Diodos

DIODO SEMICONDUCTOR
El diodo semiconductor se crea uniendo un material

tipo n a un material tipo p.
Sin polarización aplicada (V = 0 V).
Los semiconductores tipo n y tipo p, por sí mismos,

tienen la misma utilidad que una resistencia de
carbón.
En el momento en que los dos materiales se “unen”,
los electrones y los huecos en la región de la unión se
combinan y provocan una carencia de portadores
libres en la región próxima a la unión.
La frontera física entre un semiconductor tipo p y uno
tipo n se llama unión pn, por lo que esta estructura
se llama también diodo de unión.
Debido a su repulsión mutua, los electrones libres en

el lado n tienden a dispersarse en cualquier dirección.
Algunos electrones libres atraviesan la unión.
Cuando un electrón abandona el lado n, deja un

átomo pentavalente sin una carga negativa; este
átomo se convierte en ion positivo. Una vez que el
electrón cae en un hueco en el lado p, el átomo
trivalente que lo ha capturado se convierte en ion
negativo.
Los iones se encuentran fijos en la estructura del cristal
debido a los enlaces covalentes y no pueden moverse
como los electrones libres y los huecos.
Esta región de iones positivos y negativos
formados se llama región de
“agotamiento”, debido a la disminución de
portadores libres en la región.
Cada pareja de iones positivo y negativo en
la unión se llama dipolo y poseen un campo
eléctrico
La intensidad del campo eléctrico aumenta
con cada dipolo que se forma y detendrá la
difusión de electrones a través de la unión.
El campo eléctrico que se forma es equivalente a una
diferencia de potencial llamada barrera de potencial.
A 25°C es de 0.3 V para diodos de Ge y 0.7 V para
diodos de Si.
Sin ninguna polarización aplicada a través de un
diodo semiconductor, el flujo neto de carga en
una dirección es cero.
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN INVERSA (VD < 0
V)
En este caso, el terminal negativo de la batería se

encuentra conectado al lado p y el terminal positivo lo
está al lado n.
El número de iones positivos revelados en la región de

“agotamiento” del material tipo n se incrementará por la
gran cantidad de electrones libres atraídos por el
potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas
razones, el número de iones negativos revelados se
incrementará en el material tipo p.
El efecto neto, por consiguiente, es una mayor apertura
de la región de agotamiento, la cual crea una barrera
demasiado grande para que los portadores
mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de
portadores mayoritarios se reduce a cero.
La corriente en condiciones de polarización en inversa
se llama corriente de saturación en inversa, Is.
Existe un límite en el voltaje de polarización en inversa

del diodo sin que se dañe y es conocido como la
tensión de ruptura.
La tensión de ruptura de un diodo depende del nivel

de dopaje del mismo. Con diodos rectificadores (el
mas común), la tensión de ruptura suele ser mayor de
50 V.
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN DIRECTA (VD > 0
V)
La condición de polarización en directa o “encendido”

se establece aplicando el potencial positivo de la
batería al material tipo p y el potencial negativo al
material tipo n.
La batería empuja huecos y electrones libres hacia la
unión. Si la tensión de la batería es menor que la
barrera de potencial, los electrones libres no tienen
suficiente energía para atravesar la región de
agotamiento. Cuando entran en esta zona los iones los
empujan de nuevo a la zona n. A causa de esto no
Si la tensión de la batería es mayor que la barrera de
potencial, la batería empuja de nuevo huecos y
electrones libres hacia la unión, por lo que los electrones
libres tienen suficiente energía para pasar a través de la
zona de agotamiento y recombinarse con los huecos de
la región p.
Mientras se incrementa la magnitud de la polarización
aplicada, el ancho de la región de agotamiento continuará
reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda
atravesar la unión, lo que produce un crecimiento
exponencial de la corriente.
En la curva característica del diodo la escala vertical está en
ma y la escala horizontal en la región de polarización directa
esta en voltios. en general el voltaje a través de un diodo
polarizado en directa será alrededor de 1 V. dependiendo
del material semiconductor.
la corriente se eleva rápidamente después de la rodilla de la
curva.
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR DE SILICIO
Como ejemplo sigamos el flujo de un electrón a lo largo del
circuito completo.
Después que el electrón libre abandona el terminal negativo

de la batería entra en el extremo derecho del diodo. Viaja a
través de la región n hasta que alcanza la unión.
Cuando la tensión de la batería es mayor que la barrera de

potencial el electrón libre tiene la energía suficiente para
atravesar la zona de agotamiento.
Poco después de atravesar a la región p se recombina con

un hueco, es decir se convierte en un electrón de valencia.
Continua su viaje hacia la izquierda pasando de un
hueco al siguiente hasta que alcanza el extremo
izquierdo del diodo apareciendo un nuevo hueco y el
proceso comienza otra vez.
Como hay miles de millones de electrones haciendo el
mismo viaje, se tiene una corriente continua a través
del diodo.
NOTA: que la corriente circula fácilmente en un diodo
polarizado directamente. Cuando la tensión aplicada
sea mayor que la barrera de potencial habrá una gran
corriente continua en el circuito.
Las características generales de un diodo semiconductor se pueden
definir mediante la ecuación de Shockley, para las regiones de
polarización en directa y en inversa:
Donde Is es la corriente de saturación en inversa.

VD es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del
diodo.
n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones
de operación y construcción física; varía entre 1 y 2 (se supondrá n =
1).
k es la constante de Boltzmann = 1.38 X10-23 J/K
T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la temperatura en
°C.
REGIÓN ZENER
Existe un punto donde la aplicación de un voltaje

demasiado negativo producirá un cambio abrupto de
las características de un diodo semiconductor. La
corriente se incrementa muy rápido en una dirección
opuesta a la de la región de polarización directa.
El potencial de polarización en inversa que produce

este cambio drástico de las características se llama
potencial Zener y se representa por VZ.
REGIÓN ZENER
El máximo potencial de polarización en inversa que se
puede aplicar antes de entrar a la región Zener se llama
voltaje inverso pico (PIV) o voltaje de reversa pico (PRV).
Si una aplicación requiere un valor PIV mayor que de un

diodo, se pueden conectar en serie varios diodos de las
mismas características. Los diodos también se conectan
en paralelo para incrementar la capacidad de llevar
corriente.
A una temperatura fija, la corriente de saturación en
inversa de un diodo se incrementa con un incremento
de la polarización en inversa aplicada.
NIVELES DE RESISTENCIA
A medida que el punto de operación de un diodo se
mueve de una región a otra, su resistencia también
cambia debido a la forma no lineal de la curva
característica.
La resistencia del diodo en el punto de operación se
determina con los niveles correspondientes de VD e ID
de la curva característica y aplicando la ecuación:
EJEMPLOS: Determine los niveles de resistencia de cd del
diodo de la figura con:
a. ID = 2 mA
b. ID = 20 mA
c. VD = -10 V (polarizado en inversa)
SOLUCION:
a. CON ID = 2 mA, VD = 0.5 V (EN LA CURVA)

RD = 0.5 V/2 mA = 250 Ω
B. CON ID = 20 mA, VD = 0.8 V (EN LA CURVA)

RD = 0.8 V/20 mA = 40 Ω
C. CON VD = -10 V, ID = -IS = -1 mA (EN LA CURVA)

RD = 10 V/1 µA = 10 MΩ
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
La temperatura puede tener un marcado efecto en las características
de un diodo semiconductor como lo demuestran las características de
un diodo de silicio de la figura:
En la región de polarización en directa las
características de un diodo de silicio se desplazan a la
izquierda a razón de 2.5 mV por grado centígrado de
incremento de temperatura.
En la región de polarización en inversa la corriente de
saturación en inversa de un diodo de silicio se duplica
por cada 10°C de aumento de la temperatura.
El voltaje de saturación en inversa de un diodo
semiconductor se incrementará o reducirá con la
temperatura según el potencial Zener.
CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO
Un circuito equivalente es una combinación de

elementos apropiadamente seleccionados para que
representen mejor las características reales de un
dispositivo o sistema en una región de operación
particular.
CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAL POR SEGMENTOS

CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO
En la mayoría de las aplicaciones, la resistencia r es lo

prom
suficientemente pequeña en comparación con los

demás elementos del circuito para ser ignorada.
CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL
Para esto establezcamos que el nivel de 0.7 V con
frecuencia puede ser ignorado en comparación con el
nivel de voltaje aplicado.
NOTACIÓN PARA DIODOS SEMICONDUCTORES
En la mayoría de los diodos cualquier marca, ya sea un
punto o una banda aparece en el cátodo.
PRUEBA DE UN DIODO
La condición de un diodo semiconductor se determina rápidamente
utilizando: 1) un multímetro digital con una función de verificación de
diodo; 2) la sección óhmetro de un multímetro, o 3) un trazador de curvas.
FUNCIÓN DE VERIFICACIÓN DE DIODO (MULTÍMETRO)

En un multímetro digital se observa un pequeño símbolo de diodo.
Cuando la perilla giratoria se pone en esta posición y se conecta en
conexión directa el diodo deberá estar en el estado “on” (encendido) y la
pantalla indica el voltaje de polarización en directa como 0.67 V (para Si).
El multímetro cuenta con una fuente de corriente constante interna (de
más o menos 2 mA) que define el nivel de voltaje. Una indicación OL con
la conexión directa revela un diodo abierto (defectuoso). Si se invierten los
cables, aparecerá una indicación OL debido a la equivalencia de circuito
abierto del diodo.
En general, por consiguiente, una indicación OL en ambas direcciones
indica un diodo abierto o defectuoso.
PRUEBA CON UN ÓHMETRO
Si medimos la resistencia de un diodo con las conexiones en

directa, debemos esperar un nivel relativamente bajo.
En polarización inversa la lectura deberá ser bastante alta, por lo
que se requiere una escala de resistencia alta en el medidor.
Una lectura de alta resistencia en ambas conexiones indica una
condición abierta (dispositivo defectuoso) en tanto que una lectura
de resistencia muy baja en ambas direcciones probablemente
indique un dispositivo en cortocircuito.

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El diodo semiconductor se crea uniendo un material

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Los semiconductores tipo n y tipo p, por sí mismos,

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Cuando un electrón abandona el lado n, deja un

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Existe un límite en el voltaje de polarización en inversa

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Donde Is es la corriente de saturación en inversa.

Existe un punto donde la aplicación de un voltaje

El potencial de polarización en inversa que produce

Si una aplicación requiere un valor PIV mayor que de un

a. CON ID = 2 mA, VD = 0.5 V (EN LA CURVA)

B. CON ID = 20 mA, VD = 0.8 V (EN LA CURVA)

C. CON VD = -10 V, ID = -IS = -1 mA (EN LA CURVA)

Un circuito equivalente es una combinación de

CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAL POR SEGMENTOS

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