Lab N3

“UNIVERSIDAD CATOLICA
“ DE SANTA MARIA”
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA
ELECTRICA Y MECATRONICA
TÍTULO:
TRANSISTOR BJT
INTEGRANTES:
 Becerra Candela Fabricio Rafael

 Rojas Quispe Erick Nick
 Carpio Beltran Brandon Paolo
CURSO:
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
DOCENTE :
Ing. Collado Oporto Cristian
AREQUIPA – PERU
2017
TRANSISTOR BJT
1.- OBJETIVOS
 Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.
 Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT
 Analizar las características de transistores BJT
 Calcular la curva de los transistores BJT
2.- MARCO TEÓRICO

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la
flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.
 Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.

 Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
 Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el cristal de en medio.
Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP
Transistor NPN Transistor PNP El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor), una
cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación. Este factor se llama b (beta) y es un dato
propio de cada transistor.
2
INGENIERIA MECANICA, MECANICA ELECTRICA Y MECATRONICA
 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificación) por Ib (corriente
que pasa por la patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que
Ic, sólo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso
sale de el, o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que

alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib
cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para

poder entender que a más corriente la curva es más alta
Se pueden definir tres zonas en la gráfica:

Corte (Infinitamente pegada a el eje Vce,
interruptor abierto) en esta zona no hay paso
de corriente, Saturación (Infinitamente
pegada a el eje Ic, interruptor cerrado) no hay
caída de voltaje, Región activa (cualquier
punto fuera de los ejes, amplificación) en esta
zona se amplifica la señal de entrada. El punto
Q es la
Regiones operativas del transistor
Región de corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es
nula.La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta
como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
Región de saturación: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de
colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor
cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el
Colector.
3
Región activa: Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como
si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la
variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. Los fabricantes suelen
especificarlo en sus hojas de características, también aparece con la denominación hFE. Se expresa de la
siguiente manera:
ß = IC / IB
En resumen:
Saturación Corte Activa

VCE ~0 ~ VCC Variable
VRC ~ VCC ~0 Variable
IC Máxima = ICEO lang=EN-GB~ 0 Variable
IB Variable =0 Variable
VBE ~ 0,8v < 0,7v ~ 0,7v
3.- CUESTIONARIO PREVIO

1. ¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación? Explique.
Tipos de Transistor
• Transistor de contacto puntual
Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se

apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector.
La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.
4
• Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre

la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base
lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más
sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del
transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia

que el primero puede trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip
(modo de iluminación).
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos,

etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con
fotodiodos p-i-n.
También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando

forman parte de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando

interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de
luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
• Disipadores de calor
Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio

que se utilizan para evitar que los transistores bipolares se calienten y
se dañen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es

deshacerse del calor interno del encapsulado.
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• Transistor de potencia
Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que

soportan altas tensiones e intensidades que soportan, pero debido a
ello también tienen que disipar altas potencias y su recalentamiento
es prolongado; para evitar el sobre calentamiento se usa los
disipadores.
Tipos de transistores de potencia:
- Bipolar.
- Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
- IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).
• Transistor de unión bipolar
El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal

de Germanio o Silicio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales
son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones
NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y
donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,

donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y
las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminación (impurezas adicionadas
intencionalmente) entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más
contaminado que el colector).
6
• Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el

campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por
diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de

semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina
semiconductora como la región activa o canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET,

MOSFET y MISFET.
2. ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus características.
Los transistores suelen construirse de Ge o de Si según la técnica usada. Los transistores de aleación
prácticamente se usan sólo con el Ge, debido en gran parte a su temperatura de fusión mucho más baja que
la del Si.
Características
El germanio e silicio forma parte de los elementos denominados metaloides o semimetales. Este tipo de
elementos tienen propiedades intermedias entre metales y no metales. En cuanto a su conductividad
eléctrica, este tipo de materiales al que pertenece el germanio, son semiconductores.
El estado del germanio en su forma natural es sólido. El germanio es un elemento químico de aspecto blanco
grisáceo y pertenece al grupo de los metaloides. El número atómico del germanio es 32. El símbolo químico
del germanio es Ge. El punto de fusión del germanio es de 1211,4 grados Kelvin o de 939,25 grados Celsius o
grados centígrados. El punto de ebullición del germanio es de 3093 grados Kelvin o de 2820,85 grados Celsius
o grados centígrados.
El estado del silicio en su forma natural es sólido (no magnético). El silicio es un elemento químico de aspecto
gris oscuro azulado y pertenece al grupo de los metaloides. El número atómico del silicio es 14. El símbolo
químico del silicio es Si. El punto de fusión del silicio es de 1687 grados Kelvin o de 1414,85 grados Celsius o
grados centígrados. El punto de ebullición del silicio es de 3173 grados Kelvin o de 2900,85 grados Celsius o
grados centígrados.
7
3. ¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del transistor?
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en
la representación de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte
primero la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.
En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la

diferencia entre las regiones lineal y de saturación (Figura 9). En la
región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece
proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento
se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación,
en donde ID sólo depende de VGS.
Nótese que, según esta gráfica, la región de

saturación del JFET se identifica con la región activa
normal de los transistores bipolares. Mientras que en
RAN la corriente de colector sólo depende de la de
base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS.
Por el contrario, si la resistencia del JFET en la región
lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto
paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de
saturación del BJT.
4. ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?
Es un componente semiconductor que tiene tres terminales BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR (c) Internamente
está formado por un cristal que contiene una región P entre dos N (transistor NPN) * O una región N entre
dos regiones P, (transistor PNP ) La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la
polaridad de sus electrodos
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este dispone de dos orificios
para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es
necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente
constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parámetro lo suele proporcionar
el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic); además de esto,
suele presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en
principio no podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir este parámetro pero esta
8
medida hay que tomarla solamente como una indicación, ya que el polímetro mide este parámetro para un
valor de corriente de colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos
digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y
podemos considerar las Corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic).
4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.
4.- EQUIPOS Y MATERIALES

 Protoboard.
 Resistencias de 330K, 1K, 4.7K, y 100 ohmios.
 Potenciómetro 1M, 5K, 5M, 10K.
 Transistor BJT BC548, 2N3904.
 Amperímetro DC, Voltímetro DC.
 Fuente DC
5.- PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

PARTE 1:
Identificación del transistor : Identifique los terminales del transistor BJT
N 739 C
P ----- B
N 736 E
IDENTIFICACION
9
Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM
Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM.
Tabla 1.
Terminal Rojo Terminal Negro Lectura del

(+) (-) DMM
1 2 ----
2 1 739
1 3 ----
3 1 ----
2 3 736
3 2 ----
Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla
Tabla 2.
Terminal Base P 2
Terminal Colector N 3
Terminal Emisor N 1
Terminal Transistor NPN
Material del Si(Silicio)
Transistor
10
PARTE 2 : ARME EL SIGUIENTE CIRCUITO
1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del

transistor: deducción del tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT),
configuración de cada patilla y  (hFE).
Transistor: BC549
Tipo: NPN-BJT
Ganancia (hFE): 270
2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad.

Una vez conocida la correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente
en el multímetro para medir  en el caso de un BJT. De esta forma se puede
deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.
3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de
transistor, configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  (hFE) y
frecuencia de corte.
4. En el circuito, T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 5M; Rc1= 100 y Rc2 = 10K. Se
requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de
forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.
5. Grafique Vce vs Ic.
6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB
igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.
T1= BC548B
Vref= 15V
Rb1= 4.7K
Rb2 = 5M
Rc1= 100
Rc2 = 10K
11
TABLA 2
Vce=0 V Vce=0.5 V Vce=1 V Vce=1.5 V

Ib= 25.00μA Ic= 30.02μ 7.30m 7.36m 7.40m
Ib= 58.76μA Ic= 30.03μ 7.51m 7.89m 8.16m
Ib= 77.45μA Ic= 30.03μ 7.52m 7.89m 8.18m
Ib= 114.69μA Ic= 30.03μ 7.53m 7.90m 8.18m
Grafica Vce vs Ic.

Corriente del Colector μA
0 0.5 1 1.5
Tension Colector-Emisor V
PARTE 3 : CARACTERISTICAS DEL COLECTOR
Construya el circuito de la fig 2.
Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A como se indica en
la Tabla 3.
Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la Tabla 3.
Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.
12
Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparecen en la Tabla 3.
Notar que IB es mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.
Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.
Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de VRB establecerá un
nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.
Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor de IE = Ic + IB. Use los
valores medidos de Rc.
Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La curva es IC vs. VCE
para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de IB.
Construyendo el circuito:
1. Con un voltaje de 3.3 en VRB una corriente de 10μA en IB y un voltaje de 2 en VCE, el valor de VCE va
variar a 4-6-8-10-12-14-16
13
variar a 4-6-8-10-12-14
variar a 4-6-8-10
variar a 4-6-8
variar a 4-6-8
14
VRB (V) IB (μA) VCE (V) VRC (V) IC (mA) VBE (V) IE (mA) α Β
(medido) (calculado) (medido) (medido) (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)
3.3 10 2 1.448 1.448 0.675 1.458 0.993 144.8
3.3 10 4 1.487 1.487 0.675 1.497 0.993 148.7
3.3 10 6 1.526 1.526 0.675 1.536 0.993 152.6
3.3 10 8 1.564 1.564 0.675 1.574 0.994 156.4
3.3 10 10 1.603 1.603 0.675 1.613 0.994 160.3
3.3 10 12 1.641 1.641 0.675 1.651 0.994 164.1
3.3 10 14 1.680 1.680 0.675 1.690 0.994 168.0
3.3 10 16 1.719 1.719 0.675 1.729 0.994 171.9
6.6 20 2 3.152 3.152 0.696 3.172 0.994 157.6

6.6 20 4 3.236 3.236 0.696 3.256 0.994 161.8
6.6 20 6 3.320 3.320 0.696 3.340 0.994 166.0
6.6 20 8 3.404 3.404 0.696 3.424 0.994 170.2
6.6 20 10 3.488 3.488 0.696 3.508 0.994 174.4
6.6 20 12 3.572 3.572 0.696 3.592 0.994 178.6
6.6 20 14 3.656 3.656 0.696 3.676 0.994 182.8
9.9 30 2 4.897 4.897 0.708 4.927 0.994 163.2

9.9 30 4 5.027 5.027 0.708 5.057 0.994 167.6
9.9 30 6 5.157 5.157 0.708 5.187 0.994 171.9
9.9 30 8 5.288 5.288 0.708 5.318 0.994 176.3
9.9 30 10 5.418 5.418 0.708 5.448 0.994 180.6
13.2 40 2 6.639 6.639 0.717 6.679 0.994 166.0

13.2 40 4 6.815 6.815 0.717 6.855 0.994 170.4
13.2 40 6 6.992 6.992 0.717 7.032 0.994 174.8
13.2 40 8 7.168 7.168 0.717 7.208 0.994 179.2
16.5 50 2 8.360 8.360 0.723 8.410 0.994 167.2

16.5 50 4 8.582 8.582 0.723 8.632 0.994 171.6
16.5 50 6 8.805 8.805 0.723 8.855 0.994 176.1
16.5 50 8 9.027 9.027 0.723 9.077 0.994 180.5
15
𝐸𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝐼𝑐 𝑠𝑒 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎 ∶
𝑉𝑅𝐶
𝐼𝑐 =
𝑅𝐶
𝐸𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝐼𝐸 𝑠𝑒 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎 ∶
𝐼𝐸 = 𝐼𝑐 + 𝐼𝐵
𝐸𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝛼 𝑠𝑒 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎 ∶
𝐼𝑐
𝛼=
𝐼𝐸
𝐸𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝛽 𝑠𝑒 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎 ∶
𝐼𝑐
𝛽=
𝐼𝐵
6.- CUESTIONARIO FINAL
1. La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué representan?
Estas intersecciones representan tano el punto de corte como el punto de saturación, en los cuales el
transistor funciona como un conmutador ON-OFF.
2. ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?
Ninguna, pues se trata del mismo transistor, o en todo caso las diferencias no son apreciables por el grupo de
trabajo.
3. ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la práctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar

tampoco por sus otros terminales; se dice entonces que
el transistor está en corte, es como si se tratara de un
interruptor abierto El transistor es utilizado para
aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos
digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que
lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic).
16
4. Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?
El transistor está en saturación cuando la

corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulación de corriente entre el
colector y el emisor y el transistor se comporta
como si fuera un interruptor cerrado. En esta
zona el transistor es utilizado para aplicaciones
de conmutación (potencia, circuitos digitales,
etc.), y lo podemos considerar como un
cortocircuito entre el colector y el emisor.
5. Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.
La relación seria, que tal como indica la teoría, Lc aumenta la intensidad eléctrica gracias al factor de
amplificación β el cual multiplicado por Lb nos da la amplificación propia de un transistor.
CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

Como ya hemos podido ver en el reporte hemos conocido la variedad de aplicaciones de los
transistores y su utilización en la composición de sistemaselectrónicos.
También hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de los transistores así
como sus materiales de composición y los instrumentos para tomas lecturas.
* Las pruebas que hemos llevado a cabo sobre los transistores nos dan referencias fidedignas de tres
parámetros que podemos identificar como son:
1) La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).
2) De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada patilla, bien sea: BASE,
COLECTOR o EMISOR.
3) Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada de la ganancia del
transistor en términos relativos.
17
Este laboratorio nos permitió constatar toda lateoría base para circuitos que incluyen .transistores.
Como de manera de inicio vimos el reconocimiento de este dispositivo, nuestra familiarización con
este para esto debimos .identificar previamente sus terminales saber si era PNP o NPN, y además
consultar la hoja del fabricante.
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, eldiseño de los circuitos
electrónicos.
6. BIBLIOGRAFÍA
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm
http://elementos.org.es/silicio
http://elementos.org.es/germanio
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistorbipolar.html
https://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/transistores.pdf
http://fannylujanr.blogspot.pe/2015/09/transistores-de-union-bipolar.html
18

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“UNIVERSIDAD CATOLICA

 Becerra Candela Fabricio Rafael

2.- MARCO TEÓRICO

 Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que

En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para

Se pueden definir tres zonas en la gráfica:

Regiones operativas del transistor

Saturación Corte Activa

VRC ~ VCC ~0 Variable

IC Máxima = ICEO lang=EN-GB~ 0 Variable

VBE ~ 0,8v < 0,7v ~ 0,7v

3.- CUESTIONARIO PREVIO

Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se

Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre

Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia

1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos,

También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando

Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando

Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio

Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es

Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que

Tipos de transistores de potencia:

- Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.

- IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).

• Transistor de unión bipolar

El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,

El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el

La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de

Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET,

2. ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus características.

En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la

Nótese que, según esta gráfica, la región de

4. ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.

4.- EQUIPOS Y MATERIALES

 Resistencias de 330K, 1K, 4.7K, y 100 ohmios.

 Potenciómetro 1M, 5K, 5M, 10K.

 Transistor BJT BC548, 2N3904.

 Amperímetro DC, Voltímetro DC.

5.- PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

Identificación del transistor : Identifique los terminales del transistor BJT

Terminal Rojo Terminal Negro Lectura del

Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del

Ganancia (hFE): 270

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad.

Vce=0 V Vce=0.5 V Vce=1 V Vce=1.5 V

Grafica Vce vs Ic.

PARTE 3 : CARACTERISTICAS DEL COLECTOR

Construya el circuito de la fig 2.

Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

6.6 20 2 3.152 3.152 0.696 3.172 0.994 157.6

9.9 30 2 4.897 4.897 0.708 4.927 0.994 163.2

13.2 40 2 6.639 6.639 0.717 6.679 0.994 166.0