Los transistores bipolares de alta potencia son utilizados fundamentalmente para frecuencias por

debajo de 10KHz y son muy efectivos en aplicaciones que requieran hasta 1200V y 400A como
máximo, a partir de estos niveles de frecuencia, corriente y tensión, existen otros dispositivos más
adecuados. Hoy en día el uso de los BJT en aplicaciones de potencia está muy limitado.

El funcionamiento, utilización y técnicas de fabricación empleadas en los transistores de potencia

son idénticas a los de los transistores de señal, teniendo como características especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y por tanto las altas potencias a disipar.

Características del transistor bipolar y FET: Polarización

http://www.elo.jmc.utfsm.cl/sriquelme/apuntes/transistores%20y%20fet/transistores%20y
%20fet.pdf

https://issuu.com/sanchezmontanoivan/docs/electronica_basica_para_ingenieros

https://grupoenertica.com/unitrain

https://grupoenertica.com/unitrain UNITRAIN

ESTUDIO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor convencional o bipolar se denomina así porque en su funcionamiento intervienen co-
rrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Otros dispositivos
como los FET se denominan monopolares porque sólo hay corrientes de un tipo.

El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este

tema se introducen las principales características básicas del transistor bipolar y FET y se estudian
los modelos básicos de estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización.
Polarizar un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que
establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo.

El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo de la

electrónica.
En este documento se introducen las principales características básicas del
transistor bipolar y FET, y se estudian los modelos básicos de estos dispositivos,
su utilización y el análisis de los circuitos de polarización.

Polarizar un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y

no-lineales, ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a
circular por el dispositivo.

En general, los transistores bipolares de circuitos analógicos lineales están

operando en la región activa directa. En esta región existe cuatro zonas de
operación definidas por el estado de las uniones del transistor: saturación, lineal,
corte y ruptura. https://www.apuntesdeelectronica.com/componentes/caracteristicas-del-
transistor-bipolar-fet.htm
TRANSISTOR FET (Introducción).

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así
porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja. 

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

2) Explicación de la combinación de portadores.

            Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones
fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo),
aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o
drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado
inversamente.

            En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos
fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia
el terminal positivo de la misma.

            Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se

aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así

como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una
serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar
para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es
especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que
aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o
aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las
hojas de características de los distintos dispositivos.
3) Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el
collar.

La figura muestra  el croquis de un FET con canal N

 Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con
purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.

Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma

que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la
longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión
inversa (tensión de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

 ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
 ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como
una fuente de corriente gobernada por VGS
3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de
un dispositivo simétrico).

La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de

CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de
sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada alta Uso general, equipo de medida,
(buffer) y de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo para
Amplificador de RF Bajo ruido
comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM y TV,equipos para
Mezclador
intermodulación comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar
Receptores, generadores de señales
CAG ganancia
Instrumentos de medición, equipos de
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
prueba
Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de cc, sistemas de
 control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas de
voltaje
tono
Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera, transductores
frecuencia acoplamiento inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón,
Oscilador
frecuencia receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única variable que
me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de puerta.

Ecuación de Shockley:

ID=IDSS(1-VGS/Vp)2

Donde:

 Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor FET.

 IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS,
cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 vol

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la puerta

Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es
nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0   e      Id = ƒ(Vds, Vgs)

En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el
gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos
escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de

la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es cero (en la realidad,
como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).
El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la
separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de
Vgs de 1 voltio.

4) TÉCNICAS DE MANUFACTURA.

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor

sólido cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio) con diferentes
contaminaciones, que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una
corriente de control, mucho menor.

El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,
partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John
Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.

En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer transistor
de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de fabricación, su
comercialización a gran escala.

Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas, en

los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes
a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los
equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios").

Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una
de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicación
sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las
secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de
emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como
el dispositivo predominante, con párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del
uso de un JFET de canal-p.

La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que
la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas
difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante
contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el
extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal
llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y
al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el
drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a
las dos capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el
JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región de
agotamiento en cada unión, como se ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma
región de un diodo bajo condiciones sin polarización. Recuérdese también que una región
de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de
permitir la conducción a través de la región.
Transistor de unión de efecto de campo (JFET).

Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas, pero la
analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la
terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del
dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje
a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente).
La "compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial), controla el flujo del agua
(carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos
opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior, debido a que la terminología se
define para el flujo de electrones.

Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.

VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo

En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la

compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición VGS =
0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial
y hay una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p, semejante a la
distribución de las condiciones sin polarización de la figura del transistor FET. En el
instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones serán atraídos hacia la
terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la dirección definida de
la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de
fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura
siguiente, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente por la
resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente.

JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V.

Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo
superior de ambos materiales tipo p. La razón para el cambio en la anchura de la región se
puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia
uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en
la figura siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal,
como se indica en la misma figura. El resultado es que la región superior del material tipo p
estará inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la región inferior inversamente
polarizada sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación de la operación del diodo, que
cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada, mayor será la anchura de la región de
agotamiento, de aquí la distribución de la región de agotamiento que se muestra en la figura
siguiente. El hecho de que la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del
canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la
misma figura. El hecho que iG = O A es una importante característica del JFET.

Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET de

canal n.
5) Explicación de su encapsulado e identificación de sus terminales.

La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en

una misma oblea de silicio, permitió crear los circuitos integrados o chips, base de todos los
aparatos electrónicos modernos.
Conectados de manera apropiada, permite amplificar señales muy débiles, convertir
energía, encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde
frecuencias bajas hasta frecuencias de radio, etc.

Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo
NPN ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme
cantidad de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con
sentidos opuestos de circulación de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el
electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de
óxido metálico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para
controlar grandes potencias y tensiones), etc.

Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta potencia, bajo ruido
eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensión, aplicaciones de conmutación,
etc.

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html

https://sites.google.com/site/electronicaanalogicaportafolio/home/unidad-2-
transistores
Unidad 2. Transistores bipolares y unipolares BJT y
FET
Siendo el proceso de caracterización una parte muy importante en la determinación del modelo
de un transistor, es necesario prestar una gran atención a la metodología utilizada para la
obtención de los datos en las mediciones que se realicen. En este sentido, es necesario elaborar un
plan donde se tomen en cuenta distintos factores que se puedan encontrar y técnicas a utilizar en
el procedimiento. Uno de los factores que se encuentra no solo en la caracterización de un
transistor, sino también en la aplicación final, es la temperatura de operación. Ésta juega un papel
muy importante debido a que fluctuaciones en su magnitud, producen efectos en el
comportamiento del semiconductor que compone al transistor. La característica que se ve
afectada en mayor medida, es la movilidad electrónica en el material semiconductor, la cual es
inversamente proporcional a la temperatura. Este efecto se ve reflejado en una disminución de la
corriente del drenador. Un efecto comúnmente observado en la operación del transistor es el
autocalentamiento del mismo. Este se presenta siempre que haya una corriente circulando a
través del canal de conducción. Es un fenómeno que está relacionado con la potencia disipada por
el transistor y una de las maneras de mitigarlo en la aplicación final es utilizando potentes
disipadores de temperatura, conectados térmicamente al dispositivo. Durante la caracterización,
la manera 5 de evitar los efectos de autocalentamiento se consigue al realizar mediciones pulsadas
de las relaciones de voltaje y corriente del transistor (curvas I-V) y de los parámetros de dispersión
(parámetros S). La experiencia que se tiene en el CICESE en cuanto a la caracterización pulsada de
dispositivos, ha sido la determinación de las curvas I-V de los transistores. La caracterización en
pequeña señal se ha venido realizando de tal manera que los efectos de autocalentamiento del
transistor no pueden ser evitados. Esto conlleva a obtener un modelo del transistor que, aunque
significa una buena aproximación al desempeño del transistor, no lo describe de una manera 100%
acertada. Una forma de evitar el efecto de autocalentamiento del transistor en la caracterización,
y obtener mediciones de los parámetros de dispersión, que en conjunto con la información de las
relaciones I-V sean un excelente punto de partida para la determinación de un modelo no lineal,
confiable y que muestre un buen desempeño, consiste en realizar mediciones en modo pulsado de
curvas I-V a la par con mediciones pulsadas de parámetros S. Como se mencionó anteriormente, el
propósito de utilizar la caracterización pulsada consiste en evitar que el dispositivo sufra un
aumento de temperatura, el cual afecte de manera negativa el desempeño del mismo. La
dinámica de este funcionamiento consiste en realizar la caracterización del dispositivo donde los
voltajes y corrientes son aplicados en pequeños períodos de tiempo (pulsos), seguido de una des
energización que toma un periodo mucho mayor que el anterior (regresión a un estado de
reposo), en este funcionamiento, la duración de los pulsos juega un papel muy importante en el
desempeño del dispositivo. Por otro lado, los dispositivos de potencia actualmente utilizados, son
diseñados para soportar un específico valor de potencia disipada de manera continua. Este
aspecto significa también una limitación para los sistemas de caracterización en modo no pulsado.
Debido a esta limitante, el transistor no puede ser caracterizado en un amplio intervalo de voltajes
de compuerta y drenador (ܸ௚௦ ܸ‫ ݕ‬ௗ௦), lo cual reduce considerablemente el número de datos
necesario para la elaboración de un modelo confiable. En la Figura 1 se ilustra la limitación en
potencia y el área que no puede ser caracterizada en modo no pulsado.

https://www.uv.es/marinjl/electro/transistores.html Transistores de potencia

Importante para definición

01

Página 34 principios básicos

https://es.scribd.com/document/397822498/La-Importancia-Del-FET-asd
https://es.scribd.com/document/397822498/La-Importancia-Del-FET-asd

02
Conocer los principios físicos de los semiconductores y de sus propiedades eléctricas 

3.2. Aportación de la asignatura al ejercicio profesional

Al tratarse de una asignatura de tipo fundamental, su aportación consiste en sentar las bases necesarias
para el dominio de las diferentes materias relacionadas con la Electrónica y la Fotónica, y por consiguiente
también para el ejercicio profesional de las competencias del ingeniero técnico de telecomunicación en
estos campos.