemento
(corresponde al voltaje en la resistencia mostrada dividido entre el valor de
esta resistencia), medida en el canal 2 (canal Y) del osciloscopio.
*Distinguir el comportamiento óhmico para diferentes elementos electrónicos,

mediante el uso de un multímetro en su función de óhmetro.
Cuando un multímetro en su función de óhmetro, se usa para identificar las
terminales de un dispositivo, requiere que se conozca previamente cuál de sus
terminales es positiva (voltaje de la batería interna del mismo) y cuál de ellas
es negativa, ya que en base a esto, podremos saber cuándo un par de
terminales de algún dispositivo, se polariza directa o inversamente y de esta
manera conocer en forma indirecta el tipo de regiones semiconductoras (P o
N), que dicho dispositivo contiene entre esas terminales. Para saber cuál
terminal es la positiva y cuál es la negativa en el óhmetro, use un multímetro
en su función de voltímetro, tal como se ilustra en la figura 3.
Figura 3. Circuito equivalente de un óhmetro analógico y la forma de medir cuál terminal es positiva y cual es negativa
Después de realizar las mediciones que se indican en la figura 3, lleve a cabo

las mostradas en la figura 4 y reporte las lecturas que se indican en la tabla 1.
Para este punto se recomienda al alumno el uso de un multímetro analógico y
que elija la misma escala para la realización de todas las mediciones que haga,
con el fin de que pueda hacer una adecuada comparación entre las lecturas
tomadas.
TABLA 1.1
Mediciones de resistencia realizadas con el óhmetro para el caso de un resistor y un diodo

rectificador
* Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (región N), en un diodo

rectificador.
Para la identificación de las terminales de un diodo rectificador, se pueden

emplear diferentes métodos, se sugiere que se haga usando un óhmetro
analógico y se llene la tabla 2. Debido a que un diodo rectificador presenta
comportamiento rectificante, si el ánodo se polariza con voltaje positivo
(mayor al voltaje de umbral) con respecto al cátodo, el diodo conduce
corriente apreciable, comportándose como una pequeña resistencia (a esto se
le conoce como polarización directa) y cuando se invierte esa polaridad en el
diodo, la corriente que circula es despreciable, comportándose como una
resistencia muy grande (polarización inversa). Tomando en cuenta estos
conceptos, la polarización del óhmetro y las mediciones ede la tabla 1 es
posible saber en cuál terminal está la región semiconductora P (ánodo) y en
cuál terminal está la región N (cátodo) de un diodo semiconductor.
TABLA 1.2
MEDICIONES DE RESISTENCIA EN UN DIODO DE SI Y EN UNO DE CE,
POLARIZADOS DIRECTA E INVERSAMENTE USANDO LA PILA INTERNA DEL,
ORIMETRO
DIODO RESISTENCIA MEDIDA REMUNTENCIA

ENTRE LAS MEDIDA ENTRE LAS
TERMINALES A(+) Y TERMINATES A(-) y K(+)
K(-)
SILICIO IN 4640
EQUIVALENTE
GERMANIO OA81 O
EQUIVALENTE
Mediante las mediciones reportadas en la tabla 1.2, diga cuál de las terminales (TI, T2)
corresponden al cátodo y cuál al ánodo? En la figura 1.5, dibuje con detalle la forma física
y las indicaciones (letras, números, rayas, etc.) de cada uno de los diodos, indicando cuál de
las terminales es el ánodo y cual el cátodo.
Figura 1.5 Dibujos de la presentación física e indicaciones de los diodos 1N4004 y OA81.
1.3. Obtener y comparar la curva característica (VI), de un diodo rectificador de silicio y

uno de germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje de umbral y calcular la
resistencia estática y dinámica en la región directa de conducción, para un punto de
operación Q(V D, I D ) arbitrario.
Armar el circuito de la figura 1.6, colocar las terminales del osciloscopio como se muestra
(usándolo en su modo XY) y obtener la curva característica V-1, primero para el diodo de
silicio y posteriormente para el diodo de germanio, reportar ambas gráficas en la figura 1.7.
asimismo, llenar la tabla 1.3 con los datos solicitados.
Rm-resistencia muestreador a de corriente. a) Circuito propuesto para obtener la curva

característica de los diodos. El voltaje pico de la señal de excitación puede estar entre 5 y
15V y la frecuencia entre 60 y 1KHz, b) curva característica de un diodo de Si y de un
diodo de Ge
Figura 1.7. Gráficas para el diodo de Si y Ge que se obtienen usando el circuito 1.6
TABLA 1.3
MEDICIONES DE VOLTAJE DE UMBRAL Y DE VOLTAJE CORRIENTE PARA EL
PUNTO DE OPERACION MAXIMO QUE PERMITE ELCIRCUITO 1.6, PARA EL
DIODO DE SY PARA EL DIODO G & TEMPERATURA AMBIENTE.
DIODO BAJO VOLTAJE DE VOLTAJE CORRIENTE

PRUEBA UMBRAL MAXIMO MAXIMA
MEDIDO EN (V) MEDIDO EN LA MEDIDA EN LA
CURVA EN (V) CURVA EN
(mA)
SILICIO IN40040
EQUIVALENTE
GERMANIO OA81 O
EQUIVALENTE
1.4. Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica, enel
voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando aumenta la
temperatura ambiente.
1.4.1 Utilizando el mismo circuito de la figura 6.a, acercar un cerillo encendido (por un
tiempo no mayor a cinco segundos) al diodo bajo prueba y reportar en la figura 8 lo que
observa. Para el diodo de Silicio aumentar la temperatura ambiente acercando el cerillo
encendido el tiempo que sea necesario para que observe como la curva característica del
dispositivo se modifica al grado de que el diodo se comporta como una resistencia de
algunos cuantos ohms (al aumentar la temperatura el voltaje de umbral disminuye y la
corriente de saturación inversa crece, si este aumento de temperatura es considerable puede
hacer que el diodo se comporte casi como un corto circuito). Después de observar esto,
retirar el cerillo encendido y esperar que el diodo recupere su característica “normal”.
Puede suceder que el diodo ya no se recupere, esto significa que ha quedado dañado
definitivamente, en el caso de que, si se recupere, es preferible ya no utilizarlo en otras
aplicaciones, debido a que en la mayoría de los casos en que se presentan estos
calentamientos excesivos el dispositivo queda con algunas alteraciones que pueden dar
problemas en el momento de su aplicación en otro circuito.
Curva característica del diodo de Silicio

Curva característica del diodo de Germanio
1.4.2 Para el diodo de silicio aumente la temperatura ambiente acercando el cerillo

encendido el tiempo sea necesario para que observe como la curva característica del
dispositivo se modifica al grado de que el diodo se comporta como una resistencia de
algunos cuantos ohms (al aumentar la temperatura el voltaje de umbral disminuye y la
corriente de saturación inversa crece, si este aumento de temperatura es considerable puede
hacer que el diodo se comporte casi como un corto circuito). Después de observar esto,
retirar el cerillo encendido y esperar que el diodo recupere su característica "normal".
Puede suceder que el diodo ya no se recupere, esto significa que ha quedado dañado
definitivamente, en el caso de que si se recupere, es preferible ya no utilizarlo en otras
aplicaciones, debido a que en la mayoría de los casos en que se presentan estos
calentamientos excesivos el dispositivo queda con algunas alteraciones que pueden dar
problemas en el momento de su aplicación en otro circuito.
1.4.3 Con el diodo que ha quedado dañado o afectado por el aumento de la temperatura,
usando sus pinzas con todo cuidado, rompa su encapsulado y observe usando una lupa
como está construido internamente.
1.5. Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, gráficas y
mediciones llevadas a cabo durante la realización de esta práctica.
1.5.1 Para la figura 1.1. ¿Cuál de los dos elementos es el que presenta comportamiento
rectificante y cuál el que presenta comportamiento resistivo? Explique por qué. 1.5.2 En
una gráfica (V-I). dibuje el comportamiento de dos elementos resistivos, uno con valor de
IK y otro con valor de 22K0.
1.5.3 Para el circuito de la figura 1.1, determine ¿cuál sería la corriente máxima que podría
tenerse en el circuito si usa un voltaje pico de 10V y una resistencia muestreador a de
1000?
1.5.4 Establezca un método general para identificar un diodo (comportamiento rectificante)

de una resistencia (comportamiento resistivo), usando un óhmetro (ver figura 1.4 y tabla
1.1).
1.5.5 Investigue de que otra forma se puede identificar el ánodo y el cátodo de un diodo
usando los multímetros digitales, explique. 1.5.6 Cuando se polariza directamente un diodo
con un voltaje menor al voltaje de umbral, ¿de qué orden espera medir el valor de la
resistencia equivalente que presenta el diodo?
1.5.7 Determine el valor de la resistencia estática en la región directa de conducción (para

el punto de operación con corriente de 2mA) tanto para el diodo de silicio como para el de
germanio, indique ¿cuál de los dos presenta mayor resistencia estática? (usar los resultados
de la figura 1.7).
1.5.8 Determine el valor de la resistencia dinámica en la región directa de conducción (para
el punto de la gráfica en que la corriente es de 2mA), tanto para el diodo de silicio como
para el de germanio y diga ¿cuál de ellas es mayor? usar los resultados de la figura 1.7.
1.5.9 ¿Qué parámetro se debería de modificar en el circuito de la figura 1?6, para poder
observar el voltaje de ruptura de los diodos rectificadores?
1.10.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de un diodo

rectificador? 1.11.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura de la corriente de fuga de un
diodo rectificador?
1.12.- Explique a que se debe la variación, en la corriente de fuga de un diodo rectificador

cuando se eleva la temperatura.

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Objetivos: El alumno deberá:

Equipo proporcionado por el Material requerido que debe traer el alumno

Para el desarrollo experimental de esta práctica y la obtención de los objetivos

Para diodos convencionales.

Diodos de "Barrera Schottky Metal-Semiconductor" o "Diodos Schottky": son

a) Gráfica del elemento rectificante (diodo)

Comportamiento resistivo del Diodo

b) Gráfica del elemento óhmico

Principales parámetros del diodo

* Identificar el comportamiento rectificador de un diodo

Figura 2. Gráfica (características eléctricas) que muestra el comportamiento rectificador de un diodo

Figura 2 gráfica que se obtiene en el osciloscopio para el circuito de la figura

*Distinguir el comportamiento óhmico para diferentes elementos electrónicos,

Después de realizar las mediciones que se indican en la figura 3, lleve a cabo

Mediciones de resistencia realizadas con el óhmetro para el caso de un resistor y un diodo

* Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (región N), en un diodo

Para la identificación de las terminales de un diodo rectificador, se pueden

DIODO RESISTENCIA MEDIDA REMUNTENCIA

1.3. Obtener y comparar la curva característica (VI), de un diodo rectificador de silicio y

Rm-resistencia muestreador a de corriente. a) Circuito propuesto para obtener la curva

DIODO BAJO VOLTAJE DE VOLTAJE CORRIENTE

Curva característica del diodo de Silicio

1.4.2 Para el diodo de silicio aumente la temperatura ambiente acercando el cerillo

1.5.4 Establezca un método general para identificar un diodo (comportamiento rectificante)

1.5.7 Determine el valor de la resistencia estática en la región directa de conducción (para

1.10.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de un diodo

1.12.- Explique a que se debe la variación, en la corriente de fuga de un diodo rectificador

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