TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

(BJT)
El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado slido. Fue
inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen
y W. Brattain (que recibieron el premio Nobel en 1956). Tambin se suele
denominar por sus siglas inglesas BJT (bipolar junction transistor).
El BJT es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se
debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos),
y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones.

ESTRUCTURA FSICA
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones
semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN).
Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es
decir, si el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y el colector
tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el
emisor es tipo N, entonces la base ser P y el colector N, dando lugar a
un transistor bipolar tipo NPN.

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se

difunden impurezas, de forma que se obtengan las tres regiones antes
mencionadas. Estas tres regiones que se forman y los terminales
extrados desde ellas se denominan de la siguiente forma:
EMISOR (E): Es una regin muy dopada. Su nombre se debe a que
funciona como emisor de los portadores de carga. Cuanto ms dopaje
tenga el emisor, ms cantidad de portadores podr aportar a la
corriente.
BASE (B): Es la regin central, estrecha y poco dopada, que se encarga
de controlar el paso de los portadores. Con estas caractersticas
conseguimos que en esta zona exista poca recombinacin y
prcticamente todos los portadores que proceden del emisor pasen el
colector. Notar que si esta zona no es estrecha, el dispositivo podra no
funcionar como un transistor y hacerlo como si se tratase de dos diodos
en oposicin.
COLECTOR (C): ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las
caractersticas de esta regin tienen que ver con la recombinacin de los
portadores que provienen del emisor.

ECUACIONES DEL DISPOSITIVO

Relacin de corrientes:

En un transistor bipolar uno de los aspectos ms interesantes para su

anlisis y uso es el conocer las relaciones existentes entre sus tres
corrientes.

I E =I B+ I C
donde:

IC

IE

: Corriente de emisor

IB

: Corriente de base

: Corriente de colector

Otras relaciones se pueden obtener definiendo una serie de parmetros

dependientes de la estructura del propio transistor. Definimos los
parmetros y (de continua) como la relacin existente entre la
corriente de colector y la de emisor, o la de emisor y la de base, es
decir:
=

IC
IE

IC
IB

donde:
: Constante de Proporcionalidad

: Factor de ganancia
Operando podemos relacionar ambos parmetros de la siguiente forma:
IC
1I E /

IE
IC
IC
IC
= =
=
I B I EI C

En general el parmetro ser muy prximo a la unidad (la corriente de

emisor ser similar a la de colector, ya que la corriente de base es muy
pequea) y el parmetro tendr un valor elevado (normalmente >
100).

Relacin de voltajes:
V CE =V CB +V BE
V CE

donde:

: Voltaje colector emisor

V CB

: Voltaje colector base

V BE

: Voltaje base colector

Para un transistor de silicio:

V BE =0.7 V

Para un transistor de germanio:

V BE =0.3 V

CURVA CARACTERSTICA DEL TRANSISTOR

I C = I E + I CO

RECTA DE CARGA Y PUNTO Q

En la figura se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q
del transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ.
Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada
recta de carga esttica.
Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la
IC con la VCE.

Para hallar la ecuacin de la recta de carga, tomamos el circuito de

salida:
V CC =V CE + I C R C
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del
transistor se selecciona dos puntos:
a)

V CE =0

b)

I C =0

, entonces
, entonces

I C =V CC / RC
V CE =V CC

Estos puntos representan los cortes de la recta de carga esttica con los
de ejes.
Para hallar el punto Q, planteamos las siguientes ecuaciones:

I BQ=

V CC V BE
RB

I CQ = I BQ
V CEQ =V CCI CQ R C

REGIONES DE FUNCIONAMIENTO DEL BJT

En la regin Activa o de Trabajo, el BJT se comporta como un
amplificador de seal.
En la regin de Corte nicamente circulan las corrientes inversas de
saturacin de las uniones. Es casi un interruptor abierto.
En la regin de Saturacin, la tensin a travs de la unin de colector
es pequea, y se puede asemejar a un interruptor cerrado.

TRANSISTOR BJT COMO AMPLIFICADOR

La funcin amplificadora consiste en elevar el nivel de una seal
elctrica que contiene una determinada informacin. Esta seal en
forma de una tensin y una corriente es aplicada a la entrada del
elemento amplificador, originndose una seal de salida conteniendo la
misma informacin, pero con un nivel de tensin y corriente, ms
elevado.

El transistor sea PNP NPN es capaz de amplificar corriente, es decir,

que a una determinada intensidad aplicada en uno de sus terminales de
entrada responde con una corriente mayor en el de salida. A travs de
esta forma de trabajo se puede obtener amplificacin de tensin.
El punto de trabajo debe situarse aproximadamente en el centro de la
recta de carga.
Si se desplaza a la zona de saturacin la intensidad de colector se hace
mxima y deja de responder a los incrementos de intensidad de base.
Si se desplaza a la zona de corte la intensidad de colector se hace cero y
el transistor no conduce.
Entre el corte y la saturacin, el transistor funciona como amplificador,
ya que, a cada intensidad de base (del orden de microamperios)
corresponde una intensidad de colector amplificada (del orden de
miliamperios).

AMPLIFICADOR DE EMISOR COMN

Una de las etapas amplificadoras que ms se utilizan en la prctica es la
que se denomina de emisor comn, en ella se observa que el terminal
de emisor se emplea tanto para la entrada como para la salida. La

entrada de la seal se realiza por la base y la salida se obtiene del

colector.

Caractersticas:

Produce ganancia de corriente y de voltaje.

Posee una impedancia de entrada baja.
Posee una impedancia de salida alta.
Desfasa la seal en 180.

MODELO HBRIDO
Los parmetros

dependen del punto Q.

Los parmetros

dependen tambin de la temperatura.

Si las variaciones alrededor del punto de operacin (punto Q) son

pequeas, los parmetros del transistor pueden considerarse
constantes.
Los parmetros hbridos son especificados por el fabricante.

Donde los parmetros h son:

hie =

V be
ib

h =

V be
V ce

h fe=

ic
ib

hoe =

ic
conductancia de salida con entradaen circuito abierto .
V ce i =0

resistencia de entrada con salida cortocircuitada.

V ce=0

amplificacininversa de tensin con ciruitode entrada abierto .

ib=0

ganancia de corriente con salida cortocircuitada.

V ce =0

AMPLIFICADOR BASE COMN

Este tipo de amplificador es usado para trabajar con altas frecuencias.
La amplificacin en base comn presenta como terminal comn para la
entrada y la salida a la base. La entrada se realiza por el emisor y la
salida por el colector. La ganancia de corriente es muy baja.

Caractersticas:

Produce ganancia de voltaje.

Posee una baja impedancia de entrada.
Posee una alta impedancia de salida.
No desfasa la seal.

MODELO HBRIDO

hie =

V be
ib

h =

V be
V ce

resistencia de entrada con salida cortocircuitada.

V ce=0

ib=0

amplificacininversa de tensin con ciruito de entrada abierto .

h fe=

ic
ib

hoe =

ic
conductancia de salida con entradaen circuito abierto .
V ce i =0

ganancia de corriente con salida cortocircuitada.

V ce =0

AMPLIFICADOR COLECTOR COMN

Tambin llamada esta etapa seguidor de emisor o acoplador de
impedancia debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una
baja impedancia de salida. Tiene la entrada de seal por la base y la
salida por el emisor, siendo el terminal comn para entrada y salida el
de colector. No existe ganancia de tensin.
Esta etapa se caracteriza por su alta impedancia o resistencia de
entrada y por ser la salida muy baja. Esto implica una considerable
ganancia de corriente, ya que la seal de entrada, que tendr un
determinado nivel de tensin, slo va a emplear una dbil corriente en
excitar a la etapa por su alta resistencia. En la salida la situacin ser
diferente porque el transistor va a entregar la corriente necesaria a la
resistencia de emisor Re para que aparezca sobre ella la misma tensin
que la de entrada.

Caractersticas:

Produce ganancia de voltaje.

Posee una baja impedancia de entrada.
Posee una alta impedancia de salida.
No desfasa la seal.

MODELO HBRIDO

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

DE UNIN (JFET)
Con los transistores bipolares observbamos como una pequea
corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de
colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en
los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan
como amplificador suministran una corriente de salida que es
proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas
generales:
Por la terminal de control no se absorbe corriente.
Bajo nivel de ruido.
Mayor estabilidad trmica.
Una de las caractersticas ms importantes de los JFET es su alta
impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno
hasta varios cientos de megahmios, muy superiores a la que presentan
los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del
orden de unos pocos kilohmios. Esto proporciona a los FET una posicin
de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Es un componente de
tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Surtidor (S, Source),
y Drenador (D, Drain). Lo que hace el JFET es controlar la cantidad de
corriente que circula entre el drenador y el surtidor, esa corriente se
controla mediante la tensin que exista entre la puerta y el surtidor.
De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos
npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de
transistores JFETs de canal n y de canal p.

ESTRUCTURA BSICA
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
JFET de canal n
JFET de canal p

Smbolos:

Como podemos observar, la diferencia en el smbolo entre ambos tipos

reside en el sentido de la flecha del terminal de puerta (G). En el JFET de
canal n el terminal de puerta se representa con una flecha entrante al
dispositivo, mientras que en el de canal p es saliente. Recordar que el
sentido de la flecha indica el sentido de circulacin de la corriente si la
unin pn correspondiente estuviera polarizada en directa.

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se
polarizan aplicando una tensin positiva entre drenador y surtidor (VDS)
y una tensin negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta forma, la
corriente circular en el sentido de drenador a surtidor. En el caso del
JFET de canal p la tensin VDS a aplicar debe ser negativa y la tensin
VGS positiva, de esta forma la corriente fluir en el sentido del surtidor
hacia el drenador.

CURVAS CARACTERSTICAS DEL JFET

En las curvas caractersticas de la podemos distinguir 4 zonas bien
diferenciadas:

Zona de corte o de no conduccin

Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la

corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se da para
V GS V GSoff
valores de
, donde el canal est completamente cerrado.

Zona hmica o de no saturacin

Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando
V DS V GSV GSoff
. Para estos valores de tensin el canal se va
estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al
V DSat
estrangulamiento completo para
.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una
resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para
valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al
V DSat
valor de
, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad
debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.

Zona de saturacin o de corriente constante.

Esta zona se da para valores

V DS >V DSat

. Ahora la corriente ID

permanece invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la

hiptesis de canal largo) y slo depende de la tensin VGS aplicada. En
esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente
controlada por la tensin de puerta VGS.

La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por

el canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:
I D =I DSS

V
1 GS
V GSoff

Zona de ruptura.
En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa,
tanto ms cuanto menor sea el valor de VGS. Tal y como vimos al
abordar el estudio de la unin p-n en el tema 2 cuando una unin p-n la
polarizamos en inversa, la zona de carga de espacio aumenta. Sin
embargo, esta tensin inversa no se puede aumentar indefinidamente,
ya que si se supera un determinado valor (tensin de ruptura,
caracterstico de cada unin y que suele ser proporcionado por el
fabricante en sus hojas de caractersticas) la unin se perfora,
producindose la ruptura del dispositivo.

CONFIGURACIONES Y MODELOS HBRIDOS

PUERTA COMN

MODELO HBRIDO

DRENADOR COMN

MODELO HBRIDO

SURTIDOR COMN

MODELO HBRIDO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

METAL XIDO SEMICONDUCTOR (MOSFET)
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET
(en ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un
transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el
transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en
circuitos analgicos o digitales.
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field
Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos
estriba en que, en los MOS, la puerta est aislada del canal,
consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea
muy pequea, prcticamente despreciable.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S,
Source), drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Body). Sin
embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al
terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales. Existen dos tipos de transistores MOSFET:
MOSFET de acrecentamiento o de enriquecimiento
MOSFET de agotamiento o empobrecimiento

MOSFET DE ACRECENTAMIENTO
Smbolos:

Debemos notar dos aspectos significativos del smbolo, en primer lugar

que el terminal de puerta no tiene conexin con el resto de terminales,
est aislado elctricamente del resto del dispositivo. En segundo lugar
que los terminales de drenador y surtidor estn unidos a travs de una
lnea discontinua, esta lnea hace referencia al canal que se va a formar
y que veremos ms adelante. De nuevo, la flecha indica el sentido en
que circulara la corriente en el caso de que la unin pn estuviera
polarizada en directa.

POLARIZACIN DEL MOSFET DE ACRECENTAMIENTO

Los transistores MOSFET de acumulacin de canal n se polarizan

aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente (VDS) y una

tensin positiva entre puerta y surtidor (VGS). De esta forma, la

corriente circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del
MOSFET de acrecentamiento de canal p la tensin VDS a aplicar debe
ser negativa y la tensin VGS negativa, de esta forma la corriente fluir
en el sentido de la fuente hacia el drenador.
CURVAS CARACTERSTICAS

Podremos distinguir las 4 zonas de funcionamiento del transistor.

Zona de corte o de no conduccin

Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la
corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se da para
valores de VGS VT, donde el canal no est completamente formado.

Zona hmica o de no Saturacin

Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando
VDS VGS - VT Para estos valores de tensin el canal se va estrechando
de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al
estrangulamiento completo para VDSsat.

En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una

resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para
valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al
valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad
debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.

Zona de saturacin o de corriente constante

Esta zona se da para valores VDS > VDSsat . Ahora la corriente ID
permanece invariante frente a los cambios de VDS y slo depende de la
tensin VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una
fuente de corriente controlada por la tensin de puerta VGS.
La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por
el canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:
I D =K ( V GSV T )

Zona de ruptura
Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos. Bien porque se
perfora el dielctrico cuando la tensin VGS supera una determinado
valor que vendr determinado por el aislante, o bien porque en la unin
pn del lado del drenador (polarizada en inversa) se supera el valor de la

tensin de ruptura de dicha unin, dado que esta unin est polarizada
con una tensin inversa de valor VDS la ruptura se producir cuando
VDS Vr con independencia del valor de VGS, por tanto en la zona de
ruptura todas las distintas curvas en funcin de VGS se juntan en una
nica.

MOSFET DE AGOTAMIENTO
Smbolos:
Al igual que en el caso anterior el terminal de puerta no tiene conexin
con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto
anteriormente, est aislado elctricamente del resto del dispositivo.
Pero, a diferencia del caso anterior, en el MOSFET de acumulacin los
terminales de drenador y fuente estn unidos a travs de una lnea
continua, esta lnea hace referencia al canal que ahora si que existe
desde un principio. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circulara
la corriente en el caso de que la unin pn estuviera polarizada en
directa.

POLARIZACIN DE MOSFET DE AGOTAMIENTO

Los transistores MOSFET de deplexin de canal n se polarizan aplicando
una tensin positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin entre
puerta y fuente (VGS) que puede ser negativa o positiva, segn veremos
al analizar el funcionamiento del dispositivo. De esta forma, la corriente
circular en el sentido de drenador a fuente. En el caso del MOSFET de
acumulacin de canal p la tensin VDS a aplicar debe ser negativa y la
tensin VGS positiva o negativa, de esta forma la corriente fluir en el
sentido de la fuente hacia el drenador

CURVA CARACTERSTICA
De nuevo las curvas caractersticas para el transistor MOSFET de
deplexin (en este caso de canal n) son en esencia iguales a las vista
hasta ahora. Indicar que en este caso, cuando la tensin VGS aplicada es
cero, a la corriente por el dispositivo se le denomina IDSS por analoga al
caso del JFET, sin embargo, en este caso no se trata de la mxima
corriente que podemos extraer del dispositivo.

Por ltimo, recordar lo que ya dijimos para el transistor BJT, en cualquier

caso el funcionamiento del transistor debe estar siempre dentro de la
zona marcada por las caractersticas propias del transistor. Es decir no

se deben superar los lmites de IDmx, ni de VDS mx ni por supuesto la

curva de la potencia mxima.
SURTIDOR COMN

MODELO HBRIDO

http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm
http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/materialde-clase-1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
http://es.slideshare.net/Jomicast/el-transistor-como-amplificador13275662
http://unicrom.com/punto-trabajo-q-recta-carga-estatica-transistor/
http://es.slideshare.net/veroqa/lminas-explicativas
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-deCampo.php
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_de_campo_metal%C3%B3xido-semiconductor
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_
gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
http://es.slideshare.net/armandorob/electronica-analisis-a-pequea-sealfet