Detectores de Cruce Por Cero

DETECTORES DE CRUCE POR CERO
Detector de cruce por cero no inversor.

En la siguiente figura, se muestra el circuito de deteccin de cruce por cero no
XSC1
Ext Trig
+
_
B
A
+
U1
0
2
COMPARATOR_VIRTUAL
R1
1k
0
1
XFG1
inversor .
El voltaje de la entrada no inversora se compara con el voltaje de referencia en la
entrada inversora (en este caso, est conectada a tierra 0 volts), cuando el
voltaje en la entrada es ms positivo que 0V, el voltaje de salida ser igual al
voltaje de saturacin del amplificador operacional, esto es un poco menor que el
voltaje de polarizacin VCC.
Cuando el voltaje en la entrada es ms negativo que el voltaje de referencia,

entonces el voltaje de salida ser igual al voltaje de saturacin negativo V SAT.
De la misma forma, cuando el voltaje de entrada es mayor que el voltaje de
referncia, el voltaje de salida +Vsat.
Esto se puede apreciar con mayor claridad en la siguiente grfica.
En la figura, se muestra la seal de salida que se obtiene cuando se aplica una

seal triangular de 100 Hz.
Como se puede observar, durante el ciclo positivo de la seal de entrada V i, la
seal de salida Vo ser igual al voltaje de saturacin positivo V SAT; por otra parte,
cuando el la seal de entrada se encuentra en su ciclo negativo, el voltaje de
salida Vo ser igual al voltaje de saturacin negativo -V SAT del amplificador
operacional.
Detector de cruce por cero inversor

Ahora se procede con el detector inversor de la siguiente figura.
XSC1
Tektronix
P
G
1 2 3 4
U1
COMPARATOR_VIRTUAL
2
R1
1k
0
1
XFG1
En el detector de cruce por cero inversor, el voltaje de salida ser V SAT cuando el
voltaje de entrada es ms positivo que el voltaje de referencia (0V) y cuando el
voltaje de entrada es ms negativo que el voltaje de referencia, la salida ser Vsat.
De la misma manera se puede, apreciar con mayor claridad en la figura siguiente.
Se observa que la seal de salida Vo se encuentra invertida a la seal de entrada,

debido a que la configuracin del circuito es inversora. Asimismo, se puede ver
que durante el ciclo positivo de la seal de entrada V i, el voltaje de la seal de
salida ser -VSAT y, cuando la seal de entrada se encuentra en su ciclo negativo,
la seal de salida ser VSAT.
Conclusiones:
Los circuitos detectores de cruce por cero, son sumamente sencillos en su
construccin, y altamente tiles. Tienen un amplio campo de aplicacin, que va
desde comparar seales, como se hizo en esta prctica, hasta aplicaciones ms
complejas en las que se combinan con elementos mecnicos y neumticos, para
formar indicadores de nivel.
Dada a su fcil construccin es importante tenerlos en cuenta al momento de
realizar un trabajo de instrumentacin. Se debe hacer mencin que se tuvieron
algunos problemas con el 339, ya que necesita una resistencia de pull-up para
poder visualizar la seal de salida
Transistores de potencia
Transistores de potencia
Se le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande
(IC grande), lo que corresponde a una potencia mayor de 0,5 W. En este tipo de
transistores la cc que se puede obtener en su fabricacin suele ser bastante
menor que en los de baja potencia (cc = 20 100).
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los

transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a
disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
Parmetros
MOS
Bipolar
Impedancia de entrada
Alta (1010 ohmios)
Media (104 ohmios)
Ganancia en corriente
Alta (107)
Media (10-100)
Resistencia ON (saturacin)
Media / alta
Baja
Resistencia OFF (corte)
Alta
Alta
Voltaje aplicable
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Mxima temperatura de operacin
Alta (200C)
Media (150C)
Frecuencia de trabajo
Alta (100-500 Khz)
Baja (10-80 Khz)
Coste
Alto
Medio
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de

carga en corriente de los transistores bipolares
Trabaja con tensin.
Tiempos de conmutacin bajos.
Disipacin mucho mayor (como los bipolares).
Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:
Pequeas fugas.
Alta potencia.
Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia
de funcionamiento.
Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del

semiconductor.
Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima

elevada).
Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente

de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa
no se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las
causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las
uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin
de los portadores.
Principios bsicos de funcionamiento

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo
de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar
una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET
el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente.
Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que
consume el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la
potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.
En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra

bastante mayor.
EL TRIAC
El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor de tres
terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga,
con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado
por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la
polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o
negativa.
ESTRUCTURA
CURVA CARACTERSTICA
Como se pudo notar el Triac es un SCR bidirreccional.

La corriente y la tensin de encendido disminuyen con el aumento de
temperatura y con el aumento de la tensin de bloqueo.
Las corrientes de prdida del Triac son pequeas, del orden de 0,1 m A a la
temperatura ambiente.
El Triac conmuta del modo de corte al modo de conduccin cuando se
inyecta corriente a la compuerta. Despus del disparo la compuerta no posee
control sobre el estado del Triac. Para apagar el Triac la corriente andica debe
reducirse por debajo del valor de la corriente de retencin IH.
DISPARO POR CC
En este caso la tensin de disparo proviene de una fuente de tensin continua
aplicada al TRIAC a travs de una resistencia limitadora de la corriente de puerta.
Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de
disparo encargado de la funcin de control, que puede ser un simple interruptor
mecnico o un transistor trabajando en conmutacin.
Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos
electrnicos alimentados por tensiones continuas cuya funcin sea la de control de
una corriente a partir de una determinada seal de excitacin, que generalmente
se origina en un transductor de cualquier tipo.
DISPARO POR AC
El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un
transformador que suministre la tensin de disparo, o bien directamente a partir de
la propia tensin de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta
adecuada y algn elemento interruptor que entregue la excitacin a la puerta en el
momento preciso.
CARACTERSTICAS GENERALES
La versatilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hace ideal para una
amplia variedad de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes alternas.
Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales, que requieren siempre
el movimiento de un contacto, siendo la principal la que se obtiene como
consecuencia de que el TRIAC siempre se dispara cada medio ciclo cuando la
corriente pasa por cero, con lo que se evitan los arcos y sobre tensiones derivadas
de la conmutacin de cargas inductivas que almacenan una determinada energa
durante su funcionamiento.
Resumiendo, algunas caractersticas de los TRIACS:
- El TRIAC conmuta del modo de corte al modo de conduccin cuando se inyecta
corriente a la compuerta. Despus del disparo la compuerta no posee control
sobre el estado del TRIAC. Para apagar el TRIAC la corriente andica debe
reducirse por debajo del valor de la corriente de retencin I h.
- La corriente y la tensin de encendido disminuyen con el aumento de
temperatura y con el aumento de la tensin de bloqueo.
APLICACIONES
La aplicacin de los TRIACS, a diferencia de los Tiristores, se encuentra
bsicamente en corriente alterna. Su curva caracterstica refleja un funcionamiento
muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante del sistema
de ejes. Esto es debido a su direccionalidad.
- La principal utilidad de los TRIACS es como regulador de potencia entregada a
una carga, en corriente alterna.

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Detector de cruce por cero no inversor.

Cuando el voltaje en la entrada es ms negativo que el voltaje de referencia,

En la figura, se muestra la seal de salida que se obtiene cuando se aplica una

Detector de cruce por cero inversor

Se observa que la seal de salida Vo se encuentra invertida a la seal de entrada,

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los

unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).

Alta (1010 ohmios)

Media (104 ohmios)

Resistencia OFF (corte)

Mxima temperatura de operacin

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de

Trabaja con tensin.

Tiempos de conmutacin bajos.

Disipacin mucho mayor (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:

Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del

Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima

Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).

Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente

Principios bsicos de funcionamiento

En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID.

En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra

Como se pudo notar el Triac es un SCR bidirreccional.

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