Este documento presenta el diseño de un amplificador multietapa con tres etapas. La primera y segunda etapa son emisor común (seguidor) y la tercera es colector común (seguidor). Se utilizan ecuaciones de diseño para calcular los valores de resistencias que logren una ganancia total entre 10 a 13 veces. El documento incluye un análisis detallado de cada etapa donde se calculan los valores de resistencias para cumplir con los parámetros deseados de ganancia, voltajes y corrientes.
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Este documento presenta el diseño de un amplificador multietapa con tres etapas. La primera y segunda etapa son emisor común (seguidor) y la tercera es colector común (seguidor). Se utilizan ecuaciones de diseño para calcular los valores de resistencias que logren una ganancia total entre 10 a 13 veces. El documento incluye un análisis detallado de cada etapa donde se calculan los valores de resistencias para cumplir con los parámetros deseados de ganancia, voltajes y corrientes.
Este documento presenta el diseño de un amplificador multietapa con tres etapas. La primera y segunda etapa son emisor común (seguidor) y la tercera es colector común (seguidor). Se utilizan ecuaciones de diseño para calcular los valores de resistencias que logren una ganancia total entre 10 a 13 veces. El documento incluye un análisis detallado de cada etapa donde se calculan los valores de resistencias para cumplir con los parámetros deseados de ganancia, voltajes y corrientes.
Este documento presenta el diseño de un amplificador multietapa con tres etapas. La primera y segunda etapa son emisor común (seguidor) y la tercera es colector común (seguidor). Se utilizan ecuaciones de diseño para calcular los valores de resistencias que logren una ganancia total entre 10 a 13 veces. El documento incluye un análisis detallado de cada etapa donde se calculan los valores de resistencias para cumplir con los parámetros deseados de ganancia, voltajes y corrientes.
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DISEO DE AMPLIFICADOR MULTIETAPAS
PRESENTADO POR: PABLO ANDRES GUERRERO PALACIOS CODIGO. 1091077
PRESENTADO A : ING. KARLA PUERTO LOPEZ
UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER
FACULTAD DE INGENIERIA INGENIERIA ELECTRONICA ELECTRONICA I SAN JOSE DE CUCUTA 2015 INTRODUCCION
Los transistores son dispositivos semiconductores capaces de amplificar una
seal con las mismas caractersticas de la seal amplificada. La disposicin de estos transistores hace que esta amplificacin se ajuste a diferentes necesidades.
Se disear un amplificador multietapa para conseguir una ganancia (Av.)
equivalente con una variacin entre 10 a 13. Se utilizarn las ecuaciones de diseo para encontrar los valores de ganancia deseados. OBJETIVOS
Objetivo General
Disear, implementar y evaluar un amplificador multietapa.
Objetivos Especficos
Disear y evaluar amplificadores multietapas discretos e integrados empleando
las diferentes tcnicas de variacin de la ganancia
Utilizar ORCAD 16.3 Para la simulacin de cada uno de los parmetros ms
importantes de los amplificadores multietapas. MARCO TEORICO
Amplificador Multietapa es un circuito capaz de procesar las seales de
acuerdo a la naturaleza de la aplicacin. El amplificador sabr extraer informacin de toda seal, de tal manera, que permita mantener o mejorar las caractersticas del sensor o transductor utilizado nuestra aplicacin. Por ejemplo: Si la aplicacin est inmersa en algn tipo de ruido, el amplificador no deber amplificar el ruido, es ms, debe atenuarlo de toda la seal y/o del medio imperante. Un criterio universal al plantearse el diseo de un amplificador, consiste en, seleccionar la primera etapa de este como un pre amplificador, es decir, como un amplificador que permita preparar adecuadamente la fuente de seal para ser posteriormente procesada y amplificada. Una segunda etapa, consistir netamente en obtener amplificacin de o las variables involucradas. En muchos casos, y con el fin de evitar niveles de saturacin, se reserva ms de una etapa para esta tarea. Por regla general, la etapa final ser exclusivamente una etapa de potencia. Esta etapa, es en realidad la que permite la materializacin de nuestra aplicacin en un ambiente completamente ajeno a las pequeas seales. DISEO DEL AMPLIFICADOR MULTIETAPAS
El diseo est conformado por tres etapas de las cuales dos de ellas son colector comn y una emisor comn, acopladas como se muestra en el siguiente esquema:
EMISOR EMISOR 100 mVp COMUN COMUN (INVERSOR) (INVERSOR)
COLECTOR 1-1.3 Vp COMUN (SEGUIDOR)
ANALISIS DEL AMPLIFICADOR MULTETAPAS
1. ETAPA 1: EMISOR COMUN (SEGUIDOR)
Para el anlisis de la primera etapa del multietapas se asumi la corriente de vcc colector (Ic) y el voltaje colector-emisor (Vce) como 2 , con un transistor de beta igual a 164 medido con el multmetro.
(Ic= 0.6mA ; Vcc= 12v ; Vce= 6V ; = 164 ; Av= -3)
De acuerdo a los datos asumidos iniciamos con el anlisis de la malla externa
por LVK.
VccRcIcVceReIe=0
Como Ie es aproximadamente Ic ( Ie Ic )
VccRcIcVceReIc =0
Despejamos Rc y Re
VccVce Rc+ = Ic
Reemplazamos los valores y despejamos Re
126 = Rc (0.6 mA )
=10 kRc
Hallamos R
Vt ( 25 x 10 ) ( 164 ) 3 R= = Ic ( 0.6 x 103 )
R=6.38 K
Con la ganancia de salida asumida hallamos Rc
Vo=IbRc Vin Ib= R + ( +1)
Vo Rc Av = = Vin R+ ( +1)
Rc Av = R + ( +1)
=10 kRc
Av (R + ( +1 ) (10 kRc))=Rc
AvR+ Av((10 kRc) ( +1 ))=Rc
AvR+ Av( ( 10 kRc ) ( +1 ) )=Rc
AvR+ Av( ( 10 kRc ) ( +1 ) )=164 ( Rc )
36.83 k 3( ( 10 kRc )( 165 )) =164 ( Rc )
36.83 k 3 ( ( 1.65 M 165 Rc ) )=164 ( Rc )
20.49 k 4.95 M +495 Rc=164 ( Rc )
659 Rc=4.97 M
4.97 M Rc= 6597
Rc=7.5 k
Resistencia comercial 8.2k
Una vez hallado Re podemos hallar Re
=10 k 8.2 k =1.8 k
Hacemos un LVK para determinar Vc.
VccRcIcVc=0
Vc=VccRcIc
Vc=12( 8.2 k ) ( 0.6 x 103 )
Vc=7.08V
Por medio del voltaje colector-emisor (Vce) hallamos Ve
Vce=VcVe
Ve=VcVce
Ve=7.08V 6 V
Ve=1.08V
Por medio del voltaje base-emisor (Vbe) hallamos Vb
Vbe=VbVe
Vb=Vbe+Ve
Vb=0.7 V +1.08 V
Vb=1.78 V
El voltaje de base hallada va ser igual al voltaje Thevenin (Vb=Vth)
VccR 2 Vth= R 1+ R 2 Vth R2 = Vcc R 1+ R 2
R1 R 2 Rth= R 1+ R 2
Rth R2 = R 1 R 1+ R 2
Igualamos ambas ecuaciones y despejamos R1
Vth Rth = Vcc R1
Vcc R 1=Rth Vrt
Rth la hallamos con la siguiente ecuacin
Rth=0.1 Re=0.1 (164 ) ( 1.8 k )
Rth=29.52 k
Ahora hallamos R1
12 V R 1=( 29.52 k ) 1.78 V
R 1=199 k
Resistencia comercial 220k
Con la formula de Rth despejamos y hallamos R2
R1 R 2 Rth= R 1+ R 2 RthR 1 R 2= R 1Rth
( 29.52k ) ( 199 k ) R 2= ( 199 k )( 29.52 k )
R 2=34.66 k
Resistencia comercial 33k
2. ETAPA 2: EMISOR COMUN (SEGUIDOR)
Para el anlisis de la segunda etapa del multietapa se asumi la corriente del vcc colector (Ic) y el voltaje colector-emisor (Vce) como 2 , con un transistor
de beta igual a 164 medido con el multmetro. Para esta etapa repetimos el mismo proceso que la etapa anterior.
(Ic= 0.6mA ; Vcc= 12V ; Vce= 6V ; = 164 ; Av= -4)
De acuerdo a los datos asumidos iniciamos con el anlisis de la malla
externa.
LVK: VccRcIcVceReIe=0
Como Ie es aproximadamente Ic ( Ie Ic )
VccRcIcVceReIc =0
Despejamos Rc y Re VccVce Rc+ = Ic
Reemplazamos los valores y despejamos Rc
126 Rc= (0.6 mA ) Rc=10 k
Hallamos R
Vt R= Ic
( 25 mV )( 164 ) Rth= ( 0.6 mA )
R=6.85 k
Con la ganancia de salida asumida hallamos Rc
Vo=IbRc
Vin Ib= R + ( +1)
Vo Rc Av = = Vin R+ ( +1)
Rc Av = R + ( +1)
=10 kRc
Av (R + ( +1 ) (10 kRc))=Rc
AvR+ Av((10 kRc) ( +1 ))=Rc
AvR+ Av( ( 10 kRc ) ( +1 ) )=Rc
AvR+ Av( ( 10 kRc ) ( +1 ) )=164 ( Rc )
46.83 k 4( ( 10 kRc )( 165 ) ) =164 ( Rc )
46.83 k 4( ( 1.65 M 165 Rc ) ) =164 ( Rc )
27.3 k 6.6 M +660 Rc=164 ( Rc )
624 Rc=6.62 M
6.62 M Rc= 624
Rc=8.04 k
Resistencia comercial 8.2k
Una vez hallado Re podemos hallar Re
=10 k 8.2 k
=1.8 k
Hacemos un LVK para determinar Vc.
VccRcIcVc=0
Vc=VccRcIc
Vc=12( 8.2 k ) ( 0.6 x 103 )
Vc=7.08V
Por medio del voltaje colector-emisor (Vce) hallamos Ve
Vce=VcVe
Ve=VcVce
Ve=7.08V 6 V
Ve=1.08V
Por medio del voltaje base-emisor (Vbe) hallamos Vb
Vbe=VbVe
Vb=Vbe+Ve
Vb=0.7 V +1.08 V
Vb=1.78 V
El voltaje de base hallada va ser igual al voltaje Thevenin (Vb=Vth)
VccR 2 Vth= R 1+ R 2
Vth R2 = Vcc R 1+ R 2
R1 R 2 Rth= R 1+ R 2
Rth R2 = R 1 R 1+ R 2 Igualamos ambas ecuaciones y despejamos R1
Vth Rth = Vcc R1
Vcc R 1=Rth Vrt
Rth la hallamos con la siguiente ecuacin
Rth=0.1 Re=0.1 (164 ) ( 1.8 k )
Rth=29.52 k
Ahora hallamos R1
12 V R 1=( 29.52 k ) 1.78 V R 1=199 k
Resistencia comercial 220k
Con la formula de Rth despejamos y hallamos R2
R1 R 2 Rth= R 1+ R 2
RthR 1 R 2= R 1Rth
( 29.52k ) ( 199 k ) R 2= ( 199 k )( 29.52 k )
R 2=34.66 k
Resistencia comercial 33k
3. ETAPA 3: SEGUIDOR EMISOR COMUN
Para el anlisis de la tercera y ultima etapa del multietapa se asumi la vcc corriente del colector (Ic) y el voltaje colector-emisor (Vce) como 2 , con un transistor de beta igual a 276 medido con el multmetro.
(Ic= 3mA ; Vcc= 12V ; Vce= 6V ; = 160)
Ic Ib=
3 mA Ib= 160
Ib=18.75uA
De acuerdo a los datos asumidos iniciamos con el anlisis de la malla externa
para hallar la resistencia del emisor (Re).
VccVceReIe=0
Como Ie es aproximadamente Ic ( Ie Ic )
VccVce = Ic
12 V 6 V = ( 3 mA )
=2 k
Resistencia comercial 2.2k
Hallamos Rth con la siguiente ecuacin
Rth=0.1 Re
Rth=0.1 ( 160 ) ( 2.2 k )
Rth=35.2 k Hallamos Vth con la siguiente ecuacin
Vth=RthIb+ 0.7+ Ic
Vth=35.2k18.75 uA+ 0.7+2.2 k3 mA
Vth=7.96 V
R2 Vth=Vcc R 1+ R 2
Vth R2 = Vcc R 1+ R 2
Vth R 1= R2 Vcc
12V R 1= R2 7.96 V
R 1=1.5R 2
Hallamos R1
1 1 1 Rth=( + ) R1 R2
1 1 1 35.2 k=( + ) 1.5R 2 R 2
R 2=58.66 k
Resistencia comercial 51k
Despejamos R1 de la ecuacin anterior
R 1=1.5R 2
R 1=76.5 k
Resistencia comercial 82k
Hallamos R
Vt ( 25 mV )( 160 ) R= = Ic ( 3 mA )
R=1.33 k
Una vez hallada las resistencias hallamos la ganancia de voltaje del
seguidor
( +1 ) Av = R + ( +1 )
( 161 ) ( 2.2 k ) Av = ( 1.33 k )+ (161 ) ( 2.2 k )
Av =0.996 MULTIETAPAS CON RESISTENCIAS COMERCIALES
SIMULACIONES DEL MULTIETAPA
VOLTAJES
CORRIENTES
GANANCIA DE VOLTAJE IMPEDANCIA DE ENTRADA
IMPEDANCIA DE SALIDA TABLA DE DATOS COMPARATIVOS
ETAPA1 VARIABLE TEORICO SIMULADO EXPERIMENTAL Ic 0.6mA 0.46mA 0.53mA Vce 6V 7.3V 6.8V Av 3 4.04 4
ETAPA2 VARIABLE TEORICO SIMULADO EXPERIMENTAL Ic 0.6mA 0.46mA 0.53mA Vce 6V 7.3V 6.8V Av 4 4.04 4
ETAPA3 VARIABLE TEORICO SIMULADO EXPERIMENTAL Ic 3mA 1.583mA 1.84mA Vce 6V 8.5V 8V Av 0.996 0.992 0.994
CONCLUSIONES Se evidenci que una mnima variacin de los valores de las resistencias o voltajes en las fuentes, causa grandes variaciones en los valores de ganancia de nuestro diseo.
Los clculos y simulaciones en Orcad 16.3, permiti observar las
caractersticas de cada elemento, y as poder tener una idea de dichos elementos para poderlo llevar a la prctica.
