DIODO

El diodo es la unión de dos materiales semiconductores dopados de tipo n y de tipo p,

formando una unión p-n. Antes de la unión, y considerando cada uno de los materiales
semiconductores por separado, el semiconductor de tipo p tiene una concentración de
huecos mucho mayor que la de electrones y el de tipo n tiene una concentración de
electrones mucho mayor que la de huecos. Además, cada uno de estos materiales
permanece eléctricamente neutro.
El hecho de unir ambos tipos de material provoca un elevado gradiente de concentración
de portadores en las proximidades de la unión observándose por un lado, una corriente de
difusión de huecos de la región p a la n y, por otro, una corriente de difusión de electrones
de la región n a la p. Pero además, la marcha o difusión de estos portadores de su región
inicial deja al descubierto algunos iones fijos en la red cristalina, dando lugar a una región
que contiene átomos ionizados positivamente a un lado y átomos ionizados
negativamente al otro lado llamada zona de agotamiento o región espacial de carga.

Dicha zona de agotamiento es eléctricamente neutra de manera que, si una de las dos
partes (positiva o negativa) tiene una concentración de iones mayor, ésta es más corta. La
presencia de estas cargas fijas da lugar a la aparición de un fuerte campo eléctrico dirigido
desde la zona n hacia la zona p, es decir, desde la zona de carga positiva a la zona de carga
negativa.

En ausencia de polarización, la presencia de este campo eléctrico provoca unas corrientes

de arrastre (de electrones de la zona p a la n y de huecos de la n a la p que atraviesan la
zona de agotamiento "arrastrados" por dicho intenso campo eléctrico) que se oponen a las
de difusión siendo nulas las corrientes netas de electrones y de huecos y, por tanto, no
circula corriente a través del dispositivo. La presencia del campo eléctrico provoca una
diferencia de potencial o barrera de potencial cuyo valor es del orden de 0,3 V en
compuestos de Ge, 0,7 V en compuestos de Si y de 1,2 V a 1,8 V en compuestos de Ga.
(Peña y Castillo, 2009, p1).

El diodo semiconductor se comporta como un interruptor mecánico en el sentido de que

puede controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales. La dirección definida de la
corriente convencional en la región de voltaje positivo corresponde a la punta de flecha
del símbolo de diodo. (Boylestad, 2009, p34).

Con las citas de los dos autores se concluye que los diodos son dispositivos
semiconductores cuya función es la de permitir que la electricidad fluya solo en un
sentido. La flecha del símbolo del diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la
corriente, la principal aplicación práctica de dicha función es la conversión de corriente
alterna (ca) en corriente continua (cc).
Figura 1. Una unión tipo p–n con polarización interna: (a) una distribución de carga interna; (b) un símbolo de diodo,
con la polaridad definida y la dirección de la corriente; (c) demostración de que el flujo de portadores neto es cero en
la terminal externa del dispositivo cuando VD =0 V

CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

Figura 2. Características del diodo semiconductor de silicio.

Condición de polarización en inversa (VD < 0 v) y directa (VD > 0 v)
En polarización directa, la parte p se somete a un potencial positivo respecto de la
reduciéndose la barrera de potencial en dicha cantidad. Se reduce además la anchura de
la zona de agotamiento, la cual depende de la diferencia de potencial a la que está
sometida la unión. La reducción de la barrera de potencial (y por tanto del campo
eléctrico en la unión) permite que los portadores mayoritarios atraviesen la unión
facilitando el proceso de difusión y dando lugar a una corriente mensurable. Se tiene, por
tanto, una inyección de portadores minoritarios, es decir, de electrones en la zona p y de
huecos en la n. Para, en condiciones de polarización directa, obtener una corriente
significativa es necesaria una tensión mínima del orden de dicha barrera de potencial.

En polarización inversa la parte n tiene una tensión positiva aplicada con respecto de la
p. La barrera de potencial se ve aumentada en dicha cantidad viéndose, por tanto, muy
reducidas las corrientes de difusión. Por otra parte, la anchura de la zona de agotamiento
aumenta. El resultado es que únicamente una pequeña corriente inversa o de pérdidas
atraviesa el dispositivo. Se dice que el diodo está cortado. (Peña y Castillo, 2009, p2).

La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de saturación

en inversa y está representada por Is. Las condiciones de polarización en inversa se
ilustran en la figura 2 para el símbolo de diodo y unión p-n. Observe, en particular, que
la dirección de Is se opone a la flecha del símbolo. Observe también que el lado negativo
del voltaje aplicado está conectado al material tipo p y el lado positivo al material tipo n,
y la diferencia indicada con las letras subrayadas por cada región revela una condición de
polarización en inversa. (Boylestad, 2009, p31).

Figura 3. Unión p-n polarizada en inversa: (a) distribución interna de la carga en condiciones de polarización en
inversa; (b) polaridad de polarización en inversa y dirección de la corriente de saturación en inversa.

La aplicación de un potencial de polarización en directa VD “presionará” a los electrones

en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los
iones próximos al límite y reducirá el ancho de la región de empobrecimiento como se
muestra en la figura 1.14a. El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del
material tipo p al material tipo n (y de huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de
magnitud (puesto que el nivel de conducción es controlado principalmente por el número
limitado de impurezas en el material), aunque la reducción del ancho de la región de
empobrecimiento produjo un intenso flujo de portadores mayoritarios a través de la unión.
(Boylestad, 2009, p32).

Figura 4. Unión p-n polarizada en directa: (a) distribución interna de la carga en condiciones de polarización en
directa; (b) polarización directa y dirección de la corriente resultante.

SIMBOLOGIA DEL DIODO

Figura 5. Constitución física, simbología y modelo práctico de un diodo.

TIPOS DE DIODOS
 Diodo Schottky
El diodo Schottky se caracteriza por una unión metal semiconductor ligeramente dopado
y como su nombre indica también produce un efecto rectificador (si el dopado es muy
fuerte la unión es de tipo óhmica y la corriente circula en ambos sentidos).

Al igual que en el diodo de unión se forma una zona de agotamiento en la que los
electrones de la zona n buscan niveles de energía menores y, por tanto, pasan al metal.
Cuando se forma la zona de agotamiento hay un paso de electrones del metal al
semiconductor, forzado por el campo eléctrico presente, que iguala al anterior y, por tanto,
no circula corriente a través del dispositivo.

En el diodo Schottky la barrera de potencial es menor que en un diodo de unión y vale

sólo 0,2 V. Cuando un diodo de unión se polariza directamente, se inyectan huecos
procedentes del semiconductor de tipo p en el semiconductor de tipo n y electrones desde
el semiconductor de tipo n en el de tipo p.

Estas cargas son momentáneamente almacenadas en las zonas neutras próximas a la unión
hasta que se recombinan con las cargas opuestas. Sin embargo, cuando se polariza
directamente el diodo Schottky la altura de la barrera para los electrones del
semiconductor disminuye y los electrones de la zona n pasan al metal. El resultado es que
en el diodo Schottky la conducción la protagonizan sólo los electrones y por ello se dice
también que es un dispositivo unipolar, que conduce por portadores mayoritarios. Esto
también se traduce en un tiempo de recuperación inversa (se explicará más adelante) muy
pequeño al no haber cargas almacenadas cuando se corta el diodo.

Con polarización inversa aumenta la altura de la barrera para los electrones del
semiconductor por lo que disminuye el flujo de electrones del semiconductor al metal
mientras el flujo de electrones del metal al semiconductor permanece inalterado en un
valor muy pequeño, dando como resultado una pequeña corriente de pérdidas. El diodo
Schottky presenta por tanto una caída de tensión directa en conducción mucho menor que
un diodo de unión p-n (sólo 0,2 V frente a los 0,7 V del diodo de Si) y además tiene un
tiempo de recuperación inversa mucho menor. Sus desventajas por otra parte son una
menor tensión de ruptura y corrientes de pérdidas mayores que un diodo de unión. (Peña
y Castillo, 2009, p8).
 Figura 6. Símbolo electrónico del diodo Schottky. Diodo Schottky de estructura planar.

Figura 7. Curva característica de un diodo Schottky comparada con un diodo de unión p-n de Si.

 Diodo Rectificador
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen
en polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas
características son las que permite a este tipo de diodo rectificar una señal.

Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso

que pueden soportar. Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el
sistema americano, la referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de serie, por
ejemplo: 1N4004. La “N” significa que se trata de un semiconductor, el “1” indica el
número de uniones PN y el “4004” las características o especificaciones exactas del
dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por
ejemplo: BY254. En este caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el tipo
(rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias referencias, por
ejemplo: ECG581. (Peña y Castillo, 2009, p9).

Figura 8. Símbolo de diodo rectificador.

  Diodos Rectificadores Como Elemento De Protección
La desactivación de un relé provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido
inverso que pone en peligro el elemento electrónico utilizado para su activación. Un diodo
polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema, figura 1 El
inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es más lenta, así que la
frecuencia a la que puede ser activado el relé es más baja. Se le llama comúnmente diodo
volante. (Peña y Castillo, 2009).

Figura 9. Diodo volante como elemento de protección.

 Diodos Rectificadores Como Elemento De Protección De Un Led En Alterna

El diodo Led cuando se polariza en DC directamente conduce y la tensión cae sobre la
resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensión se
encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.

 Diodo Zener
El diodo zener es un diodo basado también en una única unión p-n, pero sus niveles de
dopado son completamente diferentes de los normalmente encontrados en un diodo
normal.
Su comportamiento es igual que el del diodo de señal descrito hasta ahora pero
generalmente se le hace funcionar en lo que se denomina zona de ruptura (tercer cuadrante
de la curva característica), es decir, aplicándole una tensión inversa superior a la tensión
de ruptura. Si nos fijamos en la figura 2 observamos que el diodo tiene un codo muy
abrupto cuando se le aplica una tensión inversa por encima de un cierto valor llamado
tensión de ruptura o tensión de zener. Es en esta región donde se utiliza el diodo zener y
básicamente se hace como tensión de referencia. Su símbolo electrónico es diferente del
diodo normal.
 Figura 10 Símbolo electrónico del diodo zener

Dos efectos que producen la ruptura de un diodo de unión p-n: el efecto túnel o zener y
la ruptura por efecto avalancha. Si la ruptura se produce en uniones con tensiones por
encima de los 8 V están causadas por el efecto avalancha, mientras que para tensiones de
ruptura por debajo de los 5 V la ruptura se produce por efecto Zener, para ambos casos
operan al mismo tiempo. (Ejea y Sanchis, 2008).

Figura 12. Efecto avalancha producido durante la

Figura 11. Efecto zener producido durante la polarización inversa de un diodo
polarización inversa de un diodo.

 Diodos Led (Light Emitting Diode)

El voltaje de umbral, del LED se encuentra entre 1.3 y 4 V. Dependiendo del color de luz
que emita el diodo, como se aprecia en la Tabla 1.
Tensión
COLOR en
directo
Infrarrojo 1.3 V
Rojo 1.7 V
Naranja 2.0 V
Amarillo 2.5 V
Verde 2.5 V
Azul 4.0 V
Tabla 1. Valores de voltaje para led.

La intensidad mínima para que un diodo LED emita luz visible es de 4 mA y, por
precaución, como máximo deben aplicarse 50 mA. (Peña y Castillo, 2009)
 Figura 13 Identificación de las terminales de un diodo LED

 Fotodiodo
Son dispositivos semiconductores construidos con una unión PN, sensible a la incidencia
de la luz visible o infrarroja. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de
luminosidad mayores a las células fotoeléctricas, para que su funcionamiento sea correcto
se polarizan inversamente. (Peña y Castillo, 2009)

 Diodo De Capacidad Variable (Varicap)

A este dispositivo se ha modificado el perfil y el nivel de dopado de forma que se ha
aumentado mucho su capacidad de unión. Además, esta capacidad de unión se podrá
modificar según la tensión aplicada inversamente al diodo. Así si aumentamos la tensión
inversa aplicada:
1. La zona de agotamiento aumenta, lo que aumenta la distancia neta entre cargas.
2. Se producen más iones positivos y negativos (generamos más carga).
La capacidad de unión variará por tanto con la tensión inversa aplicada y cuanta más
tensión se aplique menor capacidad tendremos. La expresión matemática ya se vio en el
punto referente a las capacidades parásitas. Figura 4: Símbolo electrónico del diodo
varactor. Su utilización es básicamente como elemento de sintonía en receptores de FM
o televisión como parte del tanque resonante LC. (Ejea y Sanchis, 2008).

Figura 14. Símbolo electrónico del diodo varactor.

CIRCUITOS EQUIVALENTES DE DIODOS

“Un modelo o circuito equivalente es una combinación de elementos escogidos de

manera adecuada para representar de la mejor forma las características reales de un
dispositivo o sistema en una región particular de operación.” ( Novillo ,2011,p22).
“Un circuito equivalente es una combinación de elementos apropiadamente seleccionados
para que representen mejor las características terminales reales de un dispositivo o
sistema en una región de operación particular.” (Boylestad,2009,p27).
Se concluye por las citas de los dos autores que “Un circuito equivalente es la unión de
elementos escogidos de modo adecuado para representar las características reales de
un dispositivo”

Equivalente de segmentos lineales

Una técnica para obtener un circuito equivalente de un diodo es simular con más o menos
precisión las características del dispositivo mediante segmentos de línea recta, como se
muestra en la Figura 15. El circuito resultante equivalente se llama circuito equivalente
lineal por segmentos, … Sin embargo, los segmentos resultantes son suficientemente
parecidos a la curva real como para establecer un circuito equivalente que producirá una
excelente primera aproximación del comportamiento real del dispositivo.
(Boylestad,2009,p27).

Figura 15. Representación de circuito equivalente de segmentos lineales

El modelo completo de un diodo es la aproximación más precisa e incluye el potencial

de barrera, la pequeña resistencia dinámica de polarización en directa 𝑟′𝑑 y la gran
resistencia interna de polarización en inversa (𝑟’𝑅 ) . Observe la Figura 16.
(Floyd,2008,p28)

Figura 16. Representación de modelo completo de un diodo

Con las citas de los dos autores se concluye que “un circuito equivalente de segmentos
lineales es la aproximación más cercana al comportamiento real del dispositivo”
Equivalente Simplificado
En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia 𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚 es suficientemente pequeña para
ser ignorada en comparación con los demás elementos de la red. La eliminación de 𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚
del circuito equivalente es lo mismo que suponer que las características del diodo son las
que se muestran en la Figura 17, … Manifiesta que un diodo de silicio polarizado en
directa en un sistema electrónico en condiciones de cd experimenta una caída de 0.7 V a
través de éste en el estado de conducción a cualquier nivel de corriente en el diodo.
(Boylestad,2009,p29).

Figura 17. Representación de Equivalente Simplificado

El modelo práctico incluye el potencial de barrera. Cuando el diodo está polarizado en

directa, equivale a un interruptor cerrado en serie con una pequeña fuente de voltaje
equivalente (𝑉𝐹 ) igual al potencial de barrera (0.7 V) con el lado positivo hacia el ánodo,
como lo muestra la Figura 18. Esta fuente de voltaje equivalente representa el potencial
de barrera que debe ser excedido por el voltaje de polarización antes de que el diodo
conduzca y no sea una fuente de voltaje activa. Cuando conduce, aparece una caída de
voltaje de 0.7 V a través del diodo. (Floyd,2008,p27)

Figura 18. Representación de el modelo práctico

Analizando las citas de los dos autores se concluye que “Un circuito equivalente
simplificado es aquel en el cual la resistencia 𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚 es muy pequeña para compararla con
otros elementos de la red por lo cual se la puede despreciar”

Equivalente Ideal
Llevemos el análisis un paso adelante y establezcamos que el nivel de 0.7 V con
frecuencia puede ser ignorado en comparación con el nivel de voltaje aplicado. En este
caso el circuito equivalente se reducirá al de un diodo ideal como se muestra en la Figura
19 con sus características. (Boylestad,2009,p29).
 Figura 19. Representación del Equivalente Ideal

Es la aproximación menos precisa y puede ser representado por un interruptor simple.

Cuando el diodo está polarizado en directa, actúa idealmente como un interruptor cerrado
(prendido), como lo muestra la figura 20(a). Cuando el diodo está polarizado en inversa,
idealmente actúa como un interruptor abierto (apagado). como lo muestra la figura 20(b).
(Floyd,2008,p26)

Figura 20 Representación de Equivalente Ideal

Se concluye por las citas de los dos autores que “Un circuito equivalente ideal es la
aproximación menos precisa el cual en polarización directa es un corto circuito y en
polarización inversa es un circuito abierto”

COMPUERTAS AND-OR
Una compuerta OR es tal que el nivel del voltaje de salida será 1 si cualquiera o ambas
entradas son 1. La salida es 0 si ambas entradas están al nivel 0. El análisis de compuertas
AND/OR se facilita utilizando el equivalente aproximado de un diodo en lugar del ideal,
porque podemos estipular que el voltaje a través del diodo sea positivo de 0.7 V para que
el diodo de silicio cambie al estado de “encendido. Observe la figura 21”.
(Boylestad,2009,p74).
 Figura 21. Compuertas AND/OR

Los diodos actúan dejando pasar la tensión de sus entradas cuando ésta corresponde a uno
de los dos valores lógicos y no dejándola pasar para el otro valor; la tensión de referencia
Vr debe ser la correspondiente al valor que «no pasa». La puerta "o" debe dejar pasar los
«unos», de forma que siempre que haya un 1 a la entrada el resultado sea 1 y la puerta "y"
debe dejar pasar los «ceros», ya que siempre que una entrada sea 0, el resultado debe ser
0 también. (Pollán,2007, p159)

Figura 22 Compuertas AND-OR

Analizando las citas de los dos autores se concluye que “El análisis de las compuertas
AND/OR radica en que los diodos dejan pasar el voltaje de sus entradas cuando
corresponde a uno de los valores lógicos y estos circuitos funcionan normalmente como
en el algebra booleana”

DIODOS RECTIFICADORES
 El Rectificador De Media Onda
El proceso llamado rectificación de media onda sucede cuando a la salida de un circuito
rectificador se genera una forma de onda 𝑣𝑜 que tendrá un valor promedio de uso
particular en el proceso de conversión ca a cd, para esto se conecta un diodo a una fuente
de ca y a un resistor de carga, RL, para formar un rectificador de media onda. (Boylestad,
2009, p.95)
Examinaremos lo que sucede durante un ciclo del voltaje de entrada por medio del
modelo ideal del diodo. Durante el intervalo t=0 hasta T/2 la polaridad del voltaje aplicado
𝑣𝑖 es tal que ejerce “presión” en la dirección indicada y enciende el diodo con la polaridad
que aparece arriba de él. Sustituyendo la equivalencia de cortocircuito en lugar del diodo
ideal se tendrá el circuito equivalente, donde es muy obvio que la señal de salida es una
réplica exacta de la señal aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida
están conectadas directamente a la señal aplicada por conducto de la equivalencia de corto
circuito del diodo.

Figura 23. Región de conducción (0 hasta T/2)

Para el periodo de T/2 hasta T la polaridad de la entrada 𝑣𝑖 es como se muestra en la

figura 24 y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado de “apagado”
con un equivalente de circuito abierto. El resultado es que no hay una ruta para que fluya
la carga y 𝑣𝑖 = 𝑖𝑅 = (0)𝑅 = 0 A para el periodo T/2 hasta T.

Figura 24. Región de no conducción (T/2 hasta T)

La señal de salida vo ahora tiene un área neta

positiva sobre el eje durante un periodo completo y
un valor promedio determinado por:
𝑽𝒄𝒅 = 𝟎. 𝟑𝟏𝟖 𝑽𝒎
Para Rectificador de media onda

Figura 25. Señal rectificada de media onda

Voltaje pico inverso

La capacidad de voltaje inverso pico (PIV) [o PRV (voltaje reverso pico)] del diodo es de
primordial importancia en el diseño de sistemas de rectificación. Recuerde que no se debe
exceder el valor nominal de voltaje en la región de polarización en inversa o el diodo
entrará a la región de avalancha Zener.

𝑷𝑰𝑽 𝒏𝒐𝒎𝒊𝒏𝒂𝒍 ≥ 𝑽𝒎

Figura 26. Determinación del valor nominal PIV requerida

para el rectificador de media onda

 Rectificación De Onda Completa

Floyd (2008) afirma. “Un rectificador de onda completa permite corriente unidireccional
(en un sentido) a través de la carga durante los 360° del ciclo de entrada, mientras que un
rectificador de media onda permite corriente a través de la carga sólo durante la mitad del
ciclo. El resultado de la rectificación de onda completa es un voltaje de salida con una
frecuencia del doble de la frecuencia de entrada”
El número de alternaciones positivas que conforman el voltaje rectificado de onda
completa es dos veces el del voltaje de media onda durante el mismo intervalo. El valor
promedio de un voltaje senoidal rectificado de onda completa es dos veces el de media
onda, es decir:
𝑽𝒄𝒅 = 𝟎. 𝟔𝟑𝟔 𝑽𝒎

6.2.1 Rectificador tipo puente

La red más utilizada y eficiente de generar la rectificación completa de una onda senoidal
se la realiza con cuatro diodos en una configuración de puente. Durante el periodo t=0
para T/2 la polaridad de la entrada es como se muestra en la figura 27(a). Las polaridades
resultantes a través de los diodos ideales también se muestran en la figura 27(b), para
revelar que D2 y D3 están conduciendo, mientras que D1 y D4 están “apagados”. El
resultado neto es la configuración de la figura 27 (c) con su corriente y polaridad indicadas
a través de R. Como los diodos son ideales, el voltaje de carga es vo = vi.
 Figura 27. Puente de diodos para polarización directa

En la región negativa de la entrada los diodos que conducen son D1 y D4 y la

configuración es la que se muestra en la figura 28. El resultado importante es que la
polaridad a través del resistor de carga R es la misma de la figura 27 (a), por lo que se
establece un segundo pulso positivo.

Figura 28. Puente de diodos para polarización en inversa

 Rectificador de onda completa con derivación central

Un rectificador con derivación central es un tipo de rectificador de onda completa que
utiliza dos diodos conectados al secundario de un transformador con derivación central.
El voltaje de entrada se acopla a través del transformador al secundario con derivación
central. La mitad del voltaje secundario total aparece entre la derivación central y cada
extremo del devanado secundario.
 Figura 29. Rectificador de onda completa con derivación central

Para un semiciclo positivo del voltaje de entrada, las polaridades de los voltajes del
secundario se muestran en la figura 30(a). Esta condición polariza en directa el diodo D1
y en inversa el diodo D2. La trayectoria de la corriente es a través de D1 y el resistor de
carga RL, como se indica. Para un semiciclo negativo del voltaje de entrada, las
polaridades del voltaje en el secundario son las mostradas en la figura 30 (b). Esta
condición polariza en inversa el diodo D1 y en directa el diodo D2. La trayectoria de la
corriente es a través de D2 y RL, como se indica. Como la corriente de salida circula en
la misma dirección a través de la carga, para los semiciclos positivo y negativo de la
entrada el voltaje de salida desarrollado a través del resistor de carga es un voltaje de cd
de onda completa rectificado.

Figura 30. Operación básica de un rectificador de onda completa con derivación central.

RECORTADORES
“Los recortadores son redes que emplean diodos para recorta una parte de una señal de
entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada” (Floyd, 2009,
p.65). “Los recortadores limitan o recortan la parte positiva o negativa del voltaje de
entrada, conforme el voltaje de entrada se hace positivo o negativo, el diodo se polariza
en directa o en inversa y conduce o no la corriente” (Boylestad, 2009, p.83).
Se pude deducir entonces que los circuitos recortadores son lazos que permiten recortar
una parte de la señal de entrada dependiendo de la configuración que le demos ya sea para
recortar la parte positiva o la parte negativa de la señal.
Existen dos categorías generales de recortadores: en serie y en paralelo. La configuración
en serie es aquella donde el diodo está en serie con la carga, en tanto que la configuración
en paralelo tiene el diodo en una rama paralela a la carga.

 Configuración en serie
Un recortador en serie puede ser rectificador de media onda ya que recorta la una parte
de la señal de entrada, aunque primero se presentó como un rectificador de media onda
(con formas de onda senoidales), no hay límites para el tipo de señales que se pueden
aplicar a un recortador.

Figura 31. Tipo de recortador en serie

La adición de una fuente de cd a la red puede tener un marcado efecto en el análisis de la

configuración de recortador en serie. La respuesta no es tan obvia porque la fuente de cd
puede ayudar o ir en contra del voltaje suministrado por la fuente.

Figura 32.Recortador en serie con una fuente cd

 Por ejemplo, para el circuito anterior cualquier
voltaje positivo de la fuente tratará de encender el
diodo al establecer una corriente convencional a
través del mismo que coincida en dirección con la
flecha de su símbolo. Sin embargo, la fuente de cd
agregada V se opondrá al voltaje aplicado y tratará
de mantener el diodo “apagado”. El resultado es
que cualquier voltaje alimentado mayor que V
volts encenderá el diodo y se establecerá la
conducción a través del resistor de carga.
Teniendo en cuenta que por el momento se trata
de un diodo ideal, así que el voltaje de encendido
es 0 V. Entonces podemos concluir que el diodo
encenderá con cualquier voltaje vi que sea mayor
que V volts y se apagará con cualquier voltaje
menor. En la condición “apagado”, la salida sería
Figura 7.3. Análisis de recortador con fuente de 0 V por la falta de corriente y en la condición
“encendido” sería sólo 𝑣𝑜 = 𝑣𝑖 − 𝑉, como lo
determina la ley del voltaje de Kirchhoff.

 Configuración en paralelo
El análisis de configuraciones en paralelo es muy parecido al que se aplica a
configuraciones en serie, como se demuestra en el ejemplo

Figura 33. Circuito Recortador en Paralelo

Para este tipo de recortadores se analiza la polaridad de la fuente de cd y la dirección del

diodo indican si el diodo estará “encendido” o “apagado”. De hecho, es interesante notar
que como la salida es directamente a través de la combinación en serie, cuando el diodo
actúa como cortocircuito el voltaje de salida será directamente a través de la fuente de cd,
por lo que se requiere que la salida tenga un valor fijo igual al voltaje de la rama. En otras
palabras, cuando el diodo está encendido la salida será de V. Por otra parte, cuando el
diodo actúa como circuito abierto, la corriente a través de la red en serie será de 0 mA y
la caída de voltaje a través del resistor será de 0 V. Eso ocasiona que vo = vi siempre que
el diodo esté apagado.
 Figura 34. Circuito recortador en paralelo con una fuente de cd

SUJETADORES

Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que desplaza

una forma de onda a un nivel de cd diferente sin cambiar la apariencia de la señal aplicada.
Estos circuitos sujetadores poseen como mínimo tres elementos: un diodo, un
condensador y una resistencia. A un circuito sujetador también puede aumentarse una
batería DC. Los circuitos sujetadores me van a permitir sujetar a la señal de entrada en un
nivel de DC diferente. (Sanchez, 2013)

Figura 35. Señal de entrada y de salida en un circuito sujetador

El resistor y el capacitor de la red deben ser elegidos de modo que la constante

determinada por 𝜏 = 𝑅𝐶 sea bastante grande para garantizar que el voltaje a través del
capacitor no se descargue significativamente durante el intervalo en que el diodo no
conduce.
Las redes sujetadoras tienen un capacitor conectado directamente desde la entrada hasta
la salida con un elemento resistivo en paralelo con la señal de salida. El diodo también
está en paralelo con la señal de salida pero puede o no tener una fuente de cd en serie
como un elemento agregado. (Robert & Louis, 2009)
 Figura 36. Sujetador

Para analizar un circuito sujetador podemos seguir los siguientes pasos:

Paso 1: Inicie el análisis examinando la respuesta de la parte de la señal de entrada que
polarizará en directa el diodo.
Paso 2: Durante el periodo en que el diodo está “encendido”, suponga que el capacitor se
cargará instantáneamente a un nivel de voltaje determinado por la red circundante.
Paso 3: Suponga que durante el periodo en que el diodo está “apagado” el capacitor se
mantiene a su nivel de voltaje establecido.
Paso 4: A lo largo del análisis, no pierda de vista la ubicación y la polaridad definida para
𝑉0 para garantizar que se obtengan los niveles apropiados.
Paso 5: Compruebe que la oscilación total de la salida coincide con la de la entrada.

Figura 37. Señal 𝑉0 para la red de la figura 2

DIODO ZENER

El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado que está construido para que
funcione en las zonas de rupturas, bajo parámetros apropiados de funcionamiento
mantiene casi constante el voltaje del Zener. (Sanchez, 2013)
La notación del diodo Zener es la siguiente:
 Figura 38. Representación del diodo Zener

El análisis de redes que emplea diodos Zener es muy parecido al análisis de diodos
semiconductores. En primer lugar se debe determinar el estado del diodo y luego se
sustituye el modelo apropiado y se determinan las demás cantidades desconocidas de la
red. En la siguiente figura se repasa los circuitos equivalentes aproximados en cada región
de un diodo Zener suponiendo aproximaciones de línea recta en cada punto de ruptura.
Observe que se incluye la región de polarización directa porque de vez en cuando una
aplicación también pasará por alto esta región.

Figura 39. Circuitos equivalentes diodo Zener

La aplicación principal del diodo zener es como regulador de voltaje, el voltaje en la

carga permanecera constante dentro de un intervalo de tiempo de variacion de la
corriente de carga. Podemos variar RL sin que varie V0.

Figura 40. Circuito del diodo Zener como regulador de voltaje

Rs cumple la función de proteger al zener, ya que limita la corriente que circula por el
zener y por RL. (Sanchez, 2013)

Referencias
[1] Boylestad, R. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos.
Naucalpan de Juárez, México. Pearson Educación.
[2]Novillo, C. (2011). Dispositivos Electrónicos. Recuperado de:
https://es.scribd.com/document/66233376/Dispositivos-Electronicos-Novillo-Carlos-
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[3]Floyd, T. (2008). Dispositivos Electrónicos. Naucalpan de Juárez, México. Pearson
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[4]Pollán, T. (2007). Electrónica Digital. Recuperado de:
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ELECTRÓNICA. [online] Available at: http://olimpia.
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ctronica.pdf [Accessed 5 Dec. 2017].