Universidad Politcnica Salesiana. Amplificadores con MOSFET.

Amplificadores con JFET, MOSFET; y

Transistores IGBT
Argudo, Andrs; Carpio, Geovanny; Marca, Cristian; Molina, Daniel; Samaniego, Juan
gargudog@\; gcarpios@\; cmarca@\;dmolinav1@\; jsamaniegop@\; \est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana - Ecuador

Resumen Los amplificadores de pequea seal utilizan como

elemento principal el transistor BJT el cual presenta mltiples
parmetros tanto en el anlisis en DC como en AC. Para casos
especiales en los que se requiera ms potencia o una mayor ganancia
para obtener ms seal entonces resulta apropiado utilizar los
mismos amplificadores pero con transistores FETs cuyas ventajas
frente a los BJT son numeradas a igual que las desventajas. En el
presente trabajo se enlistar las diferentes polarizaciones de anlisis
con JFET y MOSFET con sus respectivas aplicaciones. Lo anterior
consta como una primera parte del trabajo, despus, el anlisis
contina con la segunda parte sobre los IGBT que si bien no est en
el contexto de los amplificadores para nada est aislado de los
transistores FET.

generadores y no por transductores)

Velocidad de conmutacin lenta (representaba un
pequeo desfase entre las seales de ingreso y salida)

Estos factores resultaron en cambiar el dispositivo

amplificador por uno que cubra en gran parte todas esas
desventajas y de hecho para eso se utilizan los FET, siempre
claro est que, segn sea la aplicacin se utilizarn los
diferentes amplificadores porque tanto BJT como FET cubren
las desventajas del otro. Por tanto, al igual que los
amplificadores ya estudiados con transistores bipolares
podemos utilizar las mismas configuraciones pero
considerando nuevos parmetros internos de anlisis tanto en
DC como en AC.

Abstract Small signal amplifiers using as the main element BJT

transistor, which has multiple parameters analysis in both DC and
AC. For special cases where we need more power or a higher gain
for get a higher signal then use the same amplifiers required but
using FETs whose advantages over BJT are numbered as
disadvantages. In this paper, the different polarizations of analysis
JFET and MOSFET with their applications are going listed. This
comprises a first part of the work, and then the analysis continues
with the second part of the IGBT that while it is not in the context of
the amplifiers for nothing is isolated from the FET transistors.
Keywords Bipolar transistors, FET circuits, MOSFET circuits,
Polarizations.

I. INTRODUCCIN
n este artculo se refieren algunas de las polarizaciones ms
importantes y comunes de los transistores JFET y MOSFET
para obtener amplificadores de potencia o de una seal mucho
mayor que los obtenidos en los BJT. La necesidad de utilizar
los transistores de efecto de campo (FET) se debe a los
inconvenientes que resultan de utilizar transistores de unin
bipolar (BJT) en los amplificadores, por ejemplo, los
amplificadores con BJT aparte de ser para pequeas seales
presentaban inconvenientes como:

Baja impedancia de entrada (lo cual repercuta en

considerar la resistencia interna re)
Trabajo slo en bajas frecuencias (como resultado nos
limitbamos a seales de ingreso dadas por

Fig. 1 Analoga entre dispositivos BJT y JFET.

Ya en una segunda parte del artculo se explicar el

funcionamiento de un tipo especial de transistores denominados
IGBT considerados como la unin o fusin de los transistores
BJT con FET. Estos transistores especiales funcionan como
conmutadores de alta potencia pues las cargas que manejan
comprenden voltajes en el orden de los KV y corrientes muy
superiores a la unidad, siendo de gran aplicacin en la
electrnica de potencia por su facilidad de control y gran
capacidad de manejo de altas potencias.

II. AMPLIFICADORES CON JFETS

A. Transistores JFET
El JFET es un dispositivo de tres terminales con una
terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos. Sus
caractersticas importantes son:

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Controla la salida por medio del voltaje

Presentan diferentes regiones de polarizacin
Presentan una impedancia de entrada muy alta
Segn la regin de polarizacin en la que se encuentren
funcionan como:
o Resistencias controladas por tensin (Zona
lineal)
o Amplificadores de corriente o tensin (Zona
de saturacin)
o Fuentes de corriente ( > = 0)
o Interruptores lgicos y de potencia (Zona de
corte)

Las ecuaciones
funcionamiento son:

ms

importantes

que

rigen

Sus ecuaciones ms importantes son:

VGSQ VGG
VDS VDD I D RS

Autopolarizacin

su

IG 0
ID IS
V
I D I DSS 1 GS
VP

Fig. 4 Configuracin de Autopolarizacin.

Sus ecuaciones ms importantes son:

Donde Vp y IDSS son el voltaje de estrangulamiento y la
corriente de saturacin en el drenaje, respectivamente. En la fig.
1 se muestran los smbolos electrnicos del JFET tanto para
canal n (a) como para canal p (b).

VGS I D RS

VDS VDD I D RD RS

Partidor de Tensin

Fig. 2 Esquema del JFET.

Para el anlisis en DC no nos sumergiremos en las

consideraciones de nodos y mallas para obtener sus ecuaciones
ya que no son objetivo de este trabajo, sino de una manera ms
prctica utilizaremos estas ecuaciones directamente para
analizarlas en AC.
Fig. 5 Configuracin de Partidor de Tensin.

Polarizacin Fija
Sus ecuaciones ms importantes son:

VG

R2VDD
R1 R2

VGS VG I D RS

VDS VDD I D RD RS

Fig. 3 Configuracin de polarizacin fija.

Configuracin de Gate comn

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Es importante notar que el VGS controla la corriente del

drenaje. Ahora, aparecen nuevos parmetros del circuito
equivalente que se definen a continuacin:
o

Fig. 6 Configuracin de Gate comn.

Sus ecuaciones ms importantes son:

VGS VSS I D RS

VDS VDD VSS I D RD RS

Caso especial VGS = 0

o

Fig. 7 Caso especial VGS = 0.

Sus ecuaciones ms importantes son:

VDS VDD I D RD
VD VDS

gm es el cambio de la corriente del drenaje que resulta

de un cambio en el VGS, a este parmetro se lo conoce
como el factor de transconductancia. Este factor se
puede determinar por dos mtodos:
Mtodo de Transferencia: donde gm es la
pendiente de la recta tangente en el punto
Q(VGS, ID).
Mtodo matemtico: Se puede derivar la
ecuacin de Schottky para obtener:
2
VGS
dId
d
gm

IDSS 1

dVGS dVGS
Vp

2 IDSS VGS
gm
1
| Vp |
Vp
rd es la magnitud de la impedancia de salida de los
JFET y se encuentra en la hoja de especificacin como
el inverso del Ys [medida en Siemens]. Tambin
corresponde a la pendiente de la recta tangente del
punto Q(VDS, ID).
Zi es la impedancia de entrada. Todos los JFET
comerciales suponen una alta impedancia de entrada
por lo que se aproximan a un circuito abierto.

Con los parmetros predefinidos anteriormente podemos

empezar el anlisis en AC para las diferentes polarizaciones:

Polarizacin Fija (Source Comn)

En la fig. 9 se muestra la polarizacin fija a source comn

considerada con carga y su modelo equivalente AC:

VS 0V
I DQ I DSS
B. Amplificadores de pequea seal con JFETs
Ya para los amplificadores JFET lo importante es que van a
ser controlados por voltaje, adems, su impedancia de entrada
debe ser alta lo que elimina la resistencia interna de ingreso por
lo que proporcionan una ganancia muy buena de voltaje. Estos
amplificadores son considerados de bajo consumo de potencia.
El anlisis en AC requiere un modelo de JFET para obtener el
circuito equivalente al cortocircuitar las fuentes de DC, en la
fig. 8 se muestra el modelo del JFET para anlisis en AC.

(a)

(b)
Fig. 9 Polarizacin fija: (a) Esquema, (b) Modelo AC.
Fig. 8 Circuito equivalente del JFET en AC.

A continuacin se presentan una serie de pasos donde se

deduce los diferentes parmetros en AC como impedancias,

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voltajes, pero finalmente llegamos a las ganancias de voltaje

con carga, sin carga, y de la seal.

Zi RG
Zo rd || RD
Vo gmVgs (rd || RD)

Por ley de Ohm,

+ =

Dado que VGS y Vi son iguales, por tanto,

1
1
= ( +
)

Vgs Vi
Entonces :
Vo gmVi(rd || RD)
Vo
Av gm(rd || RD)
Vi
Vo gmVi(rd || RD || RL)
Vo
AvL gm(rd || RD || RL)
Vi
Vo Vi Vo RG
Avs
gm(rd || RD || RL)
Vi Vs Vi RG Rsig
RG Rsig
RD || RL rd
Avs gm( RD || RL)

As, la impedancia de salida es,

=
=
( 1 + 1 )

1
=

Una vez que se obtiene las impedancias se obtiene la

ganancia, pero, se define primero el voltaje de salida:
= ()
= ( )()
+ () = ()
As, la ganancia con carga est definida por:
=

Polarizacin Source Seguidor (Drain comn)

El circuito de esta polarizacin se muestra en la fig. 10:

()
=
1 + ()

Polarizacin Gate Comn

La fig. 11 muestra el esquema electrnico y equivalente AC

de este tipo de polarizacin:

(a)
(a)

(b)
Fig. 10 Polarizacin Drain comn: (a) Esquema electrnico, (b)
Modelo equivalente en AC.

El anlisis en AC considera los parmetros ya estudiados,

es decir, gm, rd, y su modelo equivalente. La fig. 10(b) mostr
el equivalente de esta polarizacin en AC a partir del cual
deducimos sus ecuaciones. As en el nodo S tenemos:

(b)
Fig. 11 Polarizacin Gate Comn: (a) Esquema electrnico, (b)
Modelo equivalente AC.

Con Vi=0 se anula el efecto de Rs por lo que claramente la

impedancia de salida est definida por:
=

+ = ird + iRs

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Para determinar la impedancia de entrada es necesario

primero definir la parte correspondiente al ingreso
considerando la resistencia interna del drenaje (vase la fig. 12),

funcionar en AC cuando se llegue a la frecuencia de corte por

lo que se tienen las siguientes frmulas:
1
2( + )
1
=
2( + )
1
=
2()

Fig. 12 Equivalente del circuito de entrada considerando rd.

Por tanto,
=

= =

Por LCK en el nodo a,

+ =
=

=

1
(1 +
) = ( )

Finalmente,
+
=
(1 )
Pero la Zi representa el paralelo entre Rs y Zi,
=
Del anlisis LTK en la malla del FET tenemos:
+ + = 0

= (
) +

(1 +
) = (
+ )

Finalmente,

+
=
=

1+

Donde, respectivamente, los valores de las resistencias estn

dados por,
1
=

Tomar en cuenta para el diseo que el condensador de

entrada o de la seal es ms bajo que el resto de condensadores.
Cuando se realiza el anlisis en frecuencia los amplificadores
FETs tienen la caracterstica de trabajar a diferentes
frecuencias es decir intervalos desde bajas frecuencias hasta
altas frecuencias; considerar lo siguiente:
Los capacitores determinan el ancho de banda del
sistema (diagrama de Bode).
Los capacitores ms grandes determinan la
frecuencia de corte inferior (son los capacitores del
circuito)
Los capacitores que se crean en las junturas son los
relativamente ms pequeos y dan las frecuencias
de corte superiores.
En la frecuencia de corte la ganancia es 0,707 del
valor de banda media.
El anlisis de las polarizaciones quedar flotante hasta este
punto, por tanto es necesario ayudarnos de un ejemplo de diseo
y clculo para cubrir los valles de confusiones.
D. Ejemplo de anlisis para Polarizacin Fija
Considrese el circuito de la fig. 13:

Este es el anlisis general de las polarizaciones, varias

frmulas difieren de la forma de conexin y la simplificacin
del circuito al considerar que rd es muy grande por lo que se
representa como un abierto.
C. Respuesta en frecuencia de los amplificadores FETs
Al igual que con los BJT se tienen tres capacitores
elementales que cumplen funciones tanto en AC como en DC,
se tiene el capacitor de la fuente de la seal (CG), el capacitor
de la carga (Cc) y el capacitor de puenteo que es opcional para
mejorar la amplificacin (Cs). Los capacitores entran a

Fig. 13 Circuito para ejemplo de anlisis.

El FET Q1 utilizado presenta una corriente de saturacin de

8 mA y un voltaje de estrangulamiento de -6V. A pesar de la

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predefinicin de los valores de los capacitores stos son

exclusivamente referentes pues se los calcular posteriormente.
El anlisis DC determina el punto Q de polarizacin por lo que:
=
1 2
= 8 (1
)
6
Resultando en,
= 2.588

1
2(1)(767.44 + 1)
= 90.05

Y el condensador de puente es,

1
1.51
= 398.406
1
=
2(1)(398.406)
= 399.47
= 1

= 2.588

Para el anlisis de AC primero calculamos el factor de

transconductancia,

Volviendo a redisear el circuito de la fig. 13 obtenemos el

de la fig. 14(a), las simulaciones de seal estn dadas por la fig.
14(b), las mediciones del punto Q en DC estn en la fig. 14(c)
y finalmente los diagramas de Bode en la fig. 14(d).

2(8)
2.588
(1
)
6
6

= 1.51
Inmediatamente, calculamos la resistencia interna de
drenaje considerando una admitancia de source comn de 20
micro-mhos,
=

1
1
=
= 50
20

Basndose en el modelo de AC, consideramos:

(a)

= = 1
Calculando la impedancia de salida,
= , rd >> 10RD
=
= 767.44
La ganancia est dada por,
=

(b)

1 +

= 1.98

(c)

Finalmente, para el anlisis en frecuencia se determinarn

los condensadores para que el circuito trabaje en la frecuencia
de corte y proceda a la amplificacin de la seal. Considrese a
frecuencia de corte de 1KHz entonces,
=

1
2(1)(1 + 50)
= 159.14

El condensador de la carga es,

(d)
Fig. 14 Ejemplo de Polarizacin Fija: (a) Esquema rediseado, (b)
Simulacin de ondas, (c) Mediciones del punto Q, (d) Bodes.

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B. Amplificadores con MOSFET enriquecimiento

III. AMPLIFICADORES CON MOSFET

A. Amplificadores con MOSFET empobrecimiento
Al igual que el JFET estos dispositivos tienen la misma
transconductancia con la diferencia que en los de canal n el
VGSQ puede ser positivo lo que resulta en un valor de gm mayor
a gm0.
= 0 (1

0 =

En este tipo de dispositivo la ecuacin de Shockley ya no es

aplicable dada que su curva de transferencia universal es
opuesta a la del MOSFET empobrecimiento. Ahora la ecuacin
que gobierna este tipo de transistor es la ecuacin del trodo:
= ( () )

2
||

Ejemplo de polarizacin con partidor de tensin

En la fig. 15 se tiene el esquema de circuito y su modelo

equivalente en AC. Por tanto las deducciones de las ecuaciones
caractersticas son:

()
(() )2

Con la misma consideracin

transconductancia tenemos,

As, su circuito equivalente es el mismo que el del transistor

JFET por lo que el anlisis AC o DC es muy similar. A
continuacin se detallar las similitudes con un ejemplo de
aplicacin.

para

el

factor

de

= 2( () )
Por tanto el anlisis de las polarizaciones sigue siendo el
mismo pero las ecuaciones variarn en tanto con la ecuacin
obtenida.

Configuracin de realimentacin de Drain

= 1||2
= ||
= (||)
=

(a)

= (||)

(b)
Fig. 16 Realimentacin de Drain: (a) Esquema electrnico, (b)
modelo equivalente AC.

El anlisis para Zi es como sigue,

(a)

||
=
= (||)( )
(||)( )
=
=

[1 + (||)] = [ + ||]

+ ||
=
=
1 + (||)
= +

(b)
Fig. 15 Partidor de tensin con MOSFET: (a) Esquema electrnico,
(b) Equivalente AC.

Para el anlisis de Zo utilizamos el equivalente con Vi=0 y

gmVgs=0 por lo que,

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= ||||
Para determinar la ganancia de voltaje, considrese la LCK
en el nodo D,

C2
R2
10M

10F
Q1
2N7000G

C1

= +
||

= +

||
1
1
1
[
+
] = [
]
||

10nF

Fig. 18 Ejemplo de realimentacin de Drain.

Los datos de fbrica y datos de polarizacin CD del

transistor MOSFET son:

1
[
]

=
=
1
[ 1
+
]
||

V1
12V

R1
2k

Partidor de Tensin

ID(encendido)=6mA
VGS(encendido)=8V
=3V
Yos=20S

k=0.24 103 [ 2 ]

=6.4V
=2.75mA

Los clculos correspondientes son como siguen;

= 2(0.24 103 )(6.4 3)
= 1.63

(a)
=

(b)
Fig. 17 Partidor de Tensin: (a) Esquema electrnico, (b) modelo
equivalente AC.

El anlisis para Zi es como sigue,

1
1
=
= 50
20

+ ||
=
=
1 + (||)

1
1 1
+ )
50 2
1
1 1
1 + (1.63) (
+ )
50 2
10 + (

= 2.42

= 1||2

= ||||

Para el anlisis de Zo utilizamos el equivalente con Vi=0 y

gmVgs=0 por lo que,

1
1
1 1
= (
+
+ )
10 50 2

= ||

= 1.92

Para determinar la ganancia de voltaje, que Vgs=Vi,

=
= (||)

Ejemplo de anlisis para realimentacin de drain

= (||||)
1
1
1 1
= (1.63) (
+
+ )
10 50 2
= 3.21
C. Amplificadores en Cascada

Considrese el circuito de la fig. 18, se pide determinar Zi,

Zo, y Av.

La nica consideracin especial para estos amplificadores

es que al igual que los BJT la ganancia total es el producto de

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cada etapa incluidos los efectos de carga de la siguiente etapa.

Por tanto,
= 1 2 = (11)(2)
= 1 2 1 2

9
Velocidad
de
(MOSFET+BJT)

conmutacin

media

Las consideraciones especiales acerca de este dispositivo es

no sobrepasar los voltajes o corrientes lmites ya que se activan
elementos parsitos que son un transistor parsito y una
resistencia parasita pero con el primero ocurre que puede
ocurrir la conduccin a pesar de sobrepasar los lmites
resultando en un paso no deseado de corriente muy elevada lo
que puede ocasionar graves daos en el circuito.

Fig. 19 Ejemplo de amplificadores en cascada.

IV. TRANSISTORES IGBT

El IGBT es un dispositivo que tiene las caractersticas de
conduccin de salida de un BJT per es controlado por un voltaje
como un MOSFET. Este dispositivo es la fusin de un transistor
BJT con un MOSFET lo que resulta en la capacidad de manejar
grandes potencias, constituyendo una excelente opcin para
aplicaciones de conmutacin de altos voltajes y corrientes.

Fig. 22 Presencia de elementos parsitos en el IGBT.

V. CONCLUSIONES

Fig. 20 Transistor IGBT (smbolo).

Una curva caracterstica que diferencia las aplicaciones de

los IGBT con los MOSFET es como la que se muestra en la fig.
21 donde se hace especial nfasis en la alta capacidad para
manejar voltajes a altas frecuencias.

Fig. 21 Curva caracterstica de IGBT vs MOSFET.

Las ventajas de estos dispositivos aparte de las ya

mencionadas son:
Alta resistencia de entrada (MOSFET)
Bajo voltaje de saturacin (BJT)

La amplificacin de seales es un tema de alto inters por

sobre todo al momento de considerar las aplicaciones de las
mismas, se tiene una eleccin entre transistores BJT, JFET,
MOSFET, cada uno cubre las desventajas presentadas por los
otros dispositivos pero de igual manera presentan desventajas
as que queda a la eleccin del diseador el uso de un transistor
adecuado.
El anlisis de los amplificadores con FET es muy similar
al de los BJT, pero aparecen nuevos parmetros que
dependen de la curva de transferencia universal del FET.
En los FET la nica polarizacin que posee cambio de
fase es la de source comn.
Entre MOSFET y FET la diferencia en clculos es la de
determinar la transconductancia.
Debido a la alta impedancia entre el terminal G y S la
impedancia de entrada equivale a un circuito abierto.
La carga y la seal siempre reducirn la ganancia por
debajo de la ganancia sin carga.
En AC los MOSFET de tipo enriquecimiento hay que
tener en cuenta que la entrada no se conecta con el source
en el circuito.
Primordialmente cuando se va realizar un amplificador
con FETS hay que determinar de qu tipo es ya que en
uno de ellos el parmetro de control de la fuente de
corriente varia debido a que su comportamiento a nivel
semiconductor lo hace.
Cuando se analiza el comportamiento AC de un mosfet
de tipo enriquecimiento hay que tener en cuenta que la
entrada no se conecta con el source en el circuito
equivalente debido a la alta impedancia de entrada del
circuito, lo que en algunos casos nos presentara otras

Universidad Politcnica Salesiana. Amplificadores con MOSFET.

condiciones diferentes a las de un JFET o MOSFET de

tipo empobrecimiento.
Los transistores IGBT son adecuados cuando se manejan
altos voltajes y altas corrientes a cualquier frecuencia.
Los IGBT son la combinacin de un MOSFET (para el
control por voltaje) y un BJT (para el manejo de la
corriente).
REFERENCIAS

[1] Boylestad Robert, Teora de dispositivos electrnicos.

Editorial: Pearson. Edicin: 10.
[2] Floyd, Dispositivos Electrnicos. Editorial: Pearson. Edicin:
10.
[3] Transistor
IGBT.
(On-line).
Available
on:
http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_IGBT (Recuperado
en: nov, 05 de 2015)

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