PROPIEDADES TERMICAS:

Se sabe que los materiales cambian sus propiedades con la temperatura. En la mayora de
los casos las propiedades mecnicas y fsicas dependen de la T a la cual el material se usa
o de la T a la cual se somete el material durante su procedimiento.

Coeficiente de dilatacin trmica:

Al aumentar la temperatura, los tomos vibran con mayor amplitud alrededor de su posicin
de equilibrio, provocando un incremento en la distancia interatmica d0de equilibrio, y por
tanto haciendo aumentar las dimensiones del material.
El cambio de dimensin dL por unidad de longitud y por grado centgrado (o absoluto) de
temperatura est dado por la expresin:

Donde a se define como el coeficiente de expansin trmica o coeficiente de

dilatacin.
El conocimiento del coeficiente de dilatacin permite determinar los cambios dimensionales
que sufre el material como consecuencia de un cambio en su temperatura.

El coeficiente de dilatacin aumenta conforme se reduce la resistencia de los enlaces

atmicos en el slido. Los valores mnimos del coeficiente de dilatacin corresponden, por
tanto, a los materiales cermicos con mayor punto de fusin y los mximos a los polmeros
termoplsticos y elastmeros

Conductividad trmica:
La conductividad trmica k es una propiedad de los materiales que determina la velocidad a
la que el calor se transmite en el material, siendo un factor de mxima importancia en
aplicaciones que involucren la transferencia de calor: moldes de solidificacin,
intercambiadores, pantallas aislantes, etc.
La ecuacin fundamental que regula el flujo de calor Q por unidad de tiempo a travs de una
seccin A, cuando existe un gradiente de temperatura dT/dx, viene dada por la expresin, ya
conocida por fsica fundamental:

TEMPERATURA DE FUSION O CALOR ESPECFICO

Se define la capacidad calorfica o capacidad trmica molar como la energa necesaria para
hacer variar en 1 K la temperatura de un mol de material. En los slidos se trabaja usualmente
con el valor Cp, definido como al capacidad calorfica a presin constante.

Desde el punto de vista de la ingeniera de materiales es ms usual trabajar con el concepto

de calor especfico a presin constante Ce, que se define como la energa necesaria para
hacer variar en 1 K la temperatura de un gramo del material. La relacin entre Ce y Cp viene
dada por:
 Siendo Pa el peso atmico del material.

PROPIEDADES ELECTRICAS:
Las Propiedades elctricas de los materiales son las que determinan el comportamiento de
un determinado material al pasar por l la corriente elctrica. En lneas generales,
la Conductividad es la propiedad que tienen los materiales para transmitir la corriente elctrica,
y la Resistividad es la resistencia que ofrecen al paso de dicha corriente.

Conduccin elctrica:
Es el movimiento de partculas elctricamente cargadas a travs de un medio de
transmisin (conductor elctrico). El movimiento de las cargas constituye una corriente
elctrica. El transporte de las cargas puede ser a consecuencia de la existencia de un campo
elctrico, o debido a un gradiente de concentracin en la densidad de carga, o sea,
por difusin. Los parmetros fsicos que gobiernan este transporte dependen del material en
el que se produzca.
La conduccin en metales y resistencias est bien descrita por la Ley de Ohm, que establece
que la corriente es proporcional al campo elctrico aplicado. Se calcula la conductividad para
caracterizar la facilidad con la que aparece en un material una densidad de corriente (corriente
por unidad de rea) j, definida como:
j=E

O por su recproco la resistividad :

j=E/
La conduccin en dispositivos semiconductores puede darse debido a una combinacin de
campo elctrico (deriva) y de difusin. La densidad de corriente es entonces
j = E + D qn
Siendo q la carga elctrica elemental y n la densidad de electrones. Los portadores se mueven
en la direccin de decrecimiento de la concentracin, de manera que para los electrones una
corriente positiva es resultado de una gradiente de densidad positivo. Si los portadores son
"huecos", cmbiese la densidad de electrones n por el negativo de la densidad de huecos p.
En los materiales linealmente anistropos, , y D son tensores.

Movilidad de cargas:
 Semiconductores tipo P y tipo N:
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con
cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica
(ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en el lugar de
un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no
enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero
de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A
causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar",
son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca
est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene
una carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga
libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y
los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con
tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B,
In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo
tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por
la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se
ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los
huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas
de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
PROPIEDADES MAGNETICAS

El magnetismo es un fenmeno fsico por la que los materiales ejercen fuerzas de atraccin
o repulsin sobre otros. Los electrones, son, por as decirlo, pequeos imanes. En un imn
todos los electrones tienen la misma orientacin creando una fuerza magntica. Un material
magntico, es aquel que presenta cambios fsicos al estar expuesto a un campo magntico.

Tipo de Material Caractersticas

Diamagntico Las lneas magnticas de estos materiales, son opuestas al campo magntico
al que estn sometidos, lo que significa, que son repelidos. No presenta
ningn efecto magntico aparente.
Ej: bismuto, plata, plomo, etc.
Paramagntico Cuando estn expuestos a un campo magntico, sus lneas van en la misma
direccin, aunque no estn alineadas en su totalidad. Esto significa, que
sufren una atraccin similar a la de los imanes.
Ej: aluminio, paladio, etc.
Ferromagntico Son materiales que al estar a una temperatura inferior al valor determinado,
presentan un campo magntico fuerte.
Ej: hierro, cobalto, nquel, etc.

Ciclo de histresis

Cuando a un material ferromagntico se le aplica un campo magntico

creciente Bap su imantacin crece desde O hasta la saturacin Ms, ya que todos los dominios
magnticos estn alineados. As se obtiene la curva de primera imantacin. Posteriormente
si Bap se hace decrecer gradualmente hasta anularlo, la imantacin no decrece del mismo
modo, ya que la reorientacin de los dominios no es completamente reversible, quedando
una imantacin remanente MR: el material se ha convertido en un imn permanente. Si
invertimos Bap, conseguiremos anular la imantacin con un campo magntico coercitivo Bc. El
resto del ciclo se consigue aumentando de nuevo el campo magntico aplicado. Este efecto
de no reversibilidad se denomina ciclo de histresis.

El rea incluida en la curva de histresis es proporcional a la energa disipada en forma de

calor en el proceso irreversible de imantacin y desimantacin. Si este rea es pequea, las
prdidas de energa en cada ciclo ser pequea, y el material se denomina magnticamente
blando.