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TALLER # 1

John Fredy Abril Fandiño

Facultad Ingenieria Electromecanica Escuela, Tecnologica Instituto Tecnico Central

E4C:

Electronica Analoga

Yerman Jahir Avila Garzon

Bogota 14 Marzo año 2023

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1. Consultas :

a) Describa brevemente los siguientes conceptos.

 Materiales extrínsecos tipo p y tipo n.

R// Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores de electrones se

llama semiconductor de tipo p , porque la mayoría de los portadores de carga en el cristal

son agujeros de electrones (portadores de carga positiva).

Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos donadores de electrones se

llama semiconductor de tipo n, porque la mayoría de los portadores de carga en el cristal son

electrones negativos.

 Flujo de electrones contra flujo de huecos.

R//En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la

corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía térmica se

producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto, hay tantos electrones libres

como huecos con lo que la corriente total es cero.

 Portadores mayoritarios y minoritarios.

R//Semiconductor tipo n: Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo

n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina

"portadores minoritarios".

Semiconductor tipo p: Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los

huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
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 Región de agotamiento.

R//Cuando el material tipo n y p se unen, los electrones y huecos cercanos a la unión se

recombinan. Esto provoca que disminuya la cantidad de portadores libres cerca de la unión. Esta

región con pocos portadores libres, se le conoce como región de agotamiento o empobrecimiento.

 Polarización directa e inversa.

R//Cuando un diodo permite un flujo de corriente, tiene polarización directa. Cuando un diodo

tiene polarización inversa, actúa como un aislante y no permite que fluya la corriente.

 Ecuación de Schockley (Explicación)

R// La ecuación del diodo de Shockley es el modelo matemático más empleado para el estudio

del diodo. Nombrada así en honor a William Bradford Shockley, la ecuación permite aproximar

el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que relaciona

la intensidad de corriente y la diferencia de potencial en este dispositivo es:

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑇) ( − 1)
𝑒 𝑛𝑉𝑇

Donde:

ID es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.

IS es la corriente de saturación dependiente de la temperatura de juntura ( ).

VD es la diferencia de potencial en sus terminales.

n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele

adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

VT es la tensión térmica de juntura a 20 °C

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T es la temperatura absoluta de juntura

kB es la constante de Boltzmann

q es la carga elemental del electrón .

 Voltaje térmico (Explicación)

R// El término Kt/q describe el voltaje producido dentro de la unión P-N debido a la acción de

la temperatura, y se denomina voltaje térmico, o V t de la unión. A temperatura ambiente, esto es

de aproximadamente 26 mili voltios. Sabiendo esto, y asumiendo un coeficiente de “no

idealidad” de 1, podemos simplificar la ecuación del diodo y volver a escribirla como tal:

 Diodo ideal, diodo práctico, diodo real.

R// Ideal: Un diodo se dice que es un Diodo ideal cuando esta polarizado hacia adelante y

actúa como un conductor perfecto, con cero voltajes a través de él. De manera similar cuando el

diodo esta polarizado en sentido inverso, actúa como un aislante perfecto con una corriente de

cero a través de él. Las características V-I del diodo ideal se muestran en la siguiente figura:
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Real: Un diodo real contiene barrera potencial V0 (0.7) V para silicio y 0.3V para germanio y

una resistencia delantera Rf de unos 25 ohmios. Cuando un diodo tiene polarización directa y

conduce una corriente directa If fluye a través de él lo que provoca una caída de tensión If Rf En

la resistencia delantera. Por lo tanto, la tensión directa Vf Aplicado a través del diodo real para

conducción, las características V-I del diodo real se muestra a continuación

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 Región Zener

R// Esta región se da cuando el diodo se polariza en inversa. Por lo tanto, el diodo zener, se

utilizará como un diodo polarizado en inversa. Una de las aplicaciones más comunes de estos

diodos es la de regular voltaje.

b) Dibuje o consigne una imagen de un Diodo 1N4004, su símbolo y su notación

R//
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c) Consulte la hoja de datos (Datasheet) de un diodo 1N4004, ubique la gráfica I vs V y

explique sus diferentes regiones.

R//
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De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por

debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por

encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este

comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de

suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente

alterna en corriente continua.

d) Explique cómo se calcula/mide la resistencia CD de un diodo polarizado en directo.

R// Para analizar con precisión un circuito con diodos se necesita saber la resistencia interna

del diodo. Este valor generalmente no viene dada por separado en las hojas de características,

pero traen información suficiente para calcularla. La fórmula para calcular la resistencia interna

es:

El punto 1 puede ser el punto umbral.

EJEMPLO 1N4004

De la hoja de características conseguimos los valores de la tensión con polarización directa

(0,93 V) para un valor de la corriente de 1 A y la tensión umbral es de 0,7 V para una corriente

aproximadamente cero.
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Medición del diodo

e) Explique cómo se calcula/mide la resistencia CA y resistencia CA promedio en un diodo.

R// Calculo: Con una resistencia óhmica pura R en el circuito de corriente alterna, la

corriente y el voltaje están en la misma fase. Así que no hay un cambio de fase aquí. Además, el

valor de la resistencia no está influenciado por la altura de la frecuencia. Por el contrario, las

resistencias inductivas o capacitivas en el circuito de CA causan cambios de fase entre la

corriente y el voltaje. Se crea una resistencia compleja de corriente alterna Z, que se descompone

en un componente óhmico R (resistencia activa) y un componente imaginario X (reactancia).

Puede determinar la resistencia de CA con un medidor de LCR.

Fórmula para calcular la resistencia CA.

Z=R+i=X

Z = R + iX = R + iωL + 1/iωC

Frecuencia del arco ω = 2 × π × f

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R//Medición: La resistencia se mide con un óhmetro, y se conecta entre los dos extremos de la

resistencia a medir, estando ésta desconectada del circuito eléctrico.

La intensidad se mide con un amperímetro que se intercala en serie en el circuito donde se

quiere medir la intensidad.

Aquí también hay que tener en cuenta la polaridad de la conexión.

f) Explique el procedimiento para medir o probar diodos usando un multímetro digital.

R// 1. Asegúrese de que toda la energía del circuito esté APAGADA y no haya tensión en el

diodo. Puede haber voltaje en el circuito debido a capacitores cargados. Si es así, los capacitores

se deben descargar. Ajuste el multímetro para medir el voltaje de CA o CC según se requiera.

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2. Gire el selector (perilla giratoria) al modo Prueba de diodos ( ). Es posible que

comparta un espacio en el selector con otra función.

3. Conecte los cables de prueba al diodo. Anote la medición que se muestra.

4.Invierta los cables de prueba. Anote la medición que se muestra.

g) Describa el funcionamiento del diodo semiconductor PN teniendo en cuenta la(s)

ecuaciones asociadas.

R// Un diodo está formado por la unión de un semiconductor TIPO P y un semiconductor

TIPO N.

Luego de la unión física de estos dos tipos de semiconductores a temperatura ambiente y sin

estar sometidos a una diferencia de potencial o voltaje, algunos de los electrones libres del

material tipo N de los que se encuentran cerca de la zona de unión logran cruzar a la zona P.

A esto se le conoce como proceso de difusión.

Estos pocos electrones que logran cruzar la barrera dejan a sus átomos en la zona N

convertidos en IONES POSITIVOS y luego de cruzar la barrera se unen a los átomos Huecos de

la zona P y al unirse a ellos forman ahora en esa zona IONES NEGATIVOS.

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Todo esto sucede en el límite de la unión de ambos materiales.

Es decir que por cada electrón que cruza del Lado N al lado P se forma también un ION

positivo en la zona N y un ION negativo en la zona P. Esto genera a su vez lo que se denomina

una corriente de recombinación.

Entonces, estos iones tanto positivos como negativos que se van formando en la unión forman

una zona denominada zona de carga espacial o zona de deplexión.

Por otro lado, las cargas positivas (HUECOS) y negativas (ELECTRONES) que han quedado

separadas debido a la formación de este grupo de IONES en el límite de la unión de ambos

materiales se les denomina CARGAS DESCUBIERTAS y estas cargas descubiertas generaran un

pequeño campo eléctrico y a la vez una pequeña diferencia de potencial es decir voltaje y que

será de aproximadamente 0.7 voltios en el Silicio y 0.3 en el germanio.

A esta pequeña zona de campo eléctrico se le conoce también como la barrera de potencial del

diodo el cual se opondrá a que el proceso de difusión de cargas se siga produciendo.

Si conectamos el polo positivo de una batería al material tipo P y el polo negativo al material

tipo N se dice que estamos polarizando al diodo de forma directa.

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Debido a la fuerza electromotriz aplicada todos los electrones libres de la zona N tendrán

ahora la energía suficiente para viajar hasta el terminal positivo de la batería.

En realidad, esto se logra cuando la batería que se conecta supera los 0,7 voltios de la barrera

de potencial.

En ese momento ya tenemos una corriente eléctrica debido a que los portadores mayoritarios

del semiconductor tipo N y que se desplazan hasta el semiconductor tipo P, inmediatamente son

reemplazados por mas electrones que llegan del terminal negativo de la batería (Ánodo)

generando un flujo constante de electrones viajando dentro de nuestro circuito eléctrico.

Cuando se conecta el terminal negativo de la batería con el material tipo P del semiconductor

y el terminal positivo de la batería con el material Tipo N se dice que el diodo esta polarizado de

forma inversa.

En esta configuración la zona de carga espacial aumenta y la circulación de corriente debería

ser 0.
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Sin embargo, por efecto de la temperatura se crea una pequeña corriente debido a los

portadores minoritarios de ambos materiales denominada Corriente inversa de saturación, la cual

solo existe en la polarización inversa y depende únicamente de la temperatura.

1. Antes de conectar la batería al circuito muchos de los electrones del material tipo N ya

se habrán desprendido de sus átomos y se encontrarán listos para fluir en la banda de

conducción. Esto debido a la temperatura ambiente.

2. También, antes de que se conecte la batería se habrá creado la zona de carga espacial

en la unión del material tipo N y Tipo P, al mismo tiempo la barrera de potencial de 0.7

Voltios se habrá creado.

3. Al momento de conectar la batería el voltaje aplicado vencerá la barrera de potencial y

atraerá a todos los electrones del material tipo N que estaban en la banda de

conducción hacia el polo positivo de la batería.

4. Todos los electrones que estaban en la banda de conducción del material tipo N

saltaran a la banda de conducción del material tipo P y luego bajaran a su banda de

valencia liberando energía en forma de calor, para luego abandonarla y utilizar el hilo

de cobre como medio de transporte para llegar al polo positivo de la batería.

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5. Un detalle importante y curioso del punto 4 cuando los electrones bajan a la banda de

valencia es que, si se tratase de un Diodo Led, en lugar de emitir energía en forma de

calor emitirían Luz. Ahora ya se sabes por qué emite luz un diodo Led.

Ecuacion del diodo PN

h) Consulte acerca de Diodos especiales: LED, Zenner, Shotcky, etc.

R// Diodos Led : Los diodos son componentes electrónicos que permiten el paso de la corriente

en un solo sentido, en sentido contrario no dejan pasar la corriente.

En el sentido en que su conexión permite pasar la corriente se comporta como un interruptor

cerrado y en el sentido contrario de conexión, como un interruptor abierto.

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Un diodo Led es un diodo que además de permitir el paso de la corriente solo un un sentido, en el

sentido en el que la corriente pasa por el diodo, este emite luz.

Cuando se conecta un diodo en el sentido que permite el paso de la corriente se dice que está

polarizado directamente.

La definición correcta será: Un diodo Led es un diodo que cuando está polarizado

directamente emite luz.

Además la palabra LED viene del inglés Light Emitting Diode que traducido al español es Diodo

Emisor de Luz.

Características: Los Diodos Leds tienen dos patillas de conexión una larga y otra corta.

Para que pase la corriente y emita luz se debe conectar la patilla larga al polo positivo y la corta

al negativo.

En caso contrario la corriente no pasará y no emitirá luz. En la imagen siguiente vemos un diodo

led por dentro.

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Los leds trabajan a tensiones más o menos de 2V (dos voltios). Si queremos conectarlos a otra

tensión diferente deberemos conectar una resistencia en serie con él para que parte de la tensión

se quede en la resistencia y al led solo le queden los 2V.

Diodos Zenner: El zener consiste en una unión pn especial (semiconductor), muy dopada,

diseñada para conducir en la dirección inversa (diodo polarizado inversamente) cuando se

alcanza un determinado voltaje especificado, llamado voltaje o tensión zener.

Una vez alcanzada la tensión zener, la tensión en los terminales del zener no varía, permanece

constante aunque aumente la tensión de alimentación.

El diodo Zener tiene un voltaje de ruptura inversa bien definido, en el cual comienza a

conducir corriente y continúa operando continuamente en el modo de polarización inversa sin

dañarse.

Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el diodo conduce y mantiene la tensión

Vz constante aunque nosotros sigamos aumentando la tensión en el circuito.

La corriente que pasa por el diodo zener en estas condiciones se llama corriente inversa (Iz).

Se llama zona de ruptura por encima de Vz.

Antes de llegar a Vz el diodo zener NO Conduce.

Como ves es un regulador de voltaje o tensión.

Fíjate en la gráfica de funcionamiento del zener más abajo.

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Cuando está polarizado directamente el zener se comporta como un diodo normal

Pero OJO mientras la tensión inversa sea inferior a la tensión zener, el diodo no conduce, solo

conseguiremos tener la tensión constante Vz, cuando esté conectado a una tensión igual a Vz o

mayor.

Aquí puedes ver una la curva característica de un zener:

Para el zener de la curva vemos que se activaría para una Vz de 5V (zona de ruptura),

lógicamente polarizado inversamente, por eso es negativa.

En la curva de la derecha vemos que sería conectado directamente, y conduce siempre, como

un diodo normal.

Este diodo se llamaría diodo zener de 5V, pero podría ser un diodo zener de 12V, etc.

Sus dos características más importantes son su Tensión Zener y la máxima Potencia que

pueden disipar = Pz (potencia zener).

La relación entre Vz y Pz nos determinará la máxima corriente inversa, llamada Izmáx.

OJO si sobrepasamos esta corriente inversa máxima el diodo zener puede quemarse, ya que no

será capaz de disipar tanta potencia.

Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w.

¿Cuál será la máxima corriente inversa que soportará?

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Recordamos P = V x I; I = P/V. En nuestro caso Izmáx = Pz/Vz = 0,5/5,1 = 0,098A.

Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa máxima, los diodos zener se conectan

siempre con una resistencia en serie que llamamos "Resistencia de Drenaje".

Vamos a ver cómo sería la conexión básica de un diodo zener en un circuito:

Diodos Shotcky: El diodo Schottky (también conocido como diodo de barrera schottky o diodo

de barrera superficial) es otro tipo de diodo semiconductor formado por la unión de un metal con

un semiconductor. A esta unión se le conoce como unión metal-semiconductor o unión M-S. Esta

unión tiene una baja caída de tensión directa (de 0.15 a 0.45 V) que el diodo de unión P-N y

puede utilizarse en aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y conmutación de alta velocidad.

Pero un diodo de unión PN de silicio tiene una tensión directa típica de 0.6-0.75 V, mientras

que la tensión directa de Schottky es de 0.15-0.45 V.

Esta menor necesidad de tensión directa permite que los diodos Schottky puedan encenderse y

apagarse mucho más rápido que el diodo de unión p-n. Además, el diodo schottky produce menos

ruido no deseado que el diodo de unión p-n. Estas dos características del diodo schottky lo hacen

muy útil en los circuitos de potencia de conmutación de alta velocidad.

La unión en un diodo Schottky está formada por el metal (como el oro, el tungsteno, el cromo,

el platino, el molibdeno o ciertos siliciuros) y un semiconductor de silicio dopado de tipo N.

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Aquí, el ánodo es el lado metálico y el cátodo es el lado semiconductor.

Funcionamiento del diodo Schottky.

Diodo Schottky no polarizado:

Cuando el metal se une al semiconductor tipo n, los electrones de la banda de

conducción (electrones libres) del semiconductor tipo n se desplazarán del semiconductor tipo n

al metal para establecer un estado de equilibrio.

Sabemos que cuando un átomo neutro pierde un electrón se convierte en un ion positivo y que

cuando un átomo neutro gana un electrón extra se convierte en un ion negativo.

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Los electrones de la banda de conducción o los electrones libres que cruzan la unión,

proporcionarán electrones adicionales a los átomos del metal. Como resultado, los átomos de la

unión del metal ganan electrones extra y los átomos de la unión del lado n pierden electrones.

Los átomos que pierden electrones en la unión del lado n se convertirán en iones positivos,

mientras que los átomos que ganan electrones adicionales en la unión del metal se convertirán en

iones negativos. Así, se crean iones positivos en la unión del lado n e iones negativos en la unión

del metal. Estos iones positivos y negativos no son más que la región de agotamiento.

Como el metal tiene un mar de electrones libres, la anchura sobre la que estos electrones se

mueven hacia el metal es insignificante en comparación con la anchura dentro del semiconductor

tipo n. Por lo tanto, el potencial incorporado o la tensión incorporada están presentes

principalmente en el interior del semiconductor de tipo n. La tensión incorporada es la barrera

que ven los electrones de la banda de conducción del semiconductor tipo n cuando intentan pasar

al metal.

Para superar esta barrera, los electrones libres necesitan una energía mayor que la tensión

incorporada. En un diodo schottky no polarizado, sólo un pequeño número de electrones fluye

desde el semiconductor tipo n hacia el metal. La tensión integrada impide el flujo de electrones

desde la banda de conducción del semiconductor hacia el metal.

La transferencia de electrones libres del semiconductor de tipo n al metal da lugar a la flexión

de la banda de energía cerca del contacto.

Diodo Schottky en Polarización Directa:

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Si el terminal positivo de la batería está conectado al metal y el terminal negativo de la batería

está conectado al semiconductor de tipo n, se dice que el diodo schottky está en polarización

directa.

Cuando se aplica una tensión de polarización directa al diodo schottky, se genera un gran

número de electrones libres en el semiconductor de tipo n y en el metal. Sin embargo, los

electrones libres en el semiconductor tipo n y en el metal no pueden cruzar la unión a menos que

la tensión aplicada sea superior a 0.2 voltios.

Si la tensión aplicada es superior a 0.2 voltios, los electrones libres ganan suficiente energía y

superan la tensión integrada de la región de agotamiento. Como resultado, la corriente eléctrica

comienza a fluir a través del diodo schottky.

Si la tensión aplicada aumenta continuamente, la región de agotamiento se vuelve muy fina y

finalmente desaparece.

Diodo Schottky en Polarización Inversa:

.
 23

Si el terminal negativo de la pila está conectado al metal y el terminal positivo de la pila está

conectado al semiconductor de tipo n, se dice que el diodo schottky tiene polarización inversa.

Cuando se aplica una tensión de polarización inversa al diodo schottky, el ancho de la región

de agotamiento aumenta. Como resultado, la corriente eléctrica deja de fluir. Sin embargo, fluye

una pequeña corriente de fuga debido a los electrones excitados térmicamente en el metal.

Si se aumenta continuamente la tensión de polarización inversa, la corriente eléctrica aumenta

gradualmente debido a la debilidad de la barrera.

Si la tensión de polarización inversa aumenta mucho, se produce un aumento repentino de la

corriente eléctrica. Este aumento repentino de la corriente eléctrica hace que la región de

agotamiento se rompa, lo que puede dañar permanentemente el dispositivo.

Curva Característica del Diodo Schottky:

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Como podemos ver, la forma general de las características I-V del diodo Schottky es muy

similar a la de un diodo de unión PN estándar, excepto que la esquina a la que el diodo Schottky

comienza a conducir es mucho más baja, alrededor de 0.4 voltios.

Debido a este menor valor, la corriente directa de un diodo Schottky de silicio puede ser

muchas veces mayor que la de un típico diodo de unión pn, dependiendo del electrodo metálico

utilizado. Recuerde que la ley de Ohm nos dice que la potencia es igual a los voltios por los

amperios, (P = V*I) por lo que una menor caída de tensión directa para una corriente de diodo

dada, ID producirá una menor disipación de potencia directa en forma de calor a través de la

unión.

Esta menor pérdida de potencia hace que el diodo Schottky sea una buena opción en

aplicaciones de baja tensión y alta corriente, como los paneles solares fotovoltaicos, donde la

caída de tensión directa (VF) en un diodo de unión pn estándar produciría un efecto de

calentamiento excesivo.

Sin embargo, hay que tener en cuenta que la corriente de fuga inversa (IR) de un diodo

Schottky suele ser mucho mayor que la de un diodo de unión pn.

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i) Consulte una tabla de voltajes y colores en diodos emisores de luz de 5mm

R// Los diodos son componentes electrónicos que son de naturaleza similar a las resistencias.

Las resistencias bloquean el flujo de corriente a través de todo el circuito, sin embargo, mientras

un diodo permite que la corriente pase en una dirección, bloquea la corriente en la dirección

opuesta. Los diodos se utilizan a veces en la conversión de corriente alterna a corriente continua.

Hay diferentes tipos de diodos. Algunos tienen sus valores marcados claramente en ellos. Sin

embargo, otros diodos utilizan el sistema de codificación de color que utilizan las resistencias.

Leer y descifrar el valor del diodo es fácil si tienes un gráfico de colores como referencia.

Tabla de voltaje de diodo led

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2. Analice los siguientes circuitos e indique el cálculo (con procedimiento) de los valores

solicitados.

Circuito 1

R//

D1 R1 R2 R3
I 0,01024 0,01024 0,01024 0,01024
V 0,7 1,228 2,252 4,812
P 0,0071 0,0125 0,023 0,0492

Datos: Ley de Ohm

F = 9V 𝑅𝑒𝑞=𝑅1 +𝑅2+𝑅3

D = 0.7V 𝑅𝑒𝑞=(120)+(220)+(470)

R1= 120Ω 𝑅𝑒𝑞=810Ω

R2= 220Ω 𝐼 𝑇=𝑉𝐹−𝑉𝐷= 𝐼 𝑇=9−0.7=0.01024 𝐴

𝑅𝑒𝑞 810

R3= 470Ω
 27

𝐼𝐷 = 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 = 0.01024𝐴

𝑉𝑅1 = 𝐼 ∗ 𝑅1 𝑉𝑅1 = 0.01024 ∗ 120 = 1.2288𝑉

𝑉𝑅1 = 𝐼 ∗ 𝑅2 𝑉𝑅2 = 0.01024 ∗ 220 = 2.2528𝑉

𝑉𝑅1 = 𝐼 ∗ 𝑅3 𝑉𝑅3 = 0.01024 ∗ 470 = 4.8128𝑉

Ley de Watt

𝑃 =𝐼∗𝑉

𝑃𝐷 = 𝐼 ∗ 𝑉𝐷 𝑃𝐷 = 0.01024 ∗ 0.7 = 0.0071𝑊

𝑃𝑅1 = 𝐼 ∗ 𝑉𝑅1 𝑃𝑅1 = 0.01024 ∗ 1.2288 = 0.0125𝑊

𝑃𝑅2 = 𝐼 ∗ 𝑉𝑅2 𝑃𝑅2 = 0.01024 ∗ 2.2528 = 0.0230𝑊

𝑃𝑅3 = 𝐼 ∗ 𝑉𝑅3 𝑃𝑅3 = 0.01024 ∗ 4.8128 = 0.0492𝑊

 28

Circuito 2

R//

D1 D2 R1 R2 R3
I 0,00938 0,00938 0,00938 0,00938 0,00938
V 0,7 0,7 1,125 2,063 4,408
P 0,0065 0,0065 0,0105 0,0193 0,0413

Datos: Ley de Ohm

F = 9V 𝑅𝑒𝑞=𝑅1 +𝑅2+𝑅3

D1 = 0.7V 𝑅𝑒𝑞=(120)+(220)+(470)

D2 =0.7V

R1= 120Ω 𝑅𝑒𝑞=810Ω

R2= 220Ω 𝐼 𝑇=𝑉𝐹−𝑉𝐷1−𝑉𝐷2= 𝐼 𝑇=9−0.7−0.7=0.00938𝐴

𝑅𝑒𝑞 810

R3= 470Ω
 29

𝐼𝑇 = 𝐷1 = 𝐷2 = 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 = 0.00938𝐴

𝑉𝑅1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑅1 𝑉𝑅1 = 0.00938 ∗ 120 = 1.125𝑉

𝑉𝑅1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑅2 𝑉𝑅2 = 0.00938 ∗ 220 = 2.063𝑉

𝑉𝑅1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑅3 𝑉𝑅3 = 0.00938 ∗ 470 = 4.408𝑉

Ley de Watt

𝑃 =𝐼∗𝑉

𝑃𝐷1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝐷1 𝑃𝐷1 = 0.00938 ∗ 0.7 = 0.0065𝑊

𝑃𝐷2 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝐷2 𝑃𝐷2 = 0.00938 ∗ 0.7 = 0.0065𝑊

𝑃𝑅1 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝑅1 𝑃𝑅1 = 0.00938 ∗ 1.125 = 0.0105𝑊

𝑃𝑅2 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝑅2 𝑃𝑅2 = 0.00938 ∗ 2.063 = 0.0193𝑊

𝑃𝑅3 = 𝐼𝑇 ∗ 𝑉𝑅3 𝑃𝑅3 = 0.00938 ∗ 4.408 = 0.0413𝑊

Simulacion de LTspice
 30

Circuito 3

R//

D1 D2 R1 R2 R3
I 0 0 0 0 0
V 0,7 0 0 0 0
P 0 0 0 0 0

F = 9V 𝑅𝑒𝑞=𝑅1 +𝑅2+𝑅3

D1 = 0.7V 𝑅𝑒𝑞=(120)+(220)+(470)

D2 =0.7V

R1= 120Ω 𝑅𝑒𝑞=810Ω

R2= 220Ω 𝐼𝑇=0 𝑉0=𝐼∗𝑅𝑒𝑞 =0

R3= 470Ω
 31

En este circuito no se pueden analizar valores de corriente ni voltaje ya que el D2 no está

polarizado (polarización inversa) y hace la función de un interruptor abierto por lo mismo el

circuito se encuentra abierto y no permite el paso de la corriente ni del voltaje.

Circuito 4

R//

D1 D2 D3 R1 R2 R3
I 0,06916 0,03329 0,01047 0,03919 0,1995 0,1995
V 0,7 0,7 2 4,695 4,304 4,304
P 0.04843 0.02330 0,02094 0,18399 0,08586 0,08586
 32

Datos:

F = 9V 𝑅𝑒𝑞1=𝑅2//𝑅3

D1 = 0.7V 𝑅𝑒𝑞1=110Ω

D2 =0.7V 𝑅𝑒𝑞2=𝑅𝑒𝑞1 +𝑅1

D3 =2V 𝑅𝑒𝑞2=(110)+(120)=230Ω

R1= 120Ω

R2= 220Ω

R3= 220Ω

Divisor de Corriente

𝑉 9
𝐼1 = 𝑅 𝐹 𝐼1 = 230 = 0.03919𝐴
𝑒𝑞𝑡

𝐼𝑇 ∗𝑅2.3 0.03919∗110
𝐼2 = 𝐼1 = = 0.1995𝐴
𝑅3 220

𝐼𝑇 ∗𝑅2.3 0.03919∗110
𝐼2 = 𝑅2
𝐼1 = 220
= 0.1995𝐴

Divisor de Tensión

𝑉𝐹 ∗𝑅1 9∗120
𝑉𝑅1 = 𝑉𝑅1 = = 4.695𝑉
𝑅𝑒𝑞𝑡 230
 33

𝑉𝐹 ∗𝑅2 9∗110
𝑉𝑅2.3 = 𝑅𝑒𝑞𝑡
𝑉𝑅1 = 230
= 4.304𝑉

Ley de Watt

𝑃 = 𝐼∗𝑉

𝑃𝐷1 = 𝐼𝐷1 ∗ 𝑉𝐷1 𝑃𝐷1 = 0.06916 ∗ 0.7 = 0.04843𝑊

𝑃𝐷2 = 𝐼𝐷2 ∗ 𝑉𝐷2 𝑃𝐷2 = 0.03329 ∗ 0.7 = 0.02330𝑊

𝑃𝐷3 = 𝐼𝐷3 ∗ 𝑉𝐷3 𝑃𝐷2 = 0.01047 ∗ 2 = 0.02094𝑊

𝑃𝑅1 = 𝐼𝑅1 ∗ 𝑉𝑅1 𝑃𝑅1 = 0.03919 ∗ 4.695 = 0.18399𝑊

𝑃𝑅2 = 𝐼𝑅2 ∗ 𝑉𝑅2 𝑃𝑅2 = 0.01995 ∗ 4.304 = 0.08586𝑊

𝑃𝑅3 = 𝐼𝑅3 ∗ 𝑉𝑅3 𝑃𝑅3 = 0.01995 ∗ 4.304 = 0.08586

 34

Circuito 5

R//

R//
 35

3. Simule los circuitos del numeral 2 y compare los resultados calculados.

R//

Circuito 1

Circuito 2
 36

Circuito 3

Circuito 4
 37

4. Diodos como elementos rectificadores

R//

A) Consulte y consigne el diagrama de circuito de cada rectificador.

Diagrama de rectificador de dos diodos.

 38

Diagrama de rectificador de cuatro diodos.

B) Explique brevemente el funcionamiento de cada rectificador.

En el rectificador de dos diodos, El rectificador superior funciona con el semiciclo positivo

de la tensión en el secundario, mientras que el rectificador inferior funciona con el semiciclo

negativo de tensión en el secundario.

Es decir, D1 conduce durante el semiciclo positivo y D2 conduce durante el semiciclo

negativo.

Así pues, la corriente en la carga rectificada circula durante los dos semiciclos.

En el rectificador de cuatro diodos, Durante el semiciclo positivo de la tensión de la red, los

diodos D1 y D3 conducen, esto da lugar a un semiciclo positivo en la resistencia de carga.

 39

Los diodos D2 y D4 conducen durante el semiciclo negativo, lo que produce otro semiciclo

positivo en la resistencia de carga.

El resultado es una señal de onda completa en la resistencia de carga.

La diferencia más importante es que la tensión inversa que tienen que soportar los diodos es la

mitad de la que tienen que soportar los diodos en un rectificador de onda completa con 2 diodos,

con lo que se reduce el coste del circuito.

C) Simule los rectificadores asumiendo una onda sinusoidal como entrada proveniente de un

transformador reductor con tap central (6-0-6). Como carga del circuito ubique una resistencia de

un valor aproximado de al menos 300 Ω a 1/2W

R//

Rectificador con dos diodos

 40

Rectificador con cuatro diodos

D) Consulte cómo calcular el valor RMS de la onda de salida de un rectificador. Compruebe

su consulta con un ejemplo simulado para cada rectificador.

R//

El voltaje RMS, o el cuadrado medio de la raíz (también llamado el voltaje eficaz), es un

método de denotar una forma de onda senoidal de voltaje (forma de onda de CA) como un voltaje

equivalente que representa el valor de voltaje DC que producirá el mismo efecto de

calentamiento o disipación de potencia en el circuito, como esta tensión de CA.

En otras palabras, la forma de onda es una forma de onda AC, pero el valor RMS permite que

esta forma de onda se especifique como DC, porque es la tensión DC equivalente que entrega la

misma cantidad de energía a una carga en un circuito como la señal AC hace sobre su ciclo.
 41

Muchos tipos de voltajes en la vida real están especificados por sus valores RMS.

Un buen ejemplo es el voltaje de una toma de CA. Probablemente esté familiarizado y sepa

que el 120V sale del tomacorriente de CA, tal como uno que encontraría en su casa o en cualquier

edificio en los Estados Unidos. ¿Pero usted no sabe probablemente qué tipo de voltaje éste es? Y

la respuesta es, es el voltaje RMS. El 120V es el voltaje RMS. Y el voltaje máximo para esto es

realmente 170V. Por lo tanto, el pico de este voltaje es en realidad mucho más grande que 120V.

Y si lo miras de pico a pico, entonces el voltaje de una toma de CA es en realidad 340V de pico a

pico.

Mediante el uso del voltaje RMS, el voltaje que surge de una salida de CA, se relaciona más

fácilmente con los circuitos de CC.

Como Calcular el voltaje RMS: El voltaje cuadrático medio (RMS) puede calcularse ya sea a

partir de la tensión máxima, la tensión pico a pico o la tensión promedia.

Las fórmulas para calcular el voltaje RMS de cualquiera de estos voltajes se muestran a

continuación.

Cómo Calcular el Voltaje RMS del Voltaje Máximo.

𝟏
𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑴𝑨𝑿𝑰𝑴𝑶 ∗ = 𝑶 (𝟎. 𝟎𝟕𝟎𝟕𝟏)
√𝟐

Si se le da el valor máximo de voltaje, puede calcular el voltaje RMS usando la fórmula

anterior.

Todo lo que tiene que hacer para obtener el valor RMS es multiplicar el voltaje máximo por

0.7071.

Cómo Calcular el Voltaje RMS de Voltaje Pico a Pico.

𝟏
𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑷𝑰𝑪𝑶 𝑨 𝑷𝑰𝑪𝑶 ∗ = 𝑶 (𝟎. 𝟑𝟓𝟑𝟓)
(𝟐√𝟐)
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Si se le da el valor de voltaje pico a pico, puede calcular el voltaje RMS usando la fórmula

anterior.

Todo lo que debe hacer para obtener el valor RMS es multiplicar el voltaje pico a pico por

0,35355.

Cómo Calcular el Voltaje RMS del Voltaje Promedio.

𝝅
𝑽𝑹𝑴𝑺 = 𝑽𝑷𝑹𝑶𝑴𝑬𝑫𝑰𝑶 ∗ = 𝑶 (𝟏. 𝟏𝟏𝟎𝟕)
(𝟐√𝟐)

Si se le da el valor de voltaje promedio, puede calcular el voltaje RMS usando la fórmula

anterior.

Todo lo que debe hacer para obtener el valor RMS es multiplicar el voltaje promedio por

1,1107.

E) Consulte el datasheet de un puente rectificador (preconstruido) que pueda conseguir

comercialmente.

R//

Datasheet de un rectificador de custro diodos

 43

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

https://aprende.com/blog/oficios/reparacion-electronica/tipos-de-diodos/

https://www.mecatronicalatam.com/es/tutoriales/electronica/componentes-

electronicos/diodo/diodo-zener/

https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=LM324&gclid=Cj0KCQiAjbagBhD3AR

IsANRrqEuRW9adz-

p0oT55H6Z64kOXtkkUQxbR68JEu8yMOrHRgt60VTfL6d8aAnddEALw_wcB

https://www.fluke.com/es-co/informacion/blog/multimetros-digitales/como-probar-los-diodos

https://www.areatecnologia.com/electronica/union-pn.html

https://techlandia.com/leer-codigo-color-diodos-como_46525/

https://www.multisim.com/

https://www.analog.com/en/design-center/design-tools-and-calculators/ltspice-simulator.html

Taller 1 Jhon Abril – E4B